一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法技术

一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法，属于分析检测技术领域。为了寻找一种科学准确检测、定量氟喹诺酮类(FQs)在动物源性食品家畜、家禽和水产动物残留超标，采用牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物即采用牺牲硅胶模板法，合成具有高传质动力学、高选择性、高亲和力的中空材料作为吸附剂，用来富集和选择性分离氟喹诺酮类药物，结合HPLC-UV检测，取得了很好的效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种牺牲二氧化硅基质法合成中空分子印迹聚合物的方法，其特征在于采用牺牲硅胶模板法，以二氧化硅纳米微球为基质并牺牲该基质，以氧氟沙星为模板的中空印迹材料合成中空材料作为吸附剂，用来富集和选择性分离牛奶中氟喹诺酮类药物，其具体合成方法如下：1）步骤1、合成二氧化硅微球：量取0.92mL（860mg）四乙氧基硅烷（TEOS）溶于54mL 无水乙醇中，缓慢滴加入1.00mL 浓氨水（NH3浓度25%‑28%）, 再加入1.00mL 超纯水，保持250rpm搅拌速度，室温搅拌4小时，静置15000rpm离心三次除去上清液中未反应物质，收集沉淀重新分散于乙醇中，4000rpm 离心去除大块颗粒，留下上清液...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周春红，汤万进，张海霞，
申请(专利权)人：甘肃省产品质量监督检验中心，
类型：发明
国别省市：甘肃;62