数据接收芯片的控制方法技术

一种数据接收芯片的控制方法，用于数据接收芯片，该数据接收芯片包括电压产生模块，该电压产生模块包括多个电阻以及选择单元，该多个电阻彼此串联，并对操作电压进行分压，用以产生多个分压结果，该选择单元根据控制信号从该多个分压结果中选择一个作为参考电压，该控制方法包括：控制该选择单元，用以设定该参考电压为初始值；接收数据，并在操作电压下将该数据与该参考电压进行比较，用以产生比较结果；判断该比较结果是否等于预设数据；以及当该比较结果不等于该预设数据时，控制该选择单元，用以调整该参考电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种可产生并调整参考电压的控制方法。
技术介绍
存储器一般可分为只读存储器(Read Only Memory:ROM)以及随机存取存储器(Random Access Memory:RAM)。常见的只读存储器包括，可编程只读存储器(ProgrammableR0M:PR0M)、可擦可编程只读存储器(Erasable PROM:EPR0M)、电可擦可编程只读存储器(Electrically EPROM:EEPR0M)以及闪存(Flash memory)。常见的随机存取存储器包括，静态随机存取存储器(Static RAM:SRAM)以及动态随机存取存储器(Dynamic RAM:DRAM)。存储器的存取通常是由一数据接收芯片所进行。然而，当数据接收芯片读取存储器时，若使用外部信号，则很容易受到外部噪声的干扰，因而影响数据的准确性。
技术实现思路
—种，用于数据接收芯片，该数据接收芯片包括电压产生模块，该电压产生模块包括多个电阻以及选择单元，该多个电阻彼此串联，并对操作电压进行分压，用以产生多个分压结果，该选择单元根据控制信号从该多个分压结果中选择一个作为参考电压，该控制方法包括:控制该选择单元，用以设定该参考电压为初始值；接收数据，并在操作电压下将该数据与该参考电压进行比较，用以产生比较结果；判断该比较结果是否等于预设数据；以及当该比较结果不等于该预设数据时，控制该选择单元，用以调整该参考电压。本专利技术提供的数据接收芯片所产生的参考电压能够跟踪接收信号的电压变化，从而降低误码率，并且在不同的应用中能够减少管脚的数量。为让本专利技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。【附图说明】图1A和1B为本专利技术的控制系统的示意图；图2A?2D、3A?3D为本专利技术的电压产生模块的实施例；图4为图3C所示的电压产生模块的操作流程图；图5为本专利技术的数据接收芯片的示意图。【具体实施方式】图1A为本专利技术的控制系统的示意图。控制系统100A包括外部存储器110以及数据接收芯片120A。外部存储器110可以是易失性存储器或是非易失性存储器。在一个实施例中，外部存储器110是动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，但并非用以限制本专利技术。如图所示，外部存储器110具有输入输出管脚100?107，但并非用以限制本专利技术。在其它实施例中，夕卜部存储器110具有其它数量的输入输出管脚。输入输出管脚100?107分别传送数据DQ〈0>?DQ〈7>。数据接收芯片120A耦接外部存储器110，并根据操作电压VPP以及VSS而操作。在一个实施例中，数据接收芯片120A为存储器控制器(memory controller)。在本实施例中，数据接收芯片120A包括比较模块121A以及电压产生模块122。比较模块121包括比较器CMA0?CMA7，但并非用以限制本专利技术。在其它实施例中，比较模块121具有其它数量的比较器。比较器CMA0?CMA7分别耦接输入输出管脚100?107，用以接收数据DQ〈0>?DQ〈7>，比较模块121与操作电压VPP相耦合，数据DQ〈0>?DQ〈7>经过操作电压VPP的处理，并将数据DQ〈0>?DQ〈7>与参考电压VREF作比较，用以识别数据DQ〈0>?DQ〈7>的值。举例而言，当数据DQ〈0>大于参考电压VREF，表示数据DQ〈0>为1 ;相反地，当数据DQ〈0>小于参考电压VREF，表示数据DQ〈0>为0。在本实施例中，比较器CMA0?CMA7是接收同一参考电压VREF，但并非用以限制本专利技术。在其它实施例中，比较器CMA0?CMA7中至少有一个比较器所接收的参考电压的电位不同于比较器CMA0?CMA7中的另一个。为了补偿比较模块121A与输入输出管脚100?107之间的传输线的等效阻抗，在本实施例中，数据接收芯片120A具有多个终端电阻。每一终端电阻耦接一个比较器，并接收操作电压VPP。为方便说明，图1A仅显示单一终端电阻Rodt。终端电阻Rodt耦接比较器CMA0的第一输入端，其中比较器CMA0的第一输入端接收数据DQ〈0>。在其它实施例中，为了节省成本，可省略终端电阻。电压产生模块122接收操作电压VPP与VSS，并根据操作电压VPP与VSS产生参考电压VREF。由于电压产生模块122整合在数据接收芯片120A中，故不会将外部噪声引入数据接收芯片120A。再者，数据接收芯片120A不需利用额外的接收管脚，去接收参考电压VREF，故减少数据接收芯片120A的尺寸和管脚。在本实施例中，比较器CMA0?CMA7接收同一电压产生模块如122所产生的参考电压VREF，但并非用以限制本专利技术。图1B为本专利技术的控制系统的另一示意图。图1B与图1A相似，不同之处在于，图1B中的数据接收芯片120B具有电压产生模块130?137。电压产生模块130?137分别产生参考电压VRER)?VREF7。比较器CMB0?CMB7分别接收参考电压VRER)?VREF7。本专利技术并不限定电压产生模块的数量。在其它实施例中，数据接收芯片120B可以具有其它数量的电压产生模块。在一个实施例中，电压产生模块的数量等于比较器的数量。在另一个实施例中，电压产生模块的数量少于比较器的数量。在此实施例中，电压产生模块可以向参考电压提供多个比较器。在一些实施例中，参考电压VRER)?VREF7中至少一个与另一者不同。在此实施例中，两不同的参考电压仅具有些微的电位差异，如0.5mV。上述实施例所产生的参考电压是在芯片内部，并且其与芯片内部的VPP高度同步。而比较模块也通过VPP对接收信号进行处理。从而，上述实施例所产生的参考电压能够很好地追踪接收信号的变化，从而使接收信号与参考电压的差保持恒定，能够更好地判断接收信号的值，降低误码率。图2A?2D为本专利技术的电压产生模块的实施例。在图2A中，电压产生模块200A包括电阻R1与R2。电阻R1串联电阻R2。电阻R1与R2对操作电压VPP进行分压，用以产生参考电压VREF。在图2B中，电压产生模块200B包括电阻R1?R2以及电容C0。电阻R1与R2串联于操作电压VPP与VSS之间。电容C0用以滤除操作电压VPP的噪声。在本实施例中，电容C0并联电阻R2，用以滤除高频噪声。在图2C中，电压产生模块200C包括电容C1与电阻R1?R2。电阻R1与R2串联于操作电压VPP与VSS之间。电容C1用以滤除操作电压VSS的噪声。在本实施例中，电容C1并联电阻R1，用以滤除高频噪声。在图2D中，电压产生模块200D包括电容C2?C3与电阻R1?R2。电阻R1与R2串联于操作电压VPP与VSS之间，用以产生参考电压VREF。电容C2?C3令参考电压VREF跟踪(tracking)操作电压VPP的噪声。具体地说，参考VREF具有直流分量和交流分量。其中直流分量通过电阻R1与R2对操作电压VPP进行分压后获得。交流分量只有在电路的噪声频率较高的时候存在，当电路噪声频率较低时，交流分量为零。在电路噪声频率较高时，该交流分量由电容C2?C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据接收芯片的控制方法，用于数据接收芯片，其特征在于，该数据接收芯片包括电压产生模块，该电压产生模块包括多个电阻以及选择单元，该多个电阻彼此串联，并对操作电压进行分压，用以产生多个分压结果，该选择单元根据控制信号从该多个分压结果中选择一个作为参考电压，该控制方法包括：控制该选择单元，用以设定该参考电压为初始值；接收数据，并在操作电压下将该数据与该参考电压进行比较，用以产生比较结果；判断该比较结果是否等于预设数据；以及当该比较结果不等于该预设数据时，控制该选择单元，用以调整该参考电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏全，
申请(专利权)人：上海兆芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31