电压检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电压检测电路，包括：参考电流源路径及第一和二镜像路径；第一和二PMOS管，第一PMOS管的栅极和漏极、第二PMOS管的栅极连接在一起并都和第一镜像路径连接；第一PMOS管的源极连接第一电压源；第二PMOS管的漏极连接第二镜像路径，第二PMOS管的源极通过第一电阻连接到第二电压源，第二电压源为被测电压源；反相器的输入端连接第二PMOS管的漏极，反相器的输出端输出检测信号；当被测电压源的电压为触发点电压时，反相器的输出端输出低电平的检测信号，第一电阻的大小设置为触发点电压和第一电压的差除以第二电流。本发明专利技术能节约电阻面积，提高集成度，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种电压检测电路(VoltageDetector)。
技术介绍
电压检测器在集成电路中被广泛应用，如在系统级芯片(System On Chip，S0C)应用中就需要采用电压检测电路检测外部电源电压，功耗、面积是电压检测器的重要指标之一。如图1所示，是现有电压检测电路的结构示意图；被检测的电压源VDDA50通过电阻Rl和R2分压形成检测电压VDET后和参考电压VREF进行比较，比较通过比较器(CMP) 101实现，比较器采用工作电压源VDDA15，比较器的输出端输出检测信号VD_0UT。图1的电压检测可以用公式表示如下:VDDA50 X R2/ (R1+R2)即VDET与VREF比较，如果VDET大于等于VREF，则输出逻辑高即VD_0UT为I ;如果VDET小于VREF，则输出逻辑低即VD_0UT为O。现有技术中由于需要采用两个电阻分压，电阻Rl和R2的总和由被检测电压源VDDA50和电阻Rl和R2路径上的参考电流决定，用公式表示为:R1+R2 = VDDA50/IREF12，IREF12表示流过电阻Rl和R2路径上的参考电流，设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压检测电路，其特征在于，包括：参考电流源路径，提供参考电流；第一镜像路径和第二镜像路径，都为所述参考电流源路径的镜像路径，所述第一镜像路径输出的第一电流和所述第二镜像路径输出的第二电流都为所述参考电流的镜像电流；第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和漏极、所述第二PMOS管的栅极连接在一起并都和所述第一镜像路径连接；所述第一PMOS管的源极连接第一电压源；所述第二PMOS管的漏极连接所述第二镜像路径，所述第二PMOS管的源极通过第一电阻连接到第二电压源，所述第二电压源为被测电压源；反相器的输入端连接所述第二PMOS管的漏极，所述反相器的输出端为检测信号的输出端；当所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵博闻，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31