本发明专利技术公开了一种超宽谱高功率四脉冲串产生装置，其特征在于包括四段形成线，每段形成线之间通过环形开关串联在一起，每段形成线通过隔离电感串联充电，四段形成线串联为一个整体；形成线的输出端连接有匹配传输线，传输线与形成线之间通过环形开关连接在一起；此装置形成线的结构简单，可以任意组合成脉冲数小于等于4个脉冲的脉冲串装置；此装置产生的脉冲串的峰值功率高，可以达到GW级；产生的脉冲之间的间隔小于10ns，并且可以通过调节开关的间隙与气压控制开关的导通时间，可以实现在一定范围内调节产生脉冲的重复频率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高功率微波
，具体涉及一种利用多段形成线串联产生超宽谱高功率四脉冲串装置。
技术介绍
超宽谱微波是HPM (高功率微波)的一种，其辐射的超宽谱电磁脉冲体现出宽频带特性，较易覆盖目标的响应频率，普通的捷变频技术无法摆脱其控制；脉冲窄(瞬态)，可以渡越目标系统的保护电路，破坏或麻痹保护电路后的电子系统、计算机敏感器件和接收机前端，扰乱敌方武器引信、制导及通讯。超宽谱源消除了关于敌人导弹特性认知的需要，难于防护，美国和俄罗斯等国家都高度重视高功率超宽谱脉冲技术的研宄和开发。根据效应初步实验结果，提高脉冲的工作频率，可以降低效应物的作用阈值，据此提出产生瞬时多脉冲超宽谱技术概念，脉冲间的间隔为几ns。可以在不增加馈线、天线等功率容量的基础上，提高对效应目标的作用距离。目前已知多脉冲功率系统的原理可分为两种:一是将储能器件与可高重复频率运行的功率开关相结合，通过开关的导通与关断来实现多个脉冲的输出；另一种方式则利用多套单脉冲功率系统在不同时刻依次产生多个单脉冲，再通过相应的汇流方法将其汇聚成多脉冲串，比如串联形成线方法、硅堆隔离网络方法、利用脉冲循环的方式等。文章“Solid-state modulator R &D at LLNL，，(Internat1nal Workshop on Recent Progressof Induct1n Ac-celerators.2002.)提到，利用功率开关实现高重频，由于开关功率的限制，其脉冲幅度通常在数十kV以下。利用脉冲形成线并联方式产生脉冲串，影响脉冲重复频率的决定性因素是高压硅堆的反向恢复时间，在前面的脉冲通过后，二极管即处于导通状态，不能阻断来自其他支路的后续脉冲，因此硅堆整体的反向恢复时间决定了系统能达到的最高重复频率。文章“三脉冲功率系统模块”(强激光与粒子束，2012年第2 4卷第4期，P893-897)中的幅度可达300kV，但脉冲间隔不小于500ns。文章“利用脉冲循环产生高压多脉冲”(强激光与粒子束，2010年第22卷第3期，P474-478)在高阻约I Ι?Ω负载上得到了大于200kV的多个脉冲输出，脉冲宽度120 ns、间隔不超过400 ns。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了实现几十MHz的重复频率、几百kV的高压(在50 Ω负载)，提供一种利用串联形成线的方式产生脉冲串的装置，此装置可以产生四个脉冲串，脉冲串之间的间隔小于10ns，输出功率达到2.8GW 为实现上述目的本专利技术采用如下技术方案:一种超宽谱高功率四脉冲串产生装置，其特征在于包括四段形成线，每段形成线之间通过环形开关串联在一起，每段形成线通过隔离电感串联充电，四段形成线串联为一个整体；形成线的输出端连接有匹配传输线，传输线与形成线之间通过环形开关连接在一起； 脉冲串产生装置的具体工作过程为: 高压脉冲电源对多段脉冲形成线同时充电，通过充电电感调节每个脉冲形成线的充电时间； 当与传输线相邻的第一段形成线充电时，传输线和形成线之间形成电压差，而第二段形成线与第一段形成线之间的电压差很小，此时第一段形成线与传输线之间的环形开关导通，第一段形成线进行放电，形成第一个脉冲； 当第一段形成线上的电压为零时，第二段形成线与第一段形成线之间形成电压差，此时第二段形成线与第一段形成线之间的环形开关导通，形成第二个脉冲； 依次类推，第三个环形开关导通形成第三个脉冲，第四个环形开关导通形成第四个脉冲； 从第一个脉冲产生到第四个脉冲产生形成脉冲串。在上述技术方案中，形成线的外形为柱形结构、两端为锥形结构，包括内筒与外筒，内筒与外筒之间设置有机玻璃绝缘子，内筒的两个端面上设置密封圈，内筒与外筒形成的腔体内密封为高压气体。在上述技术方案中，环形开关设置在相邻两段形成线的内筒之间，环形开关与相邻两端形成线的内筒连接为一个整体，且环形开关被形成线的外筒包覆在内。在上述技术方案中，每段形成线串联为一体时，每段形成线的腔体内密封不同气压的高压气体。在上述技术方案中，有机玻璃绝缘子的一个表面与内筒的外表面接触，一个表面与外筒的内表面接触，绝缘子其他的表面上设置有若干道环形槽。在上述技术方案中，每个环形开关包括开关基座和开关，开关与基座之间没有间隙。在上述技术方案中，所述开关为环形，通过调节形开关的尺寸实现环形开关的间隙调整。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是:此装置形成线的结构简单，可以任意组合成脉冲数小于等于4个脉冲的脉冲串装置；此装置产生的脉冲串的峰值功率高，可以达到GW级；产生的脉冲之间的间隔小于10ns，并且可以通过调节开关的间隙与气压控制开关的导通时间，可以实现在一定范围内调节产生脉冲的重复频率。【附图说明】本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中: 图1是本专利技术的电路图； 图2是本专利技术形成线的结构图； 图3是环形开关的局部放大图； 图4是L形开关的局部放大图； 其中:Τ1、Τ2、Τ3、Τ4是形成线；??为传输线，I是环形开关I，2是锥形外筒，3是有机玻璃绝缘子，4是锥形内筒，5是环形开关II，6是基座。【具体实施方式】如图1所示，是本专利技术的电路图，其中Τ1~Τ4为结构参数相同的同轴形成线；L1~L4为形成线串联充电的隔离电感；U1、U12、UlU U5为形成线与形成线之间的环形开关；C1-C4为开关电容；T0为阻抗为10 Ω的传输线；R1为10 Ω的匹配负载电阻。...
【技术保护点】
一种超宽谱高功率四脉冲串产生装置，其特征在于包括四段形成线，每段形成线之间通过环形开关串联在一起，每段形成线通过隔离电感串联充电，四段形成线串联为一个整体；形成线的输出端连接有匹配传输线，传输线与形成线之间通过环形开关连接在一起；脉冲串产生装置的具体工作过程为：高压脉冲电源对多段脉冲形成线同时充电，通过充电电感调节每个脉冲形成线的充电时间；当与传输线相邻的第一段形成线充电时，传输线和形成线之间形成电压差，而第二段形成线与第一段形成线之间的电压差很小，此时第一段形成线与传输线之间的环形开关导通，形成第一个脉冲；然后对第一段形成线进行放电，当第一段形成线上的电压为零时，第二段形成线与第一段形成线之间形成电压差，此时第二段形成线与第一段形成线之间的环形开关导通，形成第二个脉冲；依次类推，第三个环形开关导通形成第三个脉冲，第四个环形开关导通形成第四个脉冲；从第一个脉冲产生到第四个脉冲产生形成脉冲串。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆巍，丁恩燕，杨周炳，张晋琪，吴朝阳，刘天文，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51
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