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一种新型花瓶制造技术

技术编号:12534099 阅读:108 留言:0更新日期:2015-12-18 12:16
本实用新型专利技术公开了一种新型花瓶,花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽A,花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B,花瓶还设有流水灯电路,流水灯电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管LED1、发光二极管LED2、发光二极管LED3,本实用新型专利技术提供了一种花瓶不易滑落、带有流水灯功能的新型花瓶。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型花瓶
技术介绍
现有的花瓶其结构功能单一,只具有放置花的功能,而且现有的花瓶表面都很光滑,因此搬动花瓶的时候,容易拿不稳,从手上滑走,造成花瓶摔破,而且容易伤手,影响了人们的使用。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺陷,本技术的目的是提供一种花瓶不易滑落、带有流水灯功能的新型花瓶。本技术是采取以下技术方案来实现的:本技术的一种新型花瓶,花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽A,花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B,花瓶还设有流水灯电路,流水灯电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容Cl、电容C2、电容C3、发光二极管LED1、发光二极管LED2、发光二极管LED3,NPN三极管VTl的发射极、NPN三极管VT2的发射极NPN、三极管VT3的发射极都连接地信号GND,NPN三极管VTl的基极通过电阻Rl连接电源VCC,NPN三极管VTl的集电极通过发光二极管LEDl连接电源VCC,NPN三极管VTl的集电极还通过电容Cl连接NPN三极管VT2的基极,NPN三极管VT2的基极通过电阻R2连接电源VCC,NPN三极管VT2的集电极通过发光二极管LED2连接电源VCC,NPN三极管VT2的集电极还通过电容C2连接NPN三极管VT3的基极,NPN三极管VT3的基极通过电阻R3连接电源VCC,NPN三极管VT3的集电极通过发光二极管LED3连接电源VCC,NPN三极管VT3的集电极通过电容C3连接NPN三极管VTl的基极。本技术的电源VCC为3V。本技术的电容Cl为47微法,电容C2为47微法,电容C3为47微法,电阻R1、电阻R2、电阻R3都为47000欧姆。本技术的有益效果如下:本技术结构简单,成本低,使人的手捧花瓶时,花瓶不易滑落,本技术还带有流水灯功能,使得功能多样化。【附图说明】图1为本技术正面的结构示意图;图2为本技术背面的结构示意图【具体实施方式】下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明:如图1、图2所示,一种新型花瓶,花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽Al,花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B2,花瓶还设有流水灯电路3,流水灯电路3包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容Cl、电容C2、电容C3、发光二极管LEDl、发光二极管LED2发光二极管LED3,NPN三极管VTl的发射极、NPN三极管VT2的发射极NPN、三极管VT3的发射极都连接地信号GND,NPN三极管VTl的基极通过电阻Rl连接电源VCC,NPN三极管VTl的集电极通过发光二极管LEDl连接电源VCC,NPN三极管VTl的集电极还通过电容Cl连接NPN三极管VT2的基极,NPN三极管VT2的基极通过电阻R2连接电源VCC,NPN三极管VT2的集电极通过发光二极管LED2连接电源VCC,NPN三极管VT2的集电极还通过电容C2连接NPN三极管VT3的基极,NPN三极管VT3的基极通过电阻R3连接电源VCC,NPN三极管VT3的集电极通过发光二极管LED3连接电源VCC,NPN三极管VT3的集电极通过电容C3连接NPN三极管VTl的基极。本技术的电源VCC为3V。本技术的电容Cl为47微法,电容C2为47微法,电容C3为47微法,电阻R1、电阻R2、电阻R3都为47000欧姆。本技术结构简单,成本低,使人的手捧花瓶时,花瓶不易滑落,本技术还带有流水灯功能,使得功能多样化。需要注意的是,以上列举的仅是本技术的一种具体实施例。显然,本技术不限于以上实施例,还可以有许多变形。总之,本领域的普通技术人员能从本技术公开的内容直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本技术的保护范围。【主权项】1.一种新型花瓶,其特征在于,所述花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽A (1),所述花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B (2),所述花瓶还设有流水灯电路(3),所述流水灯电路(3)包括电阻町、电阻1?2、电阻1?3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容Cl、电容C2、电容C3、发光二极管LEDl、发光二极管LED2、发光二极管LED3,所述NPN三极管VTl的发射极、NPN三极管VT2的发射极NPN、三极管VT3的发射极都连接地信号GND,所述NPN三极管VTl的基极通过电阻Rl连接电源VCC,所述NPN三极管VTl的集电极通过发光二极管LEDl连接电源VCC,所述NPN三极管VTl的集电极还通过电容Cl连接NPN三极管VT2的基极,所述NPN三极管VT2的基极通过电阻R2连接电源VCC,所述NPN三极管VT2的集电极通过发光二极管LED2连接电源VCC,所述NPN三极管VT2的集电极还通过电容C2连接NPN三极管VT3的基极,所述NPN三极管VT3的基极通过电阻R3连接电源VCC,所述NPN三极管VT3的集电极通过发光二极管LED3连接电源VCC,所述NPN三极管VT3的集电极通过电容C3连接NPN三极管VTl的基极。2.根据权利要求1所述一种新型花瓶,其特征在于,所述电源VCC为3V。3.根据权利要求1所述一种新型花瓶,其特征在于,所述电容Cl为47微法,所述电容C2为47微法,所述电容C3为47微法,所述电阻R1、电阻R2、电阻R3都为47000欧姆。【专利摘要】本技术公开了一种新型花瓶,花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽A,花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B,花瓶还设有流水灯电路,流水灯电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管LED1、发光二极管LED2、发光二极管LED3,本技术提供了一种花瓶不易滑落、带有流水灯功能的新型花瓶。【IPC分类】H05B37/02, F21Y101/02, F21V33/00, A47G7/06【公开号】CN204862306【申请号】CN201520274824【专利技术人】葛张驰 【申请人】葛张驰【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年5月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型花瓶,其特征在于,所述花瓶正面的两侧设有大拇指形的凹槽A(1),所述花瓶背面的两侧设有四指形凹槽B(2),所述花瓶还设有流水灯电路(3),所述流水灯电路(3)包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、NPN三极管VT3、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管LED1、发光二极管LED2、发光二极管LED3,所述NPN三极管VT1的发射极、NPN三极管VT2的发射极NPN、三极管VT3的发射极都连接地信号GND,所述NPN三极管VT1的基极通过电阻R1连接电源VCC,所述NPN三极管VT1的集电极通过发光二极管LED1连接电源VCC,所述NPN三极管VT1的集电极还通过电容C1连接NPN三极管VT2的基极,所述NPN三极管VT2的基极通过电阻R2连接电源VCC,所述NPN三极管VT2的集电极通过发光二极管LED2连接电源VCC,所述NPN三极管VT2的集电极还通过电容C2连接NPN三极管VT3的基极,所述NPN三极管VT3的基极通过电阻R3连接电源VCC,所述NPN三极管VT3的集电极通过发光二极管LED3连接电源VCC,所述NPN三极管VT3的集电极通过电容C3连接NPN三极管VT1的基极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:葛张驰
申请(专利权)人:葛张驰
类型:新型
国别省市:浙江;33

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