静态存储单元制造技术

一种静态存储单元，包括数据闩锁电路以及电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据。数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器分别接收第一电压以及第二电压以作为电源电压。电压供应器提供第一电压及第二电压至数据闩锁电路。其中，当位数据写入数据闩锁电路时，电压供应器依据位数据以调整第一电压或第二电压的电压值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种静态存储单元。
技术介绍
静态存储器是一种为人们所熟知的静态随机存取存储器。在已知的
中，静态存储器中的静态存储单元利用两个反向器的电路结构来形成闩锁电路，并藉此将位数据闩锁以进行储存。已知的静态存储器，随着制程技术的精进，在高精细度例如奈米制程的集成电路中，静态存储器中的静态存储单元容易因为制程参数的飘移，而产生位数据写入困难，甚至导致位数据写入失败的现象。因此，提供一种具有稳定的位数据写入能力，可高速运作，也可以抵抗制程飘移的静态存储单元为本领域设计者所重视的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术提供多种静态存储单元，有效提升其数据写入的能力。本专利技术的静态存储单元，包括数据闩锁电路以及电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据。数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器分别接收第一电压以及第二电压以作为电源电压。电压供应器耦接数据闩锁电路以提供第一电压及第二电压至数据闩锁电路。其中，当r>位数据写入数据闩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态存储单元，包括：一数据闩锁电路，用以储存一位数据，该数据闩锁电路具有相互耦接的一第一及一第二反向器，该第一及第二反向器分别接收一第一电压以及一第二电压以作为电源电压；以及一电压供应器，耦接该数据闩锁电路以提供该第一电压及该第二电压至该数据闩锁电路，其中，当一位数据写入该数据闩锁电路时，该电压供应器依据该位数据以调整该第一电压或该第二电压的电压值。

【技术特征摘要】
2013.12.10 TW 1021454521.一种静态存储单元，包括：
一数据闩锁电路，用以储存一位数据，该数据闩锁电路具有相互耦接的
一第一及一第二反向器，该第一及第二反向器分别接收一第一电压以及一第
二电压以作为电源电压；以及
一电压供应器，耦接该数据闩锁电路以提供该第一电压及该第二电压至
该数据闩锁电路，
其中，当一位数据写入该数据闩锁电路时，该电压供应器依据该位数据
以调整该第一电压或该第二电压的电压值。
2.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中该电压供应器包括：
一第一三态反向器，该第一三态反向器的输出端耦接至该第一三态反向
器的输入端以耦接至一第一输出端，该第一输出端提供该第一电压至该第一
反向器；以及
一第二三态反向器，该第二三态反向器的输出端耦接至该第二三态反向
器的输入端以耦接至一第二输出端，该第二输出端提供该第二电压至该第二
反向器，
其中，当该位数据写入该数据闩锁电路时，该第一三态反向器以及该第
二三态反向器的其中之一依据该位数据被致能。
3.根据权利要求2所述的静态存储单元，其中该电压供应器还包括：
一第一开关，耦接在该第一输出端以及一参考电压间，依据该位数据以
及一写入信号以导通或断开；以及
一第二开关，耦接在该第二输出端以及该参考电压间，依据该位数据以
及该写入信号以导通或断开。
4.根据权利要求3所述的静态存储单元，其中该第一电压及该第二电压
分别为该第一反向器以及该第二反向器的操作电压，且该参考电压为一电源
操作电压，其中当该第一三态反向器被致能时，该第一电压的电压值被调降，
当该第二三态反向器被致能时，该第二电压的电压值被调降。
5.根据权利要求3所述的静态存储单元，其中该第一电压及该第二电压
分别为该第一反向器以及该第二反向器的参考接地电压，该参考电压为一电
源接地电压，其中当该第一三态反向器被致能时，该第一电压的电压值被调

\t升，当该第二三态反向器被致能时，该第二电压的电压值被调升。
6.根据权利要求2所述的静态存储单元，其中各该第一及第二三态反向
器包括：
一第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第一晶体管的第一
端耦接至一第一参考电压，该第一晶体管的控制端与第二端相互耦接；
一第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第二晶体管的第一
端耦接至该第一晶体管的第二端，该第二晶体管的控制端耦接至该第二晶体
管的第一端；以及
一第三晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第三晶体管的第一
端耦接至该第二晶体管的第二端，该第三晶体管的第二端耦接至一第二参考
电压，该第三晶体管的控制端耦接至一逻辑运算结果，
其中，该逻辑运算结果依据该一写入信号以及该位数据进行逻辑运算所
产生，该第一晶体管与该第二晶体管的型态互补。
7.根据权利要求6所述的静态存储单元，其中各该第一及第二三态反向
器还包括：
一第四晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中该第四晶体管的
第一端与控制端相耦接，该第四晶体管串接在该第一参考电压及该第一晶体
管的第一端间，或该第四晶体管串接在该第二晶体管的第二端及该第三晶体
管的第一端间。
8.根据权利要求6所述的静态存储单元，其中各该第一及第二三态反向
器还包括：
一第四晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中该第四晶体管的
第一端与控制端相耦接，该第四晶体管串接在该第一参考电压及该第一晶体
管的第一端间；以及
一第五晶体管，该第五晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中该
第五晶体管的第一端与控制端相耦接，该第五晶体管串接在该第二晶体管的
第二端及该第三晶体管的第一端间。
9.根据权利要求6所述的静态存储单元，其中该电压供应器还包括：
一逻辑运算电路，针对该写入信号以及该位数据进行逻辑运算，以及，
针对该写入信号以及该位数据的反向进行逻辑运算以产生该逻辑运算结果。
10.根据权利要求2所述的静态存储单元，其中该第一三态反向器包括：
一第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第一晶体管的第一
端耦接至一第一参考电压，该第一晶体管的控制端与第二端相互耦接；
一第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第二晶体管的第一
端耦接至该第一晶体管的第二端，该第二晶体管的控制端耦接至该第二晶体
管的第一端；
一第三晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第三晶体管的第一
端耦接至该第二晶体管的第二端，该第三晶体管的控制端接收一写入信号；
以及
一第四晶体管，有第一端、第二端以及控制端，该第四晶体管的第一端
耦接至该第三晶体管的第二端，该第四晶体管的第二端耦接至一第二参考电
压，该第四晶体管的控制端接收该位数据的反向；
该第二三态反向器包括：
一第五晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第五晶体管的第一
端耦接至该第一参考电压，该第五晶体管的控制端与第二端相互耦接；
一第六晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第六晶体管的第一
端耦接至该第五晶体管的第二端，该第六晶体管的控制端耦接至该第六晶体
管的第一端；
一第七晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，该第七晶体管的第一
端耦接至该第六晶体管的第二端，该第七晶体管的控制端接收该写入信号；
以及
一第八晶体管，有第一端、第二端以及控制端，该第八晶体管的第一端
耦接至该第七晶体管的第二端，该第八晶体管的第二端耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄景德，张智皓，钟兆贵，卢建宇，周世杰，杜明贤，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71