仙客来组培快繁方法技术

本发明专利技术公开了一种仙客来组培快繁方法，属于植物组织培养技术领域，具体步骤为：选取仙客来植株的带芽花茎，切割成小段，消毒，接种至芽诱导培养基，调节光照强度和温度，培养至长出新芽，然后转接种于壮苗培养基，调节光照强度和温度，培养得壮苗，转接入生根培养基，调节光照环绕温度，培养得到仙客来组培苗，移栽至育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为，调节光照强度，炼苗培养，最后移栽至露地进行栽培。本发明专利技术缩短了仙客来的繁殖周期。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及植物组织培养
，尤其是一种。
技术介绍
仙客来(Cyclamen persicum Mill.)，别名萝卜海棠、兔耳花、兔子花、一品冠、篝火花、翻瓣莲，是报春花科、仙客来属多年生草本植物，叶片由块茎顶部生出，心形、卵形或肾形，叶片有细锯齿，叶面绿色，具有白色或灰色晕斑，叶背绿色或暗红色，叶柄较长，红褐色。仙客来是一种普遍种植的鲜花，适合种植于室内花盆，冬季则需温室种植。仙客来的某些栽培种有浓郁的香气，而有些香气淡或无香气。“仙客来” 一词来自学名Cyclamen的音译。仙客来性喜温暖，怕炎热，在凉爽的环境下和富含腐殖质的肥沃沙质壤土中生长最好。较耐寒，可耐0°c的低温不致受冻。秋季到第2年春季为其生长季节，夏季半休眠，冬季适宜的生长温度在12?16°C之间，促进开花时不应超过18?22°C，0°C以上植株将进入休眠，350C以上植株易腐烂、死亡，冬季可耐低温，但50C以下则生长缓慢，花色暗淡，开花少。冬季补充二氧化碳气体，可促进生长和开花。在生长期，要求空气湿润和日照充足的环境。仙客来的传统繁殖方式的繁殖速度慢，所以，急需寻求一种高产、优质、高效的繁殖方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，这种可以解决仙客来繁殖速度慢的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是:一种，包括以下步骤:A、选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成I厘米?1.5厘米的小段，用75%的酒精浸泡30秒?60秒，无菌水冲洗3次?5次；B、接种至芽诱导培养基，调节光照2200LUX?2500LUX，温度为23°C?26°C，培养8天?10天至长出新芽；其中，所述芽诱导培养基以MS培养基为基本培养基，添加0.95毫克/升?1.05晕克/升萘乙酸和2.95晕克/升?3.05晕克/升6-节氨基腺嘌呤；C、待所述新芽长至I厘米?2厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2300LUX?2500LUX，温度为23°C?25°C，培养13天?18天至苗高I厘米?1.5厘米；其中，所述壮苗培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25晕克/升?0.35晕克/升萘乙酸；D、将上述壮苗转接入生根培养基，调节光照2200LUX?2500Lux，温度为23°C?26°C，培养15天?20天至苗基部长出I厘米?4厘米的根，得到仙客来组培苗；所述生根养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25晕克/升?0.35晕克/升萘乙酸以及0.1晕克/升?0.2晕克/升赤霉素；E、待所述仙客来组培苗的根长至0.5厘米?I厘米时，将仙客来组培苗移栽至装有蛭石，草炭和锯末的育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为85%?90%，调节光照强度为lOOOOLux?15000Lux ;其中，蛭石，草炭，锯末的质量比为1:2:2 ;F、炼苗培养30天?45天后，将其移栽至露地进行栽培。由于采用了上述技术方案，本专利技术与现有技术相比具有如下有益效果:本专利技术以仙客来植株的带芽花茎为材料进行组织培养，大大缩短了仙客来的繁殖周期，所得种苗生长健壮，并且不受季节限制，可大面积推广。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步详述:实施例1选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成I厘米的小段，用75%的酒精浸泡30秒，无菌水冲洗5次；将所述小段接种至芽诱导培养基，调节光照2200LUX，调节温度至23°C，培养10天至长出新芽；待所述新芽长至I厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2300LUX，温度为23°C，培养18天至苗高1.5厘米；将上述壮苗转接入生根培养基，调节光照2200Lux，温度为23°C，培养20天至苗基部长出4厘米的根，得到仙客来组培苗；待所述仙客来组培苗的根长至0.5厘米时，将仙客来组培苗移栽至蛭石，草炭，锯末的质量比为I '2:2的育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为85%，调节光照强度为lOOOOLux ;炼苗培养30天后，将其移栽至露地进行栽培。本实施例中芽诱导培养基是以MS培养基为基本培养基，添加0.95毫克/升萘乙酸和3/05毫克/升6-苄氨基腺嘌呤；壮苗培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.3晕克/升萘乙酸；生根养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25晕克/升萘乙酸以及0.1毫克/升赤霉素。实施例2选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成1.5厘米的小段，用75%的酒精浸泡60秒，无菌水冲洗3次；将所述小段接种至芽诱导培养基，调节光照2500LUX，调节温度至26°C，培养8天至长出新芽；待所述新芽长至2厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2500Lux，温度为25°C，培养13天至苗高I厘米；将上述壮苗转接入生根培养基，调节光照2500Lux，温度为26°C，培养15天至苗基部长出I厘米的根，得到仙客来组培苗；待所述仙客来组培苗的根长至I厘米时，将仙客来组培苗移栽至蛭石，草炭，锯末的质量比为1:2:2的育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为90%，调节光照强度为15000Lux ;炼苗培养45天后，将其移栽至露地进行栽培。本实施例中芽诱导培养基是以MS培养基为基本培养基，添加1.05毫克/升萘乙酸和2.95毫克/升6-苄氨基腺嘌呤；壮苗培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25晕克/升萘乙酸；生根养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.3晕克/升萘乙酸以及0.2毫克/升赤霉素。实施例3选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成1.5厘米的小段，用75%的酒精浸泡45秒，无菌水冲洗4次；将所述小段接种至芽诱导培养基，调节光照2400LUX，调节温度至25°C，培养10天至长出新芽；待所述新芽长至2厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2300Lux，温度为25°C，培养15天至苗高I厘米；将上述壮苗转接入生根培养基，调节光照2400Lux，温度为25°C，培养18天至苗基部长出I厘米的根，得到仙客来组培苗；待所述仙客来组培苗的根长至I厘米时，将仙客来组培苗移栽至蛭石，草炭，锯末的质量比为1:2:2的育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为90%，调节光照强度为12000Lux ;炼苗培养40天后，将其移栽至露地进行栽培。本实施例中芽诱导培养基是以MS培养基为基本培养基，添加0.95毫克/升萘乙酸和3.05毫克/升6-苄氨基腺嘌呤；壮苗培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.3晕克/升萘乙酸；生根养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.3晕克/升萘乙酸以及0.15晕克/升赤霉素。【主权项】1.一种，其特征在于包括以下步骤: A、选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成I厘米?1.5厘米的小段，用75%的酒精浸泡30秒?60秒，无菌水冲洗3次?5次； B、接种至芽诱导培养基，调节光照2200LUX?2500LUX，温度为23°C?26°C，培养8天?10天至长出新芽；其中，所述芽诱导培养基以MS培养基为基本培养基，添加0.95毫克/升?1.05晕克/升萘乙酸和2.95晕克/升?3.05晕克/升6-节氨基腺嘌呤； C、待所述新芽长至I厘米?2厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2300LUX?2500LUX，温度为23°C?25°C，培养13天?18天至苗高I厘米?1.5厘米；其中，所述壮苗培本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种仙客来组培快繁方法，其特征在于包括以下步骤：A、选取健壮仙客来植株的带芽花茎，切割成1厘米～1.5厘米的小段，用75％的酒精浸泡30秒～60秒，无菌水冲洗3次～5次；B、接种至芽诱导培养基，调节光照2200LUX～2500LUX，温度为23℃～26℃，培养8天～10天至长出新芽；其中，所述芽诱导培养基以MS培养基为基本培养基，添加0.95毫克/升～1.05毫克/升萘乙酸和2.95毫克/升～3.05毫克/升6‑苄氨基腺嘌呤；C、待所述新芽长至1厘米～2厘米时，将其接种于壮苗培养基，调节光照2300LUX～2500LUX，温度为23℃～25℃，培养13天～18天至苗高1厘米～1.5厘米；其中，所述壮苗培养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.35毫克/升萘乙酸；D、将上述壮苗转接入生根培养基，调节光照2200Lux～2500Lux，温度为23℃～26℃，培养15天～20天至苗基部长出1厘米～4厘米的根，得到仙客来组培苗；所述生根养基以1/2MS培养基为基本培养基，添加0.25毫克/升～0.35毫克/升萘乙酸以及0.1毫克/升～0.2毫克/升赤霉素；E、待所述仙客来组培苗的根长至0.5厘米～1厘米时，将仙客来组培苗移栽至装有蛭石，草炭和锯末的育苗盘中进行炼苗培养，控制空气湿度为85％～90％，调节光照强度为10000Lux～15000Lux；其中，蛭石，草炭，锯末的质量比为1：2：2；F、炼苗培养30天～45天后，将其移栽至露地进行栽培。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韦键，
申请(专利权)人：韦键，
类型：发明
国别省市：广西;45