低频同轴腔体滤波器及其制作方法技术

技术编号:12882718 阅读:118 留言:0更新日期:2016-02-17 15:17
本发明专利技术涉及滤波领域,其公开了一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方。本发明专利技术的有益效果是:提高设计的准确性、加快设计时间和降低研发成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及滤波领域,尤其涉及一种。
技术介绍
滤波器是微波通信系统运作中的重要器件之一,尤其是200MHz到500MHz这个频段之间的同轴腔体滤波器,其更多的应用于专网通信项目之中。对于低频(200Mhz-500Mhz)同轴腔体滤波器,现有的设计技术虽然基本满足了客户的要求,但现有的设计办法基本都没有考虑成本的控制以及滤波器的体积的大小要求,或者是在客户限制了成本以及滤波器的外形尺寸大小之后,现有的技术会导致设计和生产难度相应的加大。对于低频(200Mhz-500Mhz)同轴腔体滤波器,现有的设计技术虽然基本满足了客户的要求,但现有的设计办法基本都没有考虑成本的控制以及滤波器的体积的大小要求,或者是在客户限制了成本以及滤波器的外形尺寸大小之后,现有的技术会导致设计和生产难度相应的加大。如单腔的长宽高为40mm*40mm*45mm,仿真结果单腔谐振频率大约在490Mhz,如果客户需求频率低于400MHz的话,为了满足客户的需求,则需要加大单腔的体积,同时也意味着整个滤波器整机的尺寸会加大。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题,本专利技术提供了一种低频同轴腔体滤波器,解决现有技术中体积小频率低的问题。本专利技术提供了一种低频同轴腔体滤波器制作方法,包括如下步骤:(A)在单个谐振腔中装配挡块;(B)调节挡块的高度;(C)完成谐振频率的调节。作为本专利技术的进一步改进:所述步骤(A)中,挡块的长宽与单个谐振腔的内径长宽保持一致,该挡块在单个谐振腔内移动。作为本专利技术的进一步改进:所述步骤(B)中,在仿真软件中调节挡块加载电容之间的距离,同时调节挡块中心孔的直径大小。作为本专利技术的进一步改进:所述步骤(C)中,确定谐振频率并根据不同的谐振频率对挡块进行对应的调节。作为本专利技术的进一步改进:所述挡块与加载电容的距离大于1mm以及挡块中心通孔边缘与谐振杆外径的距离大于1mm。本专利技术同时提供了一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方。作为本专利技术的进一步改进:所述挡块设有中心孔;所述谐振杆穿过所述挡块。作为本专利技术的进一步改进:所述挡块随谐振杆在所述单腔体内滑动,挡块的长宽与单腔体内径的长宽保持一致。作为本专利技术的进一步改进:所述挡块与加载电容的距离大于1_以及挡块中心通孔边缘与谐振杆外径的距离大于1mm。作为本专利技术的进一步改进:挡块的中心孔能够进行大小调节,挡块与加载电容之间的距离能够进行调节。本专利技术的有益效果是:提高设计的准确性、加快设计时间和降低研发成本。【【附图说明】】 图1为本专利技术低频同轴腔体滤波器工作方式剖视图。【【具体实施方式】】 下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本专利技术进一步说明。—种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方。所述挡块设有中心孔;所述谐振杆穿过所述挡块。所述挡块随谐振杆在所述单腔体内滑动。本专利技术同时提供了一种低频同轴腔体滤波器制作方法,包括如下步骤:(A)在单个谐振腔中装配挡块;(B)调节挡块的高度;(C)完成谐振频率的调节。所述步骤(A)中,挡块的长宽与单个谐振腔的内径长宽保持一致,该挡块在单个谐振腔内移动。所述步骤(B)中,在仿真软件中调节挡块加载电容之间的距离,同时调节挡块中心孔的直径大小。所述步骤(C)中,确定谐振频率并根据不同的谐振频率对挡块进行对应的调节。所述挡块与加载电容的距离大于1mm以及挡块中心通孔边缘与谐振杆外径的距离大于1mm。本专利技术主要提供一种新的设计方案,能在同等单腔以及谐振杆的条件下,设计出频率更低的滤波器。其设计主旨是通过调节金属挡块的对地高度以及金属挡块中心孔的大小来改变单腔的谐振频率,使其谐振频率可以变得更低。单腔的谐振频率高低主要就是由谐振杆的尺寸和单腔大小来控制的。单个谐振腔结构如上图1所示,随着金属挡块与加载电容的距离的缩小,谐振腔中谐振频率会逐渐变低。例如:图中金属挡块距离加载电容为1.5mm以及挡块中心孔距离谐振杆为1.5mm时,这时的单腔谐振频率大概为380MHz左右,与不加挡块时的仿真频率490MHz相比,大约向低偏了 100MHz。在一实施例中,如图1,一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体5、加载电容1、螺杆2、谐振杆3以及挡块4 ;所述加载电容1、螺杆2、谐振杆3以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容1和挡块4通过谐振杆3进行连接;所述螺杆2位于所述谐振杆3的顶端部;所述挡块4位于所述加载电容1的下方,盖板6用于盖住所述单腔体5,所述挡块4设有中心孔41 ;所述谐振杆3穿过所述挡块4,所述挡块4随谐振杆在所述单腔体5内滑动。在一实施例中,其设计主旨在单个谐振腔中装配一个金属挡块,金属挡块的长宽与单个谐振腔的长宽保持一致。通过在仿真软件中调节金属挡块的对地高度H1 (或者是金属挡块与加载电容之间的距离H2)以及金属挡块中心孔的直径H3的大小来确定谐振腔的谐振频率,并且使谐振腔谐振频率可以变得更低。通过软件仿真可以确定H1 (或者H2)以及H3的距离大小,并最终应用在实际通信工程中,在设计的时候,需要注意的是要控制好金属挡块与加载电容的距离H2以及挡块中心通孔直径H3的大小,尽量能够满足金属挡块与加载电容的距离H2大于1mm以及挡块中心通孔边缘与谐振杆外径的距离大于1mm(也就是H3-H4>lmm),如果太小的话太小会加大腔体的加工和生产难度。在一实施例中,不加金属挡块的情况下,此时单个谐振腔的体积为40mm*40mm*45mm,仿真频率为490Mhz ;通过本专利技术加入金属挡块后,金属挡块与加载电容的距离H2为1.2mm,挡块中心孔的直径H3为12.5mm,谐振杆外直径H4为10.5mm,金属挡块大小为32mm*32mm*3mm,此时单个谐振腔的体积为32mm*32mm*45mm,仿真频率也是490Mhz ;与不加挡块的单个谐振腔的体积对比,长和宽都相应的减小了,同时也满足了设计所需要的频率要求,对于一个包含六个谐振腔的滤波器而言,采用金属挡块这个方案,可以大大的缩小成本和体积。在计算、仿真单腔频率时,通过准确的建模和仿真,提高设计的准确性、加快设计时间和降低研发成本,再通过复杂的实验来验证此装置的可行性。通过观查;实验结果,不断调整和控制金属挡块与加载电容的距离和中心孔的大小,并最终确定滤波器的谐振频率。通过上述技术方案,克服了现有技术中体积小频率低的滤波器的设计和生产难度。由于该装置是安装在滤波器内部,在挡块与腔体接触良好的情况下,不会对滤波器体积有任何的改变,在单腔尺寸同等的条件下,同时又可以设计出频率更低的滤波器,有效的改善了低频滤波器体积大,成本高的缺点。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明,不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种低频同轴腔体滤波器制作方法,其特征在于:包括如下步骤:(A)在单个谐振腔中装配挡块;(B)调节挡块的高度;(C)完成谐振频率的调节。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:辛飞
申请(专利权)人:深圳市虹远通信有限责任公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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