薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造制造技术

本发明专利技术的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板(704)。所述硅板的背面包括所述P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔附接(706)到所述硅板的背面。所述金属箔可有利地用作内置载体，用于在处理所述硅板的正面期间抓握所述硅板。另一个实施例涉及包括硅板(302)的太阳能电池，所述硅板在背面上具有P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔(306)粘合到所述硅板的背面，并且在所述金属箔与所述掺杂区域之间形成触点((604)和(606))。本发明专利技术还公开了其他实施例、方面和特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所述主题的实施例整体涉及太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及太阳能电池制造方法和结构。
技术介绍
太阳能电池是为人们所熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。太阳能电池具有在正常工作期间面向太阳以收集太阳辐射的正面，以及与正面相对的背面。照射在太阳能电池上的太阳辐射产生可用于为外部电路(诸如负载)供电的电荷。太阳能电池制造工艺通常包括涉及掩蔽、蚀刻、沉积、扩散和其他步骤的许多步骤。本专利技术的实施例提供有利的太阳能电池工艺。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板。硅板的背面包括P型掺杂区域和N型掺杂区域。将金属箔附接到硅板的背面。该金属箔可有利地用作内置载体，用于在处理硅板的正面期间抓握硅板。另一个实施例涉及包括硅板的太阳能电池，该硅板在背面上具有P型掺杂区域和N型掺杂区域。将金属箔附接到硅板的背面，并且在金属箔与掺杂区域之间形成触点。另一个实施例涉及制造太阳能电池的方法，该方法包括将金属箔附接到硅基板的背面。然后可将硅板与硅基板的背面分离。将金属箔用作内置载体，用于在处理硅板的正面期间抓握硅板。本领域的普通技术人员在阅读包括附图和权利要求书的本公开全文之后，本专利技术的这些和其他实施例、方面和特征对于他们而言将是显而易见的。【附图说明】结合以下附图考虑时，可通过参考【具体实施方式】和权利要求得到对主题的更完整理解，其中在所有这些附图中，相似标号指代类似元件。附图未按比例绘制。图1-6为示意性地示出了根据本专利技术实施例的太阳能电池的制造的剖视图。图7为根据本专利技术实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。图8为根据本专利技术的替代实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。图9为根据图8的方法制造的已制造太阳能电池的剖视图。图10为根据本专利技术实施例的在硅板背面上方的金属箔的平面视图。图11为根据本专利技术另一个实施例的制造薄硅太阳能电池的方法的流程图。【具体实施方式】在本专利技术中，提供了许多具体细节，例如设备、结构、材料和方法的例子，以提供对本专利技术实施例的全面理解。然而，所属领域的技术人员将认识到，可在不具有这些具体细节中的一个或多个具体细节的情况下实践本专利技术。在其他示例中，不显示或描述众所周知的细节以避免混淆本专利技术的方面。本公开提供使用金属箔形成薄硅太阳能电池的技术。有利地，金属箔可用作内置载体，用于在处理硅板的正面期间抓握原本易碎的硅板。随后，金属箔可再用于形成到硅板背面上的P型发射极和N型发射极的金属指和触点。图1-6为示意性地示出了根据本专利技术实施例的薄硅太阳能电池的制造的剖视图。图1示出硅基板102，其具有形成在其上的P型掺杂(P+)区域104和形成在基板102的背面上的N型掺杂(N+)区域106。在制造太阳能电池的语境中，P+掺杂区域和N+掺杂区域可被称为P型发射极和N型发射极。在图1所示的背触式太阳能电池中，发射极和对应的触点在太阳能电池的背面上。例如，可通过从掺杂剂源扩散掺杂剂来形成掺杂区域。电介质层108可形成在背面上的P+区域和N+区域上方以实现电隔离、钝化、和/或其他目的。薄电介质层108可包含例如氧化硅和/或氮化硅。另选地，可利用除形成电介质层108之外的方式，诸如通过化学钝化来钝化发射极表面。图1的太阳能电池结构可放置于离子注入设备中，该离子注入设备也被称为“离子注入机”。该注入机可用于将离子注入预定的注入深度202，如图2所描绘。离子可为氢离子(即质子)。在另选实施例中，可注入或与氢共同注入其他离子。例如，可代替氢离子注入氦离子，或可与氢离子共同注入氦离子。注入剂量在注入深度引入缺陷，使得在注入深度上方的平面硅板可与硅基板在注入深度下方的其余部分分离或剥离。注入的能量控制注入深度，并且因此控制剥离后薄硅基板的厚度。例如，注入的能量可被校准以割离出薄板，该薄板具有在10微米到100微米范围内的厚度。通过以升高的温度加热基板实现剥离。如图3所描绘，可将金属箔306附接到硅板302背面上的电介质层108。金属箔306可为铝箔。为了促进将该金属箔用作硅板的载体，金属箔306的延伸区域(抓握区域)可延伸超过硅板302的周边。在示例性具体实施中，金属箔306的组合物可为Al-1 % Si (99%的铝和I %的娃)，或更一般地为Al-X% Si，其中x%为从0%到3%。可为铝箔使用其他组合物。也可以使用除铝之外的金属箔，诸如银箔。在一个实施例中，粘合剂层304可用于将金属箔306附接到硅板302的背面。粘合剂层304可为环氧树脂、硅氧烷、乙酸乙烯酯(EVA)薄层或施加于基板背面的其他封装材料薄层。在一个具体实施中，粘合剂层可为在附接前预先施加于金属箔的涂层。在另选实施例中，可使用在金属箔306与基板的背面之间的接触点阵列将金属箔306附接到基板的背面。例如，可通过使用脉冲激光点熔金属箔，从而形成接触点。在该实施例中，不需要粘合剂层304。可通过将箔压平来去除箔下方的接触点之间的气隙。如图4所描绘，使用金属箔作为内置载体或集成载体来支撑硅板，可随后将处于硅板302正面的表面402纹理化并且钝化。表面纹理化用于增强硅表面的吸光能力，并且表面钝化用于减少表面处的电荷复合。例如，可使用湿式表面蚀刻工艺实现表面纹理化。可通过化学钝化或其他方式实现表面钝化。然后，可在硅板302的正面上执行玻璃封装工艺。图5示出使用封装材料503附接到正面的所得的玻璃层502。如图6所示，随后可在硅板302的背面上执行另外的步骤。这些步骤包括在接触孔中形成金属触点604和606以分别电耦接至对应的P+区域104和N+区域106。第一组金属触点604可为从金属箔304到P+区域104，第二组金属触点606可从金属箔304到N+区域106形成。在一个实施例中，可使用基于激光的触点形成方法来形成金属触点604和606。在这种工艺中，激光扫描器可以使脉冲激光束可控制地扫过所制造的太阳能电池的背面。脉冲激光束可形成穿过粘合剂层304和电介质层108的接触开口，并且接触开口可由来自金属箔306的熔融金属填充。此外，可在箔区域上形成指间隔608图案以将第一组金属触点604与第二组金属触点606电分离。指间隔608可被构造为使得形成触点的箔的指为互相交叉的。图7为根据本专利技术实施例的制造薄硅太阳能电池的示例性方法700的流程图。在图7的示例性方法700中，在框702处，可首先在硅晶圆上形成发射极区。硅晶圆可具有数百微米或以上的厚度并且可被称为厚支撑晶圆。发射极区包括P掺杂区域和N掺杂区域两者并且可在晶圆的背面上形成，如图1所示。在框704处，可从硅晶圆割离出薄硅板。例如，硅板可具有介于10微米与100微米之间的厚度。在一个具体实施中，可使用如关于图2所述的离子注入和剥离来执行割离。另选地，可通过从晶圆的正面剥落或蚀刻牺牲层来执行割离。在框706处，可将金属箔附接到硅板，如以上关于图3所述。特别地，可将金属箔附接到硅板的背面。金属箔可具有介于50微米与I毫米之间的厚度以为薄硅板提供机械支撑。为了促进将该金属箔用作硅板的载体，金属箔的延伸区域(抓握区域)可延伸超过硅板的周边。在一个具体实施中，可通过使用激光在金属箔与硅板之间烧蚀出触点来实现附接。在另一个具体实施中，可使用涂覆在金属箔上的薄粘合剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：从硅基板割离出硅板，其中所述硅板的背面包括P型掺杂区域和N型掺杂区域；并且将金属箔附接到所述硅板的背面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林承笵，加布里埃尔·哈利，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国;US