一种小型化的RFID标签制造技术

本实用新型专利技术提供了一种小型化的RFID标签，所述RFID标签的天线采用双层环结构，即在RFID电感环的下方增加一个新的回路环，下层回路环和上层回路环首尾相接，本实用新型专利技术通过对天线结构的改进，既使其符合小性RFID标签的尺寸要求，又增加天线电长度和辐射面积，增加整个标签的感性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频识别领域，尤其涉及UHF频段的较小尺寸的标签。
技术介绍
RFID技术发展迅速，应用领域越来越广，产品的尺寸愈来愈趋于小型化。近年来，已提出多种小型化电子标签，多以环式或常规的对称偶极子式的天线。环式的天线，属于近场天线，虽然尺寸小了许多，能满足小型化的标签应用，但是因为读写距离很近，通常只有10公分左右，远远满足不了常规的项目应用；小型环标签因为电感环较小，造成阻抗匹配的虚部太小，难以满足芯片的阻抗匹配而造成性能太差。另外常规的对称偶极子天线，往往由于受到了天线臂长的限制，无法过多的减小产品尺寸，在实际应用过程中，无法缩小天线的设计尺寸。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种小型RFID标签，在保证较小尺寸的同时保证产品稳定性和一致性。为此，本技术采用以下技术方案:一种小型RFID标签，其特征在于所述RFID标签的天线采用双层环结构，即在RFID电感环的下方增加一个新的回路环，下层回路环和上层回路环首尾相接，以增加整个标签的感性。进一步地，所述RFID标签的芯片接入位置馈电区处于标签的上层回路环。进一步地，所述的下层回路环和上层回路环通过通孔方式导电连接。进一步地，下层回路环和上层回路环附着于中间的介质层的两面，通过介质层上的通孔导电连接。进一步地，下层回路环两侧再衍生出天线臂，增加天线电长度和辐射面积。由于采用本技术的技术方案，本技术通过对天线结构的改进，既使其符合小性RFID标签的尺寸要求，又增加天线电长度和辐射面积，增加整个标签的感性。【附图说明】图1为本技术所提供的实施例结构示意图。 图2为图1所示实施例的分解图。图3为图1所示实施例在介质层通孔处的剖视图。【具体实施方式】参照附图。本技术所提供的一种小型化的RFID标签，其天线采用双层环结构，即在RFID电感环(上层回路环I)的下方增加一个新的回路环(下层回路环2)，下层回路环2和上层回路环I首尾相接(相接处以附图标记3表示)。所述RFID标签的芯片接入位置馈电区4处于标签的上层回路环。所述的下层回路环2和上层回路环I附着于中间的FR4介质层5的两面，通过FR4介质层上的通孔50导电连接。下层回路2环向两侧再衍生出天线臂20，增加天线电长度和辐射面积。【主权项】1.一种小型化的RFID标签，其特征在于所述RFID标签的天线采用双层环结构，下层回路环和上层回路环首尾相接。2.如权利要求1所述的一种小型化的RFID标签，其特征在于所述RFID标签的芯片接入位置馈电区处于标签的上层回路环。3.如权利要求1所述的一种小型化的RFID标签，其特征在于所述的下层回路环和上层回路环通过通孔方式导电连接。4.如权利要求1所述的一种小型化的RFID标签，其特征在于所述的下层回路环和上层回路环附着于中间的介质层的两面，通过介质层上的通孔导电连接。5.如权利要求1、2、3或4所述的一种小型化的RFID标签，其特征在于下层回路环向两侧再衍生出天线臂，增加天线电长度和辐射面积。【专利摘要】本技术提供了一种小型化的RFID标签，所述RFID标签的天线采用双层环结构，即在RFID电感环的下方增加一个新的回路环，下层回路环和上层回路环首尾相接，本技术通过对天线结构的改进，既使其符合小性RFID标签的尺寸要求，又增加天线电长度和辐射面积，增加整个标签的感性。【IPC分类】G06K19/077【公开号】CN204883771【申请号】CN201520164156【专利技术人】吴夏冰, 张策 【申请人】杭州思创汇联科技有限公司, 杭州中瑞思创科技股份有限公司【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年3月23日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型化的RFID标签，其特征在于所述RFID标签的天线采用双层环结构，下层回路环和上层回路环首尾相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴夏冰，张策，
申请(专利权)人：杭州思创汇联科技有限公司，杭州中瑞思创科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33