触控彩色滤光片及其制作方法、触控显示面板技术

本发明专利技术公开一种触控彩色滤光片，特别涉及一种光触控彩色滤光片，包括：基板；第一电极层，配置与该基板上，以定义出多个次像素区，且该电极层设有X电极；一半导体层，位于X电极之上；一第二电极层，位于所述半导体层之上，且该电极层设有Y电极；以及一色阻层，包括多个彩色滤光单元，分别配置于该些次像素区内。其X电极、Y电极以及其之间的半导体层形成三明治结构的光电二极管感应元件。在没有受到强光照的时候，该光电二极管处于反向截止状态，感应元件只有很小的漏电流，也就是关态，然而，当受到光照射的时候，该光电二极管产生大100倍以上的电流，此时，器件有电流通过处于开态。本发明专利技术的制程工艺不仅简单，还可以提高光触控的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及彩色滤光片及其制作方法、显示面板领域，特别涉及一种光触控彩色滤光片及其制作方法、光触控显示面板。
技术介绍
近年来，随着信息技术、无线行动通讯和信息家电的快速发展与应用，为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的，许多信息产品已有传统的键盘或鼠标等输入装置，转变为使用触控面板作为输入装置。其中，触控式液晶面板作为最流行的触控面板，已广泛的使用在个人数字助理器、智能型行动电话以及卫星导航等消费性电子产品上。现有的触控液晶面板主要以内嵌式电容式触控面板为主流产品，将触控元件与整个面板的工艺(如彩色滤光片的工艺)整合，有助于缩小整个产品的厚度，以符合产品轻薄化的趋势，但电容式触控面板在设计的时候，需要保证每一个节点电容足够的电容量。从这点分析，电容式难以做到精确的触控效果。而光学式触控液晶面板根据其半导体器件的光学特性可精确的侦测触控位置，有效地解决了电容式触控面板触控不精确的问题。现有的嵌入式光学触控面板，将感光元件设计整合到薄膜液晶显示器(TFT-LCD)的阵列工艺中，当外界的光在到达感光薄膜元件之前，要会经过触控液晶面板的彩色滤光片的上偏光板、玻璃基板、ITO以及液晶层等元件，因此会有部分的光线被吸收或反射。由于外界的环境光为非偏振光，会仅有约50%的光可通过上偏光板，因此容易造成在暗室下的触控灵敏度降低。再者，现有的光触控的触控信号导线与显示阵列基板的半导体器件在同一基板，由于需要在保证显示器开口率的情况下设置触控导线，因此，触控阵列的导线与显示阵列的导线被设置于接近的位置平行设置，这就必然产生信号的耦合导致产品不良，同时，由于复杂的半导体制造工艺，由于光电显开关的不良进一步降低了显示器阵列基板的良品率，因此量产时要提高成品率有困难。另外，在像素内嵌入触摸传感器，可利用于显示的面积部分便会减少，这又是导致画质劣化的主要原因之一。
技术实现思路
为了解决现有内置光触控液晶面板存在的缺陷，提供一种可实现尚精细度、大尺寸的触控与显示集成的一种光触控彩色滤光片，该彩色滤光片，包括:—基板；一第一电极层，配置与该基板上，以定义出多个次像素区，且该电极层设有X电极；一半导体层，位于X电极之上；一第二电极层，位于所述半导体层之上，且该电极层设有Y电极；以及 一色阻层，包括多个彩色滤光单元，分别配置于该些次像素区内。进一步，所述的半导体层包括低掺杂N型半导体和高掺杂半导体；其中，所述的低掺杂N型半导体与所述的X电极接触；所述的高掺杂半导体与Y电极接触。进一步，所述的低掺杂N型半导体的载流子浓度范围为10E14/cm_3至10E16/cm_3;所述的高掺杂半导体的载流子浓度范围为10E18/cm_3至10E20/cm_3之间。进一步，所述的X电极为金属电负性大的金属或者合金；所述的Y电极为钼、铝、钛、或铜金属。进一步，所述的X电极包括主X电极和辅X电极，且两者的厚度不同。进一步，所述的Y电极为钛与铜叠层结构。本专利技术还给出了一种触控彩色滤光片的制作方法，包括:提供一基板；形成一第一电极层于该基板上，以形成X电极图形，并定义出次像素区域；形成一半导体层于所述的X电极上；形成一第二电极层与所述的半导体层上，以形成Y电极图形；形成多个彩色滤光单元于该些次像素区域；最后在该些次像素区域形成一透明电极层。进一步，所述的X电极包括主X电极和辅X电极，形成X电极后，将辅X电极的厚度减薄，辅X电极的厚度为20纳米。进一步，所述的半导体层包括低掺杂N型半导体和高掺杂半导体；先沉积低掺杂N型半导体于X电极上，在将高掺杂半导体沉积于低掺杂N型半导体上。本专利技术还给出了一种触控显示面板，包括:上述所述的触控彩色滤光片，一显示阵列基板，一液晶层，设置于该显示阵列基板和触控彩色滤光片之间。有益效果:本专利技术设计的X电极、Y电极以及其之间的半导体层的三明治结构的光电二极管感应元件。在没有受到强光照的时候，该光电二极管处于反向截止状态，感应元件只有很小的漏电流，也就是关态，然而，当受到光照射的时候，该光电二极管产生大100倍以上的电流，此时，器件有电流通过处于开态。不仅有效的提高了暗室下的触控灵敏度，还有效地提尚了广品的良率等冋题。【附图说明】图1a为本专利技术的触控元件光电二极管的示意图；图1b为图1a的A区的局部剖面图；图2为本专利技术的彩色滤光片的局部剖面图；图3a为本专利技术的第二实施例制作方法步骤I的局部剖面图；图3b为本专利技术的第二实施例制作方法步骤2的局部剖面图；图3c为本专利技术的第二实施例制作方法步骤3的局部剖面图；图3d为本专利技术的第二实施例制作方法步骤4的局部剖面图；图3e为本专利技术的第二实施例制作方法步骤5的局部剖面图；图3f为本专利技术的第二实施例制作方法步骤6的局部剖面图；图4为本专利技术的触控显示面板的剖面图。其中，1、X电极，2、Y电极，230、半导体层，31、低掺杂N型半导体，32、高掺杂半导体，11、主X电极，12、辅X电极；220、第一电极层，230、半导体层，240、第二电极层，250、色阻层，260、绝缘平坦层，270、透明电极层，51、彩色滤光单元，200、彩色滤光片、300，显示阵列基板，400、液晶层。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。图1a为本专利技术的触控彩色滤光片的局部感测区块的触控元件光电二极管的示意图，而图1b为图1a的A区的局部剖面图，在触控元件的X电极I与Y电极2之间设有半导体层230，其中，半导体层包括低掺杂N型半导体31和高掺杂半导体32，低掺杂N型半导体31的载流子浓度为10E14/cnT3到10E16/cnT3之间，高掺杂半导体32的载流子浓度为10E18/cm_3到10E20/cm_3之间；X电极I为金属电负性大的金属或者合金，优选是金，钼金，镲，销。X电极I与低掺杂N型半导体31接触。Y电极2为钼、铝、钛、或铜，并与高掺杂半导体32接触，X电极、半导体以及Y电极形成一肖特基光电二极管感应元件。在没有受到强光照的时候，该光电二极当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控彩色滤光片，其特征在于，包括：一基板；一第一电极层，配置与该基板上，以定义出多个次像素区，且该电极层设有X电极；一半导体层，位于X电极之上；一第二电极层，位于所述半导体层之上，且该电极层设有Y电极；以及一色阻层，包括多个彩色滤光单元，分别配置于该些次像素区内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：严光能，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32