一种M‑Bus接口电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种M‑Bus接口电路，解决了目前的M‑BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。本发明专利技术实施例的M‑Bus接口电路包括：提取演示文稿大纲，并解析所述大纲的层级；提取所述大纲中的第一层级及其层级名称；对所述第一层级建立基于所述层级名称相对应的文稿目录。

【技术实现步骤摘要】
一种M-Bus接口电路
本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种M-Bus接口电路。
技术介绍
仪表总线(meterbus,M-Bus)是一种新型总线结构，M-Bus主要特点是经由两条无极性传输线来同时供电和传输串行数据，而各个子站(以不同的ID确认)并联在M-Bus总线上。将M-Bus用于各类仪表或相关装置的能耗类智能管理系统中时，可对相关数据或信号进行采集并传递至集中器，然后再通过相应的接口传至主站。利用M-Bus可大大简化住宅小区，办公场所等能耗智能化管理系统的布线和连接，且具有结构简单、造价低廉、可靠性高的特点。由M-Bus构成的能耗智能化管理系统由终端数据或信号采集子站及其M-Bus收发电路、M-Bus总线、主站及其M-Bus转换器等组成。目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，电路非常复杂，从而导致故障率高，及成本很高的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种M-Bus接口电路，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。本专利技术实施例提供的一种M-Bus接口电路，包括：电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13；所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Q1的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻R10一端连接，所述电阻R10的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻R11串联，所述电阻R11的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和所述R13的连接处连接。可选地，所述MCU的接收端连接有电阻R1，并连接在所述电阻R2和所述三极管Q1的集电极之间。可选地，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极之间串联有电阻R6。可选地，所述电源VDD与所述三极管Q2和所述电阻R6并联有两个串联连接的电阻R4和R5。可选地，所述三极管Q1的发射极接地，基极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端连接。可选地，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端的连接处连接有一个二极管D1。可选地，所述电阻R11还并联有电容C2。可选地，所述三极管的Q4的基极和发射极之间并联有电容C1。可选地，所述电阻R12并联连接有串联形式的过流保护器件和二极管D3；所述二极管D3为ESD保护二极管。可选地，所述电阻R12还并联有二极管D4；所述二极管D4为TVS保护二极管。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：本专利技术实施例提供了一种M-Bus接口电路，包括：电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13；MCU的发送端与电阻R8的一端连接，MCU的接收端连接在电阻R2的一端和三极管Q1的集电极之间，电阻R2的另一端与MCU的电源端连接；电源VDD与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的基极与三极管的Q4的集电极连接，三极管Q4的基极与电阻R10一端连接，电阻R10的另一端分别与电阻R9的一端和电阻R8的另一端连接，电阻R9的另一端与MCU的电源端连接；三极管Q2的集电极与电阻R13一端连接，三极管Q3的发射极连接在三极管Q2的集电极与电阻R13一端的之间，电阻R13的另一端连接有三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极与电阻R7的一端，电阻R7和电阻R11串联，电阻R11的另一端接地，与三极管Q4的发射极连接，与电阻R12的一端连接，电阻R12的另一端与三极管Q3的基极和R13的连接处连接。本实施例中，通过电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13的连接，便实现了仅需一个电源VDD，即正电源，进行M-Bus接口的连接，使得基于M-Bus标准实现M-BUS的数据传输，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例中提供的一种M-Bus接口电路的连接结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种M-Bus接口电路，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。为使得本专利技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术实施例中提供的一种M-Bus接口电路的一个实施例包括：电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13，可以理解的是，前述的电源VDD为M-Bus的电源，例如电压值可以是36VDC～42VDC，前述的MCU可以是单片机；所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Q1的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻R10一端连接，所述电阻R10的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻R11串联，所述电阻R11的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种M‑Bus接口电路，其特征在于，包括：电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13；所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Q1的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻R10一端连接，所述电阻R10的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻R11串联，所述电阻R11的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和所述R13的连接处连接。

【技术特征摘要】
1.一种M-Bus接口电路，其特征在于，包括：电源VDD，MCU，4个三极管Q1、Q2、Q3、Q4，8个电阻R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13；所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Q1的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻R10一端连接，所述电阻R10的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13一端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻R11串联，所述电阻R11的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和所述R13的连接处连接；所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端的连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，
申请(专利权)人：从兴技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44