本实用新型专利技术提供了一种延长半导体器件寿命的调光器，包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RD1的一端与电源端连接，光敏电阻RD1的另一端与电阻R1的一端、比较器U1A的正极输入端和比较器U1B的正极输入端连接，比较器U1A的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器U1A的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻R1的另一端接地，比较器U1B的负极输入端与第二参考电压端连接。本实用新型专利技术避免了可控硅器件的电源消耗和损坏。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及照明控制设备领域，特别指一种延长半导体器件寿命的调光器。
技术介绍
现有的调光器的调光控制完全由半导体器件，如可控硅或者IGBT，MOS管等。通过控制半导体器件的通断来实现开关和调光。这有两个缺点，一是半导体器件本省要消耗一定的功率，这会导致器件的发热量较大，特别是在100%亮度输出时；第二就是半导体设备在负载发生短路时很容易因无法承受大电流的冲击发生烧毁，烧毁后可能发生短路或者断路，这样就造成控制的回路要不完全不亮，要不常亮。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种延长半导体器件寿命的调光器。本技术是这样实现的:一种延长半导体器件寿命的调光器，包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RDl的一端与电源端连接，光敏电阻RDl的另一端与电阻Rl的一端、比较器UlA的正极输入端和比较器UlB的正极输入端连接，比较器UlA的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器UlA的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻Rl的另一端接地，比较器UlB的负极输入端与第二参考电压端连接，比较器UlB的输出端与继电器RLl的一输入端连接，继电器RLl的另一输入端接地，所述供电输入端与半导体器件的输入端和继电器RL2的一输出端连接，继电器RL2的另一输出端与半导体器件的输出端、继电器RLl的一输出端连接，继电器RLl的另一输出端与供电输出端连接，所述第一参考电压大于第二参考电压，所述光敏电阻RDl用于接收电光元件的光照，所述光敏电阻RDl的阻值随光照强度增大而减少。本技术的优点在于:在调到100%亮度时使半导体器件不消耗功率，而且在半导体器件发生烧毁时仍能实现开关。【附图说明】下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1是本技术的结构示意图。【具体实施方式】为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1所示，一种延长半导体器件寿命的调光器，包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RDl的一端与电源端连接，光敏电阻RDl的另一端与电阻Rl的一端、比较器UlA的正极输入端和比较器UlB的正极输入端连接，比较器UlA的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器UlA的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻Rl的另一端接地，比较器UlB的负极输入端与第二参考电压端连接，比较器UlB的输出端与继电器RLl的一输入端连接，继电器RLl的另一输入端接地，所述供电输入端与半导体器件的输入端和继电器RL2的一输出端连接，继电器RL2的另一输出端与半导体器件的输出端、继电器RLl的一输出端连接，继电器RLl的另一输出端与供电输出端连接，所述光敏电阻RDl用于接收电光元件的光照，所述光敏电阻RDl的阻值随光照强度增大而减少。其中，PWM输出端现有调光器用于输出调光用的PWM波，半导体器件可以为MOS管等半导体开关器件，半导体器件负责传统的调光输出驱动，电光元件如电灯、LED灯等可以将电转为光的元件，与光面电阻RDl连接的电源端为直流电源端，可以为5V等。本技术在使用时，刚开始PWM输出端输出的PWM波的占空比比较低时，电光元件的光照强度较低，光敏电阻RDl的电阻较大。光敏电阻RDl和电阻Rl的连接处形成的电压很低，此时电压小于第一参考电压和第二参考电压，比较器UlA和UlB都不输出，继电器RLl和继电器RL2都断开，半导体器件的输出端的电压没办法经过继电器RLl到达供电输出端，此时即使是半导体器件击穿，PWM输出端也可以关断供电输出端，即可以关断与供电输出端连接的用电器。当PWM波的占空比比较相对正常时，光敏电阻RDl和电阻Rl的连接处形成的电压在第一参考电压和第二参考电压之间，比较器UlA不输出，比较器UlB输出，则继电器RL2不导通，继电器RLl导通，半导体器件可以正常控制供电输出端，即PWM输出端可以正常控制用电器进行调光。当PWM波的占空比比较高(如100% )时，光敏电阻RDl和电阻Rl的连接处形成的电压大于第一参考电压和第二参考电压之间，则继电器RLl和继电器RL2导通，继电器RL2输出端短路半导体器件的输入端和输出端，半导体器件无电流流过，可以避免在PWM输出端的占空比较高时半导体器件温度高，容易损坏的问题。其中，第一参考电压端和第二参考电压端可以通过电阻对电压进行分压得到，第一参考电压端和第二参考电压端可以分别选择PWM输出端的占空比为95 %和5 %时在电阻Rl和光敏电阻RDl连接处形成的电压。其他器件的选用可以如图1所示。以上所述实施方式，只是本技术的较佳实施方式，并非来限制本技术实施范围，故凡依本技术申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括本技术专利申请范围内。【主权项】1.一种延长半导体器件寿命的调光器，其特征在于:包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RDl的一端与电源端连接，光敏电阻RDl的另一端与电阻Rl的一端、比较器UlA的正极输入端和比较器UlB的正极输入端连接，比较器UlA的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器UlA的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻Rl的另一端接地，比较器UlB的负极输入端与第二参考电压端连接，比较器UlB的输出端与继电器RLl的一输入端连接，继电器RLl的另一输入端接地，所述供电输入端与半导体器件的输入端和继电器RL2的一输出端连接，继电器RL2的另一输出端与半导体器件的输出端、继电器RLl的一输出端连接，继电器RLl的另一输出端与供电输出端连接，所述第一参考电压大于第二参考电压，所述光敏电阻RDl用于接收电光元件的光照，所述光敏电阻RDl的阻值随光照强度增大而减少。【专利摘要】本技术提供了一种延长半导体器件寿命的调光器，包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RD1的一端与电源端连接，光敏电阻RD1的另一端与电阻R1的一端、比较器U1A的正极输入端和比较器U1B的正极输入端连接，比较器U1A的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器U1A的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻R1的另一端接地，比较器U1B的负极输入端与第二参考电压端连接。本技术避免了可控硅器件的电源消耗和损坏。【IPC分类】H05B37-02【公开号】CN204362366【申请号】CN201420829238【专利技术人】林碧琴 【申请人】福州汇智集佳电子技术有限公司【公开日】2015年5月27日【申请日】2014年12月23日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种延长半导体器件寿命的调光器，其特征在于：包括PWM输出端、供电输入端、半导体器件，所述PWM输出端与半导体器件的控制端和电光元件的一端连接，电光元件的另一端接地，光敏电阻RD1的一端与电源端连接，光敏电阻RD1的另一端与电阻R1的一端、比较器U1A的正极输入端和比较器U1B的正极输入端连接，比较器U1A的负极输入端与第一参考电压端连接，比较器U1A的输出端与继电器RL2的一输入端连接，继电器RL2的另一输入端接地，电阻R1的另一端接地，比较器U1B的负极输入端与第二参考电压端连接，比较器U1B的输出端与继电器RL1的一输入端连接，继电器RL1的另一输入端接地，所述供电输入端与半导体器件的输入端和继电器RL2的一输出端连接，继电器RL2的另一输出端与半导体器件的输出端、继电器RL1的一输出端连接，继电器RL1的另一输出端与供电输出端连接，所述第一参考电压大于第二参考电压，所述光敏电阻RD1用于接收电光元件的光照，所述光敏电阻RD1的阻值随光照强度增大而减少。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林碧琴，
申请(专利权)人：福州汇智集佳电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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