多模式可配置发射器电路制造技术

技术编号:11529161 阅读:86 留言:0更新日期:2015-05-31 17:48
本申请涉及多模式可配置发射器电路。本发明专利技术揭示用于配置发射器电路以支持多个模式及/或频带的方法及设备。在一实施例中,通过可控制开关选择性地旁路发射(TX)信号路径中的前置驱动放大器(pDA)。可基于所述发射器电路的操作模式来控制所述开关。本发明专利技术还揭示用于选择性地将驱动放大器(DA)的输出耦合到多个芯片外连接中的至少一者的其它技术,其中每一连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件。

【技术实现步骤摘要】
多模式可配置发射器电路分案申请的相关信息本案是一件分案申请。本案的母案是国际申请号为PCT/US2009/052579、申请日为2009年8月3日、PCT申请进入中国国家阶段后申请号为200980130506.1、专利技术名称为“多模式可配置发射器电路”的专利技术专利申请案。
本专利技术涉及集成电路(IC),且更具体地说,涉及用于设计多模式可配置发射器电路的技术。
技术介绍
现代无线通信装置通常使用若干不同通信协议或标准中的一者来支持在多个频率范围或“频带”上的信号发射及接收。举例来说,可能需要单一蜂窝式电话使用用于蜂窝式电话的WCDMA、CDMA、GSM、EDGE及LTE标准中的任一者或全部在由蜂窝式服务提供者分配给这些通信的若干频带中的任一者上进行通信。支持每一模式及频带的射频(RF)电路通常必须满足不同的时常冲突的设计约束。举例来说,在GSM中,针对发射电路的输出功率要求相对较高,且频带外杂散发射要求相对较严格。然而,GSM信号的峰值对平均值比(PAR)相对较低,因此不对发射器电路要求高度线性。另一方面,WCDMA信号的PAR相对较高,从而强制要求发射器具有高度线性。为了适应由装置支持的各种标准及频带的不同RF要求,通常在同一装置中提供多个发射(TX)信号路径,每一信号路径是针对特定标准/频带而设计的。这需要在单一装置中将特定组件电路(例如,TX滤波器及放大器)复制多次,从而导致较大裸片面积及较高成本。将需要具有用于提供可根据多个标准及/或频带灵活操作同时避免组件电路的不必要复制的无线通信装置的技术。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种用于配置用于通信装置的发射器的方法,所述方法包含:将发射(TX)信号提供到前置驱动放大器(pDA)的输入,所述pDA具有pDA输出,所述pDA由pDA控制信号选择性地接通及断开;将所述pDA输出耦合到驱动放大器(DA)的输入,所述DA具有DA输出;提供使pDA输入及pDA输出分流的旁路开关,所述旁路开关由旁路控制信号控制;在第一操作模式期间,设定所述旁路控制信号以接通所述旁路开关,且设定所述pDA控制信号以断开所述pDA;及在第二操作模式期间,设定所述旁路控制信号以断开所述旁路开关,且设定所述pDA控制信号以接通所述pDA。本专利技术的另一方面提供一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:前置驱动放大器(pDA),其具有耦合到发射(TX)信号的pDA输入,所述pDA具有pDA输出,所述pDA由pDA控制信号选择性地接通及断开;驱动放大器(DA),其具有耦合到所述pDA输出的DA输入,所述DA具有DA输出;旁路开关,其使所述pDA输入及所述pDA输出分流,所述旁路开关由旁路控制信号控制,所述旁路控制信号经配置以在第一操作模式期间设定所述旁路控制信号以接通所述旁路开关并断开所述pDA且在第二操作模式期间设定所述旁路控制信号以断开所述旁路开关并接通所述pDA。本专利技术的又一方面提供一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:前置驱动放大器(pDA),其具有耦合到发射(TX)信号的pDA输入,所述pDA具有pDA输出,所述pDA由pDA控制信号选择性地接通及断开;驱动放大器(DA),其具有耦合到所述pDA输出的DA输入,所述DA具有DA输出;及用于在第一操作模式期间旁路所述pDA并断开所述pDA且在第二操作模式期间不旁路所述pDA并接通所述pDA的装置。本专利技术的又一方面提供一种用于配置用于通信装置的发射器的方法,所述方法包含:将发射(TX)信号提供到驱动放大器(DA)的输入,所述DA具有DA输出;将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接,每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关;及基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。本专利技术的又一方面提供一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:驱动放大器(DA),其具有DA输出;多个可选择芯片外连接,每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关;及芯片外连接控制信号,其用于接通所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。本专利技术的又一方面提供一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:驱动放大器(DA),其具有DA输出;及用于选择性地将所述DA输出耦合到多个芯片外连接中的一者的装置。附图说明图1描绘用于通信电路的现有技术发射器(TX)信号路径的实施方案。图1A描绘例如参看图1而描述的现有技术TX信号路径的特定实施方案。图1B描绘其中图1的TX信号路径进一步耦合到SAW滤波器150及PA160的实施方案。图1C描绘其中省略pDA及外部SAW滤波器两者的TX信号路径实施方案。图2描绘根据本专利技术的可配置TX信号路径的实施例。图2A描绘作为NMOS晶体管的旁路开关的特定实施例。图3描绘本专利技术的另一方面,其中DA130的输出耦合到多个可选择芯片外连接,每一芯片外连接将TX电路耦合到一组不同芯片外组件。图3A描绘参看图3而描述的技术的实施例,其特写耦合到多个可选择芯片外连接的开关的特定实施方案。图4展示用于图2及图3中所描绘的发射器电路的可能配置设定的实例。图5描绘根据本专利技术的方法的实施例。具体实施方式图1描绘用于通信电路的现有技术发射器(TX)信号路径的实施方案。在图1中,将基带输入信号BBI(同相)及BBQ(正交相)提供到低通滤波器103.1及103.2。将所述低通滤波器的输出信号提供到混频器104.1及104.2,混频器104.1及104.2通过将经滤波的基带信号分别乘以本机振荡器信号LOI及LOQ而将其调制到较高频率。将混频器104.1及104.2的差分输出组合并耦合到平衡-不平衡变换器101的平衡-不平衡变换器初级元件101.1。平衡-不平衡变换器101还包括电磁耦合到平衡-不平衡变换器初级元件101.1的平衡-不平衡变换器次级元件101.2。平衡-不平衡变换器101用以将跨越平衡-不平衡变换器初级元件101.1的差分信号转换成在平衡-不平衡变换器次级元件101.2的节点101.2a处的单端型信号,其中平衡-不平衡变换器次级元件101.2的另一节点101.2b耦合到接地电压。在图1中,平衡-不平衡变换器初级元件及次级元件展示为互相耦合的电感器,但本专利技术的技术无需限于将平衡-不平衡变换器实施为互相耦合的电感器。在图1中,平衡-不平衡变换器次级元件101.2的节点101.2a耦合到前置驱动放大器(pDA)120,继之以驱动放大器(DA)130。在一实施例中,可使用DA130的输出来经由芯片外连接140驱动功率放大器(PA)及/或其它芯片外组件。在一实施方案中,DA130的输出可在无额外功率放大级的情况下直接驱动芯片外天线以用于进行空中信号发射。所属领域的技术人员将认识到,芯片外连接140可以多种方式实本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于配置用于通信装置的发射器的方法,所述方法包含:将发射(TX)信号提供到驱动放大器(DA)的输入,所述DA具有DA输出;将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接,每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的对应芯片外连接开关;及基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。

【技术特征摘要】
2008.08.01 US 12/184,3411.一种用于配置用于通信装置的发射器的方法,所述方法包含:
如果前置驱动放大器pDA是接通的,则将发射TX信号提供到所述pDA的输入以生成pDA输出信号并进一步将所述pDA输出信号提供至驱动放大器DA的输入,或者如果所述pDA是断开的,则将所述TX信号提供至所述DA的所述输入,其中所述pDA基于不同的通信标准而选择性地接通或者断开,所述DA具有DA输出;
将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接,所述多个可选择芯片外连接的每一者将所述DA输出耦合到多组芯片外组件的每一组,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关,所述多个可选择芯片外连接的每一者对应于所述不同的通信标准中的相应一者;及
基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者以由对应组的芯片外组件执行与所启用的芯片外连接对应的通信标准。


2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含:
将所述DA输出耦合到多个厚氧化物PMOS装置的漏极,每一PMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含:
将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极;及
将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极。


3.根据权利要求2所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接进一步包含:
将所述多个可选择芯片外连接中的每一者耦合到对应NMOS装置的漏极,每一NMOS装置的源极耦合到接地电压;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的所述至少一者包含:
将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极;及
将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极。


4.根据权利要求1所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含:
经由对应AC耦合电容器将所述DA输出耦合到多个厚氧化物NMOS装置的漏极,每一NMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含:
将高电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极;及
将低电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极。


5.一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:
前置驱动放大器pDA,其具有pDA输入和pDA输出,所述pDA基于不同的通信标准而选择性地接通及断开;
驱动放大器DA,其具有DA输入和DA输出,其中所述DA输入耦合至所述pDA输出,
其中如果所述pDA是接通的,则将发射TX信号提供到所述pDA输入以生成pDA输出信号并进一步将所述pDA输出信号提供至所述DA输入,或者如果所述pDA是断开的,则将所述TX信号提供至所述DA输入;及
多个可选择芯片外连接,所述多个可选择芯片外连接的每一者将所述DA输出耦合到多组芯片外组件的每一组,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关,其中所述多个可选择芯片外连接的每一者对应于所述不同的通信标准中的相应一者,且其中所述多个可选择芯片外连接中的至少一者经配置以基于芯片外连接控制信号而被接通以由对应组的芯片外组件执行与所接通的芯片外连接对应的通信标准。


6.一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:
前置驱动放大器pDA,其具有pDA输入和pDA输出,所述pDA基于不同的通信标准而选择性地接通及断开;
驱动放大器DA,其具有DA输入和DA输出,其中所述DA输入耦合至所述pDA输出,
其中如果所述pDA是接通的,则将发射TX信号提供到所述pDA输入以生成pDA输出信号并进一步将所述pDA输出信号提供至所述DA输入,或者如果所述pDA是断开的,则将所述TX信号提供至所述DA输入;
用于选择性地将所述DA输出耦合到多...

【专利技术属性】
技术研发人员:秋参·纳拉通桑卡兰·阿尼鲁丹
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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