保偏光纤制造技术

本发明专利技术提供一种保偏光纤。本发明专利技术的保偏光纤具备：芯；空开间隔地配置在该芯的两侧的一对应力施加部；以及包围上述芯以及上述一对应力施加部的包覆层。上述包覆层具备：配置在上述芯的外周上的第一包覆层；配置在该第一包覆层的外周上的第二包覆层；以及配置在该第二包覆层的外周上的第三包覆层。上述芯的最大折射率比上述第一包覆层、上述第二包覆层以及上述第三包覆层的各最大折射率都大。上述第二包覆层的最大折射率比上述第一包覆层与上述第三包覆层的最大折射率都小。各上述应力施加部的热膨胀率比上述包覆层的热膨胀率大。各上述应力施加部设置为在沿着周向的位置断开上述第二包覆层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保偏光纤。
技术介绍
以往，保偏光纤用于光传输系统等中具有偏振依存性的光设备彼此的连接等。作 为这种保偏光纤，例如如专利文献1那样，在芯的两侧设置一对应力施加部，利用包覆层将 上述芯以及一对应力施加部包围。 然而，近年来，对于由上述光设备构成的模块等，小型化的要求正在提高，伴随于 此，要求在模块中使用的保偏光纤也较小地（以较小的曲率半径）弯曲来使用。 在上述现有的保偏光纤中，通过将芯与包覆层的相对折射率差设定为较大，能够 增强光向芯的封闭。由此，即便较小地弯曲保偏光纤，也能够抑制弯曲损耗变大。另外，在 上述现有的保偏光纤中，通过以接近芯的方式配置一对应力施加部，从而即便较小地弯曲 保偏光纤，也能够抑制偏振串扰（弯曲偏振串扰）变大。 另外，以往，作为较小地弯曲也能够抑制弯曲损耗、偏振串扰的增加的其他光纤， 也存在在芯区域的周围形成有多个空孔的保偏型光子晶体光纤（参照非专利文献1)。 专利文献1 :日本特开2003-337238号公报 非专利文献1 :除竹永藤宏之外，还有"宽带保偏光子晶体光纤"藤仓技术报告， 2005年4月第108号p6-9 然而，在专利文献1的保偏光纤中，存在若将芯与包覆层的相对折射率差设定为 较大则模场的直径（模场直径）变小这一问题。在该情况下，上述保偏光纤、和与其连接的 现有的光纤（单模光纤（SMF)、其他保偏光纤）的模场直径之差变大，导致上述保偏光纤与 现有的光纤的连接损耗变大。另外，若保偏光纤的模场直径变小，则该保偏光纤与光设备的 连接也变得困难。 另一方面，若是非专利文献1的保偏型光子晶体光纤，则能够将模场直径设定为 较大并且抑制较小弯曲时的弯曲损耗、偏振串扰的增加，但是保偏型光子晶体光纤制造困 难，并且也难以廉价地制造。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种保偏光纤，即便较小弯曲 也能够抑制弯曲损耗以及偏振串扰的增加，并且能够将模场直径设定为较大，并能够容易 且廉价地制造。 为了解决上述课题，本专利技术的保偏光纤具备：芯；空开间隔地配置在该芯的两侧 的一对应力施加部；以及包围上述芯以及上述一对应力施加部的包覆层，上述保偏光纤的 特征在于，上述包覆层具备：配置在上述芯的外周上的第一包覆层；配置在该第一包覆层 的外周上的第二包覆层；以及配置在该第二包覆层的外周上的第三包覆层，上述芯的最大 折射率比上述第一包覆层、上述第二包覆层以及上述第三包覆层的各最大折射率都大，上 述第二包覆层的最大折射率比上述第一包覆层与上述第三包覆层的最大折射率都小，各上 述应力施加部的热膨胀率比上述包覆层的热膨胀率大，各上述应力施加部设置为在沿着周 向的位置断开上述第二包覆层。例如，设置有将上述第二包覆层断开成两部分的应力施加 部。应力施加部配置于上述第三包覆层的一部分内以及上述第一包覆层的一部分内。 在本专利技术的保偏光纤中，包覆层通过在第一、第三包覆层之间设置折射率比它们 小的第二包覆层而构成，由此保偏光纤的关于径向的折射率的曲线成为具有槽的曲线（沟 型曲线）。 在该结构中，能够将模场的直径（模场直径）设定为较大。另外，在该结构中，由 于将模场的外缘处的有效折射率与第二包覆层的折射率之差设定为较大，所以与具有没有 槽的曲线（单峰型曲线）的光纤比较，能够实现较小弯曲时的弯曲损耗的减少。即，在本实 施方式的保偏光纤中，不用缩小模场直径就能够减少较小弯曲时的弯曲损耗。 并且，在本专利技术的保偏光纤设置有对芯施加应力从而引起双折射的一对应力施加 部。而且，通过以各应力施加部至少断开第二包覆层的程度较窄地设定一对应力施加部的 间隔，能够抑制较小弯曲时的偏振串扰（弯曲偏振串扰）的增加。 而且，在上述保偏光纤中，也可以构成为，即，上述应力施加部也可以设置为相比 上述第一包覆层与上述第二包覆层的边界向径向内侧伸出。 此时，能够进一步抑制较小弯曲时的偏振串扰的增加。 另外，在上述保偏光纤中也可以构成为，即，当将上述芯的半径设为rl并且将上 述第一包覆层的外缘的半径设为r2时，r2/rl的值为2. 5以上且4. 5以下，以上述第三包 覆层的最大折射率为基准时的上述芯的相对折射率差为0. 20%以上且0. 70%以下，并且， 当将以上述芯的中心为基准的半径设为r，将以上述第三包覆层的最大折射率为基准的上 述半径r处的相对折射率差设为△ n (r)，将上述第二包覆层的内缘的半径设为r3时，由下 述式（1)表示的上述第二包覆层的折射率体积V为25% ? ym2以上且110% ? ym2以下， 并且，各上述应力施加部的直径为30 y m以上且40 y m以下，上述一对应力施加部的间隔为 20 y m以下。 并且，在上述保偏光纤中，上述第二包覆层的折射率体积V为50% ? ym2以上。 另外，也可以构成为，即，以上述第三包覆层的最大折射率为基准时的上述第一包 覆层的相对折射率差为_〇. 10%以上且_〇. 05%以下。 也可以构成为，即，以上述第三包覆层的最大折射率为基准时的上述第二包覆层 的相对折射率差为_〇. 60%以上且-0. 20%以下。 并且，在上述保偏光纤中，也可以构成为，即，截止波长为1. 44 y m以下，在使用波 长1. 55 ym的模场直径为7. 9 ym以上，以单模传播至使用波长1. 65 ym为止的波长的光， 并且在直径l〇mm的心轴卷绕10次并测定了弯曲损耗以及偏振串扰时获得的上述述弯曲损 耗的测定值为〇. 〇5dB以下，上述偏振串扰的测定值为-30dB以下。 另外，在上述保偏光纤中也可以构成为，S卩，截止波长为1. 30ym以下，以单模传 播使用波长1.31 ym的光，在使用波长1.31 ym的模场直径为6.6 ym以上，并且在直径 10mm的心轴卷绕10次并测定了弯曲损耗以及偏振串扰时获得的上述述弯曲损耗的测定值 为0. 05dB以下，上述偏振串扰的测定值为-30dB以下。 并且，在上述保偏光纤中也可以构成为，即，截止波长为0.97 ym以下，以单模传 播使用波长〇. 98 ym的光，在使用波长0. 98 ym的模场直径为4. 7 ym以上，并且在直径 10mm的心轴卷绕10次并测定了弯曲损耗以及偏振串扰时获得的上述述弯曲损耗的测定值 为0. 05dB以下，上述偏振串扰的测定值为-30dB以下。 另外，在上述保偏光纤中也可以构成为，即，截止波长为0.84 ym以下，以单模传 播使用波长〇. 85 ym的光，在使用波长0. 85 ym的模场直径为3. 9 ym以上，并且在直径 10mm的心轴卷绕10次并测定了弯曲损耗以及偏振串扰时获得的上述述弯曲损耗的测定值 为0. 05dB以下，上述偏振串扰的测定值为-30dB以下。 根据本专利技术，能够提供即便较小弯曲也能够抑制弯曲损耗以及偏振串扰的增加并 且能够将模场直径设定为较大的保偏光纤。 另外，通过将模场直径设定为较大，能够将与现有的光纤的连接损耗抑制为较小。 并且，能够提供相比保偏型光子晶体光纤能够容易并且廉价地进行制造的保偏光纤。【附图说明】 图1是表示本专利技术的一个实施方式的保偏光纤的简要剖视图。当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保偏光纤，其具备：芯；空开间隔地配置在该芯的两侧的一对应力施加部；以及包围所述芯以及所述一对应力施加部的包覆层，所述保偏光纤的特征在于，所述包覆层具备：配置在所述芯的外周上的第一包覆层；配置在该第一包覆层的外周上的第二包覆层；以及配置在该第二包覆层的外周上的第三包覆层，所述芯的最大折射率比所述第一包覆层、所述第二包覆层以及所述第三包覆层的各最大折射率都大，所述第二包覆层的最大折射率比所述第一包覆层与所述第三包覆层的最大折射率都小，各所述应力施加部的热膨胀率比所述包覆层的热膨胀率大，各所述应力施加部设置为在沿着周向的位置断开所述第二包覆层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林和幸，井添克昭，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：日本;JP