【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种测量装置,尤其涉及一种LED芯片结构的成像测量装置。
技术介绍
通常使用的LED、特别是大功率LED由芯片、荧光粉、封装材料等组成,LED芯片中主要包含电极结构、半导体发光PN结等部件。不同品牌的LED芯片在电极设计上各有特点,既有利于更高的发光效率,又可以通过芯片电极结构差异进行区分。但LED芯片尺寸很小通常不到5mm,芯片上又涂覆荧光粉,发光时亮度高十分刺眼,以上原因使得人们难以直接观察到LED芯片电极结构的特征情况,也难以从外观上区分不同品牌不同成本的LED,这一现状导致照明产业在选用LED作原料时极易出现以次充好的不良生产情况。若采用破坏LED结构、刮去荧光粉等封装部件观察LED芯片电极形貌方法,则分析步骤繁琐、检测效率低、检测成本高,且技术专业性强,普通人员难以掌握。因此设计一种LED芯片结构的成像测量装置是十分有必要的。
技术实现思路
本技术为克服上述的不足之处,目的在于提供LED芯片结构的成像测量装置,该装置依据LED发光时芯片的电极与其他部件在发光波长、亮度等光学指标上存在一定程度区分的特性,进而通过光学原理得到LED芯片中电极 ...
【技术保护点】
LED芯片结构的成像测量装置,其特征在于包括:驱动电源(1)、导轨(2)、LED光源固定支架(3)、几何光学组件、成像部件;LED光源固定支架(3)、几何光学组件、成像部件从左到右依次轴接在导轨(2)上;驱动电源(1)用于给待测LED供电。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朱腾飞,慎月强,汪哲弘,沈斌,陈琪,
申请(专利权)人:杭州市质量技术监督检测院,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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