【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种闪存存储系统的写数据方法,其特征是,所述闪存存储系统包括缓存、主控模块、缓存元数据记录表和写映射表;其中,所述写映射表用于存储在缓存中写入逻辑存储块与物理存储块的对应关系,所述缓存元数据记录表用于存储元数据表地址、物理存储块和后端闪存地址之间的对应关系;所述闪存存储系统的写数据方法包括如下步骤:S1,所述主控模块接收前端应用发出的将第一写入逻辑存储块中的数据写入第一后端闪存地址的命令;S2,所述主控模块读取所述写映射表,获取与所述第一写入逻辑存储块对应的所述缓存中的第一物理存储块;S3,所述主控模块对所述第一后端闪存地址进行计算,获得与所述第一后端闪存地址对应的第一元数据表地址;S4,所述主控模块读取所述缓存元数据记录表,获取与所述第一元数据表地址对应的当前后端闪存地址;S5,所述主控模块判断所述第一后端闪存地址与当前后端闪存地址是否相同;S6,若所述第一后端闪存地址与所述当前后端闪存地址相同,则将所述第一物理存储块替换所述缓存元数据记录表中与所述当前后端闪存地址对应的当前物理存储块;S7,若所述第一后端闪存地址与所述当前后端闪存地址不同,则将所述缓存元数据记录表中与所述当前后端闪 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李超,丁杰,周文,刘建伟,
申请(专利权)人:北京麓柏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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