本发明专利技术公开了一种基于Openpower处理器的TFF CDIMM设计方法，所述TFF CDIMM的接口采用金手指，连接到位于主板的槽位式高速连接器。本发明专利技术在小型机服务器系统中，能够有效利用通用19英寸4U 机箱的空间，将处理器的内存性能得以全面发挥，实现19”4U机箱至少安装16条，最多安装32条这样的TFF CDIMM，大大提高了系统的性能和可扩展性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及小型机服务器
，具体涉及一种基于Openp0wer处理器的TFF⑶I丽设计方法。
技术介绍
IBM从P0WER8开始，突破了以往的封闭式生态圈盈利模式，开始打造OpenPOWER联盟。POWER处理器平台是IBM 2014年4月更新的最新一代处理器平台，在制程工艺、结构设计、性能指标方面均有大幅度提升。POWERS处理器最大为12核心设计，超线程技术从上代产品的4-Way SMT提高到了 8-Way SMT,最大能够支持96线程，12颗核心共享96MB的三级缓存，另外还可以使用128MB的eDRAM四级缓存；内存方面，P0WER8总带宽高达230GB/s，同时支持事务性内存，支持Crypto&内存扩展，另外还支持PC1-E 3.0技术；功耗管理方面，P0WER8处理器在芯片内部直接集成了 VRM模块，支持内部功耗控制。Openpower处理器代号为“Turismo”，每个处理器12核心，每个核心SMT8，包含2个内存控制器，每个控制器支持挂载4个Memory Buffer芯片“Centaur”，处理器和Centaur芯片通信的高速总线为DMI，信号速率为9.6Gbps，带宽为28.8GB/s。面对如此高规格的处理器，传统的设计内存板的形式不能满足Power平台的设i+o
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:本专利技术一种基于Openpower处理器的Tall FormFactor CustomDIMM (简称“TFF CDIMM”)设计方法，设种 CustomDIMM(Dual InlineMemory Module，即双列直插式存储模块)，相对板载内存和内存板形式，提高了机箱的空间利用程度，同时提高了整机系统的性能和可靠性。本专利技术所采用的技术方案为: 一种基于 Openpower 处理器的 TFF CDIMM(Tall Form Factor CustomDIMM)设计方法，所述TFF CDIMM的接口采用金手指，连接到位于主板的槽位式高速连接器。所述TFF CDIMM 的 Centaur Memory Buffer 芯片包含 4 个 Channel，支持 DDR3/DDR4 X4/X8内存颗粒，每个通道数据位80，其中64位用于数据缓存，8位用于ECC校验，8位用于备用，尤其是备用的这8位是Openpower平台独有的功能，它可以在⑶IMM上有颗粒坏掉的情况下，启动这颗备用颗粒，大大提高了系统的RAS特性。为了更好的保护内存颗粒不受碰撞和更好的固定在连接器上，所述槽位式高速连接器两端设置有导槽，这样可以将CDIMM直接卡在导槽上，与主板端的高速连接器进行安装固定。所述TFF CDIMM高度为114mm，安装在4U机箱内，容量能够设计到64GB-256GB，不同容量的⑶IMM颗粒配置如下: 64GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，单面焊接，总计 80 个 DRAM 颗粒； 128GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒； 256GB: 16Gb (2Gb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒。在Wyatt平台4U4S机箱中，4个CPU并排安装于机箱中部位置，8X4条TFF CDIMM设置于机箱端部，能够安装32个TFF⑶IMM，实现四路服务器最大256GB*32=8TB容量内存。一种基于Openpower处理器的TFF⑶MM，所述TFF⑶MM的结构包括内存板、DRAM、Centaur Memory Buffer芯片和金手指，其中金手指设置于内存板的下端，CentaurMemory Buffer芯片位于内存板的一端的中部，DRAM在内存板中部另一端成4*9排列，沿内存板上部边缘成2*11排列，沿内存板下部靠近金手指位置成2*11排列。所述TFF CDIMM 的 Centaur Memory Buffer 芯片包含 4 个 Channel，支持 DDR3/DDR4 X4/X8内存颗粒，每个通道数据位80，其中64位用于数据缓存，8位用于ECC校验，8位用于备用。所述TFF CDIMM高度为114臟，安装在仙机箱内，容量能够设计到6468-25668，不同容量的⑶IMM颗粒配置如下: 64GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，单面焊接，总计 80 个 DRAM 颗粒； 128GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒； 256GB: 16Gb (2Gb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒。本专利技术的有益效果为:本专利技术在小型机服务器系统中，能够有效利用通用19英寸4U机箱的空间，将处理器的内存性能得以全面发挥，实现19”4U机箱至少安装16条，最多安装32条这样的TFF CDIMM，大大提高了系统的性能和可扩展性。【附图说明】图1为本专利技术TFF⑶MM结构示意图； 图2为4U4S TFF⑶I丽配置框图； 附图标记说明:1、内存板，2、Centaur Memory Buffer芯片，3、金手指，4、DRAM，5、机箱，6、CPU，7、TFF CDIMM。【具体实施方式】下面通过说明书附图，结合【具体实施方式】对本专利技术进一步说明: 实施例1: 一种基于 Openpower 处理器的 TFF CDIMM (Tall Form Factor CustomDIMM)设计方法，所述TFF CDIMM的接口采用金手指，连接到位于主板的槽位式高速连接器。实施例2: 在实施例1的基础上，本实施例所述TFF OHMM的Centaur Memory Buffer芯片包含4个Channel，支持DDR3/DDR4 X4/X8内存颗粒，每个通道数据位80，其中64位用于数据缓存，8位用于ECC校验，8位用于备用，尤其是备用的这8位是Openpower平台独有的功能，它可以在CDIMM上有颗粒坏掉的情况下，启动这颗备用颗粒，大大提高了系统的RAS特性。实施例3: 在实施例1或2的基础上，本实施例为了更好的保护内存颗粒不受碰撞和更好的固定在连接器上，所述槽位式高速连接器两端设置有导槽，这样可以将CDIMM直接卡在导槽上，与主板端的高速连接器进行安装固定。实施例4: 在实施例3的基础上，本实施例所述TFF⑶IMM高度为114mm，安装在4U机箱内，容量能够设计到64GB-256GB，不同容量的⑶IMM颗粒配置如下: 64GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，单面焊接，总计 80 个 DRAM 颗粒； 128GB:8Gb (lGb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒； 256GB: 16Gb (2Gb*8, 1600MHZ)，双面焊接，总计 160 个 DRAM 颗粒。实施例5: 如图2所示，在实施例4的基础上，本实施例在Wyatt平台4U4S机箱5中，4个CPU并排安装于机箱中部位置，8X4条TFF CDIMM设置于机箱端部，能够安装32个TFF CDIMM，实现四路服务器最大256GB*32=8TB容量内存。实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于Openpower处理器的TFF CDIMM设计方法，其特征在于：所述TFF CDIMM的接口采用金手指，连接到位于主板的槽位式高速连接器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王风谦，贡维，李鹏翀，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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