量子点发光场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法。所述量子点发光场效应晶体管，包括一栅极，所述栅极在一侧凸出形成栅极凸台；设置在所述栅极上的绝缘层，且所述绝缘层不与所述栅极凸台接触；设置在所述绝缘层上与所述栅极凸台相对的一侧的源极；设置在所述绝缘层与所述源极相连的碳纳米管层；设置在所述碳纳米管层上的半导体层，且所述半导体层不与所述源极接触；以及依次层叠设置在所述半导体层上的量子点发光层和漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)是一种以纳米尺度的量子点作为发光材料的高性能发光器件，它在显示领域有着巨大的潜在应用价值。QLED包括量子点发光层和电极，为了实现高性能的量子点电致发光，通常还设置有其它辅助功能层帮助载流子高效注入到量子点中，它们分别是载流子注入层(电子注入、空穴注入)和传输层(电子传输、空穴传输)，图1(a)所示为一个典型的QLED器件结构，其中，I’ -7’分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。为了能够利用QLED显示各种颜色、各种形状的图案，红、绿、蓝三色QLED会以像素的形式被集成在制备有场效应晶体管(FET)阵列的背板上，通过FET来控制QLED。图1(b)给出了典型的底接触型场效应晶体管示意图(8’ -13’依次为衬底、栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极)，由于FET是一种三电极器件，通过调节源漏极之间电压和栅极电压的大小均能在一定程度上控制器件的性能。尽管将QLED和FET制作在同一衬底上直接用FET驱动QLED是目前主流的技术，但是，一方面，这种方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光场效应晶体管，其特征在于，包括一栅极，所述栅极在一侧凸出形成栅极凸台；设置在所述栅极上的绝缘层，且所述绝缘层不与所述栅极凸台接触；设置在所述绝缘层上与所述栅极凸台相对的一侧的源极；设置在所述绝缘层与所述源极相连的碳纳米管层；设置在所述碳纳米管层上的半导体层，且所述半导体层不与所述源极接触；以及依次层叠设置在所述半导体层上的量子点发光层和漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖标，付东，闫晓林，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44