本发明专利技术公开了黄色发光荧光体及使用其的发光装置封装。黄色发光荧光体包含第一荧光体和与第一荧光体混合形成混合物的第二荧光体，所述第一荧光体包含Lu3Al5O12:Ce、SrSi2O2N2和β-型SiAlON中的至少一种，所述第二荧光体包含有Li作为金属成分的α-型SiAlON(Li-α-SiAlON)，其中所述第二荧光体通过被近紫外线(UV)或蓝光激发而发射中心波长在550nm～590nm范围内的光。第一荧光体与第二荧光体的混合物被近紫外线或蓝光激发而发射黄光。本发明专利技术的发光装置封装包含上述黄色发光荧光体和发光装置，所述发光装置被构造为发射近紫外线或蓝光从而激发黄色发光荧光体。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】黄色发光黄光体及使用其的发光装置封装 本申请要求2014年5月28日提交的韩国专利申请10-2014-0064384的权益，将 所述申请在此通过参考并入，就如同在本文中完全阐述了 一样。
本专利技术设及巧光体，更特别地，设及黄色发光巧光体及使用其的发光装置封装。
技术介绍
发光二极管（LED)是下一代发光装置，其能够替代作为最通常使用的现有普通灯 具的巧光灯。 L邸具有比现有光源低的功耗，且与巧光灯不同，因为不包含隶而可W被认为是环 境友好的。另外，与现有光源相比，L邸具有包括长使用寿命和高响应速度的优点。 阳0化]运些L邸可W与吸收发射自LED的光的巧光体一起使用从而发射各种颜色的光。 运些巧光体通常会发射黄光、绿光和红光。 最近，白光L邸被制成发射蓝光的LED与适合转换发射波长的巧光体的组合。白 光LED使用范围的扩大引起对更有效的LED的需求，为此需要提高巧光体的发射效率。另 夕1>，对于具有更高可靠性的LED的需求正在增加。 阳007] 尽管作为在美国专利5998925中公开的氧化物巧光体的锭侣石恼石（YAG)巧光体 作为L邸中使用的黄色巧光体是已知的，但YAG巧光体具有低热稳定性，运在高溫下会有问 题地导致亮度劣化和色坐标变化。 另外，尽管氧化物巧光体和娃酸盐系巧光体作为黄色和绿色巧光体是已知的，但 运些巧光体具有相对低的稳定性且耐水性差，由此倾向于对L邸封装的可靠性具有负面影 响。 因此，需要开发能够与L邸合作生成白光的高效且可靠的巧光体。 此外，随着蓝光L邸的输出变的更高，蓝光L邸会显示向更短波长的波长偏移，因 此需要开发即使在短波长处也显示高激发效率的黄色发光巧光体。
技术实现思路
因此，本专利技术设及黄色发光巧光体及使用其的发光装置封装，其显著消除由于相 关技术的限制和缺点而导致的一种或多种问题。 本专利技术的一个目标为提供具有高发射效率和高亮度的黄色发光巧光体W及使用 其的发光装置封装。 另外的优点、目标和特征在W下的说明书中将部分地加W阐述，且在对W下进行 检验时将对本领域的技术人员部分地变得显而易见或可部分地从实践中学习到。通过本文 中的书面说明和权利要求书W及附图中特别指出的结构可W实现并取得所述目标和其它 优点。 为了实现运些目标和其它优点且根据在本文中呈现和广泛描述的本专利技术的目 的，根据本专利技术的第一方面，黄色发光巧光体包含作为绿色系巧光体的第一巧光体和与 第一巧光体混合形成混合物的第二巧光体，所述第一巧光体包含Lu3Al5〇i2:Ce、SrSizOzNz 和0-型SiAlON中的至少一种，所述第二巧光体包含含有Li作为金属成分的a-型 SiAlON化i-a-SiAlON),其中第二巧光体通过被近紫外线0JV)或蓝光激发而发射中屯、波 长位于550nm~590nm的波段内的光，其中第一巧光体与第二巧光体的混合物被近紫外线 或蓝光激发从而发射黄光。 在此，第二巧光体可W由W下化学式1表示：[001 d Lim 2xEUxSil2 (ni+n)Alm+n0nNl6 n 其中，"m"和"n"满足2和0《n《I中的至少一个条件。 阳018] 在此，当第一巧光体和第二巧光体总计为100重量％时，第二巧光体可WW40重 量％~60重量％的量存在。 在此，在激发光谱的360nm~460nm的波段中，所述巧光体可W具有比锭侣石恼石 灯AG)巧光体的激发速率高的激发速率。 此时，与在激发光谱的410nm的波长处的峰值相比，所述巧光体可W具有50%W 上的激发速率。 在此，第二巧光体可W发射中屯、波长位于578皿~588皿的波段内的光。 在此，黄色发光巧光体可W还包含具有与第一巧光体和第二巧光体的中屯、波长不 同的中屯、波长的第S巧光体。 根据实现如上所述技术目标的第二方面，黄色发光巧光体包含适合于发射中屯、波 长在530nm~550nm的波段内的光的第一巧光体和适合于通过与第一巧光体混合而发射中 屯、波长在550nm~590nm的波段内的光的第二巧光体，其中第二巧光体由W下化学式1表 示： Lim2xEUxSii2 (m+n)Alm+n〇nNl6n 阳02引 其中，"m"和"n"满足2和0《n《1中的至少一个条件。 在此，第一巧光体可W为绿色系巧光体且包含Lu3Als〇i2:Ce、P-型 SiAlON中的至少一种。 在此，当第一巧光体和第二巧光体总计为100重量％时，第二巧光体可WW40重 量％~60重量％的量存在。 在此，在激发光谱的360nm~460nm的波段中，所述巧光体可W具有比锭侣石恼石 (YAG)巧光体的激发速率高的激发速率。 此时，与在激发光谱的410nm的波长处的峰值相比，所述巧光体可W具有50%W 上的激发速率。 在此，第二巧光体可W发射中屯、波长位于578nm~588nm的波段内的光。 根据实现如上所述技术目标的第=方面，黄色发光巧光体包含第一巧光体和 适合于与第一巧光体混合形成混合物的第二巧光体，所述第一巧光体包含Lu3Als〇i2:Ce、 5'512〇2?^和P -型SiAlON中的至少一种，所述第二巧光体包含含有Li作为金属成分的 a -型SiAlON化i-a -SiAlON)，第二巧光体通过被近紫外线0JV)或蓝光激发而适合于发射 中屯、波长在550皿~590皿的波长范围内的光，其中当第一巧光体和第二巧光体总计为100 重量％时，第二巧光体W40重量％~60重量％的量存在，并且其中第一巧光体与第二巧光 体的混合物被近紫外线或蓝光激发而发射黄光。 根据实现如上所述技术目标的第四方面，发光装置封装包含所述黄色发光巧光体 和发光装置，所述发光装置被构造为发射近紫外线或蓝光从而激发黄色发光巧光体。 要理解，本专利技术前述的一般说明和W下的详细说明均是例示性的和解释性的，且 旨在提供对要求保护的本专利技术的进一步解释。【附图说明】【附图说明】本专利技术的实施方式且与说明书一起用于解释本专利技术的原理，包括附图W 提供对本专利技术的进一步理解，且将附图并入该申请并构成本申请的一部分。在附图中： 阳03引 图1为显示Li-a-SiAlON的X畑光谱的图； 图2为显示Ca-a-SiAlON的X畑光谱的图； 图3为显示表示人类可见性的适光曲线的图； 图4为显示根据本专利技术的黄色发光巧光体的激发光谱的图； 图5为显示根据本专利技术的黄色发光巧光体的发射光谱的图； 图6为显示在使用根据本专利技术的黄色发光巧光体的白色发光装置封装的情况下 的发射光谱的图； 图7为显示使用根据本专利技术的黄色发光巧光体的发光装置封装的一个实例的截 面图； 图8为显示使用根据本专利技术的黄色发光巧光体的发光装置封装的另一个实例的 截面图；W及 图9为图7的局部放大图，其显示使用根据本专利技术的黄色发当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种黄色发光荧光体，包含：第一荧光体，其包含Lu3Al5O12:Ce、SrSi2O2N2和β‑型SiAlON中的至少一种；和与所述第一荧光体混合以形成混合物的第二荧光体，所述第二荧光体包含含有Li作为金属成分的α‑型SiAlON(Li‑α‑SiAlON)，其中所述第二荧光体通过被近紫外线(UV)或蓝光激发而发射中心波长在550nm～590nm波段内的光，其中所述第一荧光体与所述第二荧光体的混合物被近紫外线或蓝光激发而发射黄光。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘永吉，姜东垣，洪根荣，金民成，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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