一种大泡核桃扦插快速育苗方法技术

一种大泡核桃扦插快速育苗方法，包括如下步骤：(1)穗条剪切；(2)穗条浸泡与扦插；(3)穗条催芽与生根；(4)炼苗移栽。本发明专利技术大大提高大泡核桃苗生长速度和种植效益，成本低，出苗快，工艺较简单，冬春夏季可生产，适合规模化育苗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种大泡核桃苗的培养方法。
技术介绍
核桃(Juglans regia)是世界著名四大干果之一，是胡桃科胡桃属落叶乔木，在中国栽培有2000年以上的历史，形成很多品种和类型，核桃富含脂肪(70%以上)及蛋白质(20% )，是高热能营养食物，又是无胆固醇的绿色保健食品，核桃树浑身是宝，除了核桃仁有食用价值外，其树干、枝、叶、青皮等都有一定的利用价值。核桃还是大石山区石漠化治理和林业生产的经济价值极高的树种。核桃产业是变山区的资源劣势为经济优势、生态优势，造福于大石山区人民的经济产业，是一项综合效益的、长效的良性循环的生态系统工程；是一项集经济、社会、生态三效益于一体的综合农业产业。然而，核桃育苗是抑制核桃产业的瓶颈，核桃的有性繁育苗生长周期长，约10左右年才能结果，难以解决植株矮化问题，有性生殖后代性状分离现象严重，在优良品种培育推广中，人们一般采用嫁接途径解决，而核桃的嫁接又受季节限制、成活率低、技术要求高、成本大、生产管理难度大，核桃的组织培养存在不定根诱导等技术因素，生根不理想，组培对技术、设备要求较高，资金投入量大，从业人员专业技术要求高等，核桃属极难生根树种之一，普通扦插不能生根等问题限制了其应用推广。目前，大泡核桃的种植栽培主要是采用传统的嫁接法和种子实生苗进行育苗，生长周期长，占地面积大，难以实现高效快速的大规模工业化种植栽培。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种大泡核桃苗培养方法，克服现有技术难以实现高效快速的大规模工业化种植栽培的缺陷。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种大泡核桃苗培养方法，其特征在于，包括如下步骤:S1、穗条剪切:以当年生大泡核桃的健壮枝条为材料，经剪切后的穗条留2-3个芽点，上端剪平，下端对着腋芽点平滑处45度角剪成马耳形，切口不能开裂，20-30个枝条捆成一捆，下端整齐，备用；S2、穗条浸泡与扦插:穗条下切口经流水清洗3?5小时后、经0.1-1 %的高锰酸钾进行穗条消毒，转入含适量植物生长调节剂的溶液中浸泡6?12小时后，插入事先灭菌好的珍珠岩+泥炭(3:1)基质中；该浸泡溶液包括植物生长调节剂、高锰酸钾，配制方法为:高锰酸钾为穗条的消毒液，浓度为0.1-1 %，适量植物生长调节剂为500-1500ppm配制而成；S3、催芽、生根培养:定植2周后下端切口形成愈伤组织，冬天覆盖小拱棚或大棚内升温或GA对穗条进行催芽，使芽产生自身生长激素，促进生根，待展叶后喷施叶面肥，促进光合作用，促进生根。上述步骤培养温度15?25°C，光照强度1000?2000LUX，湿度在60-80% ；S4、炼苗移栽； 步骤S2?S4的培养条件:温度为15?25°C，光照强度1000?2000LUX，光照时间6?12小时/天；步骤S4的培养条件:将生有二级根的核桃植株移栽到园土 +泥炭(2:1)基质中，遮阴网遮阴，湿度60-70 %，50?90天出圃。在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，步骤S2、S3中催芽生根的所述植物生长调节剂为IBA的钾盐和/或NAA、GA，使用IBA-K浓度为500-1500ppm，使用NAA浓度为100-500ppm，使用 GA 浓度为 50_100ppm。在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，步骤SI中使用的高锰酸钾浓度为0.1%?在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，步骤S3中，生根的长度约2-8厘米，生根数为10-20 条。在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，步骤S3中的扦插基质为珍珠岩+泥炭(3:I);培养温度为20±2°C，光照强度1000?2000LUX。在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，所述植物生根调节剂为IBA-K和/或MA，使用 IBA-K 浓度为 500-1500ppm，使用 NAA 浓度为 100-500ppm。在本专利技术的大泡核桃苗培养方法中，所述核桃催芽调节剂GA，使用GA浓度为50_100ppmo实施本专利技术大泡核桃苗培养方法，与现有技术比较，其突出优点在于:生长速度和种植效益大大提高；本专利技术的方法大泡核桃苗的40天开始生根，平均生根率达50?70%，平均根数10?20条，有2级根系，3个月可出圃；而现有的大泡核桃嫁接方法一芽最多只能嫁在一个砧木上，最多长成I株苗，生长周期I年半以上；经过扦插生根后的二年苗，可以以苗繁苗，生根更快。可用每年剪下的枝条作为微材料作种源，降低生产成本，环境污染小；工艺较简单，一年四季均可生产，适合大规模育苗生产。【具体实施方式】下面将结合实施例对本专利技术作进一步说明。实施例步骤:(I)穗条剪切；(2)穗条浸泡与扦插；(3)穗条催芽与生根，(4)炼苗移栽，成活率可达70-80 %，三个月可出圃。本专利技术一种大泡核桃苗培养方法包括如下步骤:第一步，穗条剪切:以当年生大泡核桃的健壮枝条为材料，经剪切后的穗条留2-3个腋芽点，上端剪平，下端对着腋芽点处45度角剪成马耳形，切口不能开裂，20-30个枝条捆成一捆，下端整齐，备用；第二步，穗条浸泡:穗条下切口经流水清洗3?5小时后、经0.1-1 %的高锰酸钾进行穗条消毒，转入含适量植物生长调节剂的溶液中浸泡6?12小时后，插入事先灭菌好的珍珠岩+泥炭(3:1)基质中；该浸泡溶液包括植物生长调节剂、高锰酸钾，配制方法为:高锰酸钾为穗条的消毒液，浓度为0.1-1 %，适量植物生长调节剂为500-1500ppm配制而成；植物生长生长调节剂IBA-K:3_吲哚丁酸钾，是植物内源生长素，能促进细胞分裂与细胞生长，英文通用名为 indole-3-butyric acid potassium plant cell cultur，分子式为 C12H12KNO2。植物生长生长调节剂NAA: 1-Naphthaleneacetic acid，萘乙酸，简称NAA，是一种植物生长素。GA:赤霉素，基本结构是赤霉素烷。是广泛存在的一类植物激素。第三步，催芽、生根培养:定植2周后下端切口形成愈伤组织，冬天对穗条进行覆膜或加温或GA喷施催芽，使芽产生自身合成生长激素，促进生根，待展叶后喷施叶面肥，促进光合作用，促进生根，使用本专利技术50天后核桃生根率可达50-70%，生根数10-20条，根长2-8厘米，开始生有二级根。上述步骤培养温度15?25°C，光照强度1000?2000LUX，湿度在60-80% ；第四步，炼苗移栽；步骤S2?S4的培养条件:温度为15?25°C，光照强度1000?2000LUX，光照时间6?12小时/天；步骤S4的培养条件:将生有二级根的核桃植株移栽到园土 +泥炭(2:1)基质中，遮阴网遮阴，湿度60-70 %，50?90天出圃。步骤S4的培养条件为:炼苗基质园土 +泥炭质量配比(1.5?2.5):1，遮阴网进行遮阴，湿度为60-70%。实施例二本实施例与实施例一基本相同，区别在于:在步骤一中，将“扦插生根后大泡核桃的苗移栽后在大田中种植成活的枝条为材料，先经百菌清或咪鲜胺消毒后，速蘸适当的植物生长调节剂中，然后插在基质上进行培养，约20?30天后获得生根苗”。【主权项】1.，其特征在于，包括如下步骤: (1)、穗条剪切:将当年生大泡核桃的健壮枝条剪切成留2-3个腋芽的穗条，穗条上端剪平，下端对着腋芽处45度角剪成马耳形，切口不能开裂。将20-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大泡核桃扦插快速育苗方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)、穗条剪切：将当年生大泡核桃的健壮枝条剪切成留2‑3个腋芽的穗条，穗条上端剪平，下端对着腋芽处45度角剪成马耳形，切口不能开裂。将20‑30个枝条捆成一捆，下端平齐，备用；(2)、穗条浸泡与扦插：将步骤(1)获得的穗条切口用流水清洗3～5小时后，将穗条切口径0.1‑1％的高锰酸钾溶液穗条消毒后，转入IBA‑K浓度为500‑1500ppm，NAA浓度为100‑500ppm，GA浓度为50‑100ppm的溶液中浸泡6～12小时，然后再插入已灭菌的珍珠岩：泥炭＝3：1基质中，放置在培养温度15～25℃，光照强度1000～2000LUX，光照时间6～12小时/天，湿度60‑80％的大棚内进行定植培养；(3)、穗条催芽、生根培养：将步骤(2)定植穗条2周后下端切口形成愈伤组织，冬天覆盖小拱棚或大棚内升温或GA对穗条进行催芽，以促进生根，待展叶后喷施叶面肥，促进光合作用，促进生根。上述步骤培养温度15～25℃，光照强度1000～2000LUX，湿度在60‑80％；(4)、炼苗移栽：将步骤(3)获得的生根核桃植株移栽到园土：泥炭＝2：1基质中，遮阴网遮阴，湿度保持在60‑70％，50～90天出圃。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：覃国乐，谢代祖，韦英明，韦坤华，韩俊严，韦艺，田永江，韦林，
申请(专利权)人：河池学院，
类型：发明
国别省市：广西;45