太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池结构，包含有一半导体基板；一掺杂射极层，设于该半导体基板的正面；一抗反射层，设于该掺杂射极层上；以及至少一正面总线电极，设于该抗反射层上，沿着一第一方向延伸，其中该正面总线电极上设有至少一间隙。本实用新型专利技术提供一种改良的太阳能电池结构，能够增加电池的受光面积，提升短路电流(Isc)，进而增加光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及太阳能电池结构。
技术介绍
已知，太阳能电池的工作原理是利用太阳光之辐射能源与半导体材料作用来产生电能，主要材料包括有半导体材料，如单晶硅、多晶硅、非晶硅之硅基板或II1-V族化合物之半导体材料等，以及用来作为电极之导电胶，例如，银胶或铝胶等。太阳能电池的制造方法通常先进行晶圆表面清洁与粗糙化处理，然后进行扩散制程，在晶圆表面形成磷玻璃层及掺杂射极(emitter)区域，以蚀刻制程去除磷玻璃层后，再形成抗反射层，然后，利用网印技术于电池正、背面以金属浆料网印出电极图案，然后进行高温烧结，形成电极。最后，进行串焊将电池单元串接成模块。然而，习知电池结构中，由于光线会被电池表面的电极(指电极及总线电极)所遮蔽，因而使得照射到电极区域的光线无法被有效利用。因此，该
仍须要一种改良的太阳能电池结构，以解决上述先前技艺之不足与缺点。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种改良的太阳能电池结构，能够增加电池的受光面积，提升短路电流(Isc)，进而增加光电转换效率。为实现上述目的，本技术提供一种太阳能电池结构，包含有:一半导体基板；一掺杂射极层，设于该半导体基板的正面；一抗反射层，设于该掺杂射极层上；以及至少一正面总线电极，设于该抗反射层上，沿着一第一方向延伸，其中该正面总线电极上设有至少一间隙。优选地，该间隙将该正面总线电极断开，构成一不连续的正面总线电极。优选地，另包含有至少一指电极，沿着一第二方向延伸，且该第一方向垂直该第二方向。优选地，该指电极通过该间隙。优选地，于该正面总线电极上，另设置有:一模块焊接材料层；以及一桥接部位，该桥接部位跨越该间隙，以连接该模块焊接材料层。优选地，另包含有至少一背面总线电极，设于该半导体基板的背面。优选地，另包含有一接触电极，设于该半导体基板的背面。此外，为实现上述目的，本技术还提供一种太阳能电池结构，包含有:一半导体基板；一掺杂射极层，设于该半导体基板的正面；一抗反射层，设于该掺杂射极层上；至少一正面总线电极，设于该抗反射层上，沿着一第一方向延伸，其中该正面总线电极上设有至少一间隙；以及至少一架桥，位于该间隙。优选地，该架桥的宽度介于0.1mm至1.0mm。优选地，另包含有至少一指电极，沿着一第二方向延伸，且该第一方向垂直该第二方向。优选地，该指电极与该架桥相连。本技术的太阳能电池结构透过间隙以及跨越间隙的桥接部位构成一镂空结构，如此使得太阳能模块的受光面积增加，进而达到提升光电转换效率之目的。【附图说明】图1例示本创作太阳能电池结构的剖面图；图2例示本创作太阳能电池结构的正面的总线电极及指电极；图3以局部放大侧视图例示由模块焊接材料层构成的镂空结构；图4及图5例示为本创作的其它变化型态。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。【具体实施方式】应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1，其例示本创作太阳能电池结构的剖面图。如图1所示，太阳能电池结构I包含有半导体层或半导体基板10，例如，P型掺杂硅基板或硅晶圆，其厚度例如约180-200微米左右。在半导体基板10的正面(受光面)SI另设有掺杂射极层12，例如，N型掺杂射极层，以及抗反射层14，例如氮化硅或氧化硅等。此外，半导体基板10的正面SI另设有正面总线电极24。在半导体基板10的背面S2设有背面总线电极25、背面电场层126及接触电极26。熟习该项技艺者应理解上述结构仅为例示，本创作亦可适用于其它太阳能电池结构。如前所述，习知电池结构中，由于光线会被电池正面SI的正面总线电极24所遮蔽，因而使得照射到电极区域的光线无法被有效利用。为解决这样的问题，本创作于是提出一种改良的正面总线电极设计。首先，如图2所示，在太阳能电池结构I的正面SI先网印形成正面总线电极24以及指电极36，其中，通常是以银浆网印形成正面总线电极24以及指电极36。正面总线电极24的数量不限制，可以是两条、3条或4条，彼此平行，沿着第一方向延伸，而较细的指电极36则是沿着第二方向延伸，其中第一方向垂直第二方向。根据本实施例，各正面总线电极24是不连续的，具有至少一间隙(gap) 242，例如，在图2中各总线电极24上具有三个间隙242，将各总线电极24分成四个独立段。根据本实施例，可以有至少一指电极242通过所述间隙242。根据本实施例，间隙242的宽度可以介于I根至10根指电极的宽度。图3以局部放大侧视图例示本创作的另一技术特征。如图3所示，同样的，在太阳能电池结构I的正面SI网印正面总线电极24以及指电极36。正面总线电极24的数量不限制，可以是两条、3条或4条，彼此平行，沿着第一方向延伸，而较细的指电极36则是沿着第二方向延伸，其中第一方向垂直第二方向。各正面总线电极24是不连续的，具有至少一间隙242。根据本实施例，太阳能电池结构I的不连续的正面总线电极24上另设置有一模块焊接材料层44，并透过跨越间隙242的桥接部位442连接。根据本实施例，桥接部位442与模块焊接材料层44是同时形成，一体成型的。于是，从图3可清楚看到，本创作透过间隙242以及跨越间隙242的桥接部位442构成一镂空结构，如此使得太阳能模块的受光面积增加，进而达到提升光电转换效率之目的。请参阅图4及图5，其为本创作的其它变化型态。如图4所示，太阳能电池结构Ia与图2中的太阳能电池结构I的差异在于:太阳能电池结构Ia的各间隙242设有架桥244，故太阳能电池结构Ia的正面总线电极24是连续的。此外，架桥244可以设置在正面总线电极24的同侧。其中，架桥244的宽度可以介于0.1至1.0mm。根据本实施例，指电极36可以与架桥244相连。如图5所示，太阳能电池结构Ib与图4中的太阳能电池结构Ia的差异在于:太阳能电池结构Ib架桥244是交替设置在正面总线电极24的不同侧。以上仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包含有: 一半导体基板； 一掺杂射极层，设于该半导体基板的正面； 一抗反射层，设于该掺杂射极层上；以及 至少一正面总线电极，设于该抗反射层上，沿着一第一方向延伸，其中该正面总线电极上设有至少一间隙。2.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，该间隙将该正面总线电极断开，构成一不连续的正面总线电极。3.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，另包含有至少一指电极，沿着一第二方向延伸，且该第一方向垂直该第二方向。4.如权利要求3所述的太阳能电池结构，其特征在于，该指电极通过该间隙。5.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，于该正面总线电极上，另设置有: 一模块焊接材料层；以及 一桥接部位，该桥接部位跨越该间隙，以连接该模块焊接材料层。6.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，另包含有至少一背面总线电极，设于该半导体基板的背面。7.如权利要求1所述的太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池结构，其特征在于，包含有：一半导体基板；一掺杂射极层，设于该半导体基板的正面；一抗反射层，设于该掺杂射极层上；以及至少一正面总线电极，设于该抗反射层上，沿着一第一方向延伸，其中该正面总线电极上设有至少一间隙。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘禹辉，叶忠伦，黄正凯，康仁和，
申请(专利权)人：元晶太阳能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71