天线装置制造方法及图纸

技术编号:11478660 阅读:80 留言:0更新日期:2015-05-20 09:20
本发明专利技术提供了一种天线装置。其包括:第一电介质层,其在平面图中为矩形;接地面,其布置在第一电介质层的第一表面上;导电线,其具有第一端和第二端并且布置在第一电介质层的第二表面上,第一端是馈电点,第二端是开放端或连接到接地面的短路端;第二电介质层,其具有与第一电介质层相对应的形状并且在导电线夹在第一电介质层与第二电介质层之间的状态下布置在第一电介质层的第二表面上,第二电介质层具有面向第一电介质层的第一表面和相反的第二表面;第一导电元件;以及第二导电元件,其中,第一导电元件和第二导电元件相对于第一位置和第二位置向馈电点弯曲或者折曲,并且,第一导电元件的弯曲程度、折曲程度或长度与第二导电元件不同。

【技术实现步骤摘要】
天线装置
本文中所公开的实施方式涉及天线装置。
技术介绍
最近,已经广泛地使用了射频识别(RFID)系统。典型地,一些RFID系统利用UHF波段(900MHz波段)或微波波段(2.45GHz)的电磁波作为通信介质,并且一些RFID系统利用由互感生成的磁场。在它们之中,利用UHF波段中的电磁波的RFID系统备受瞩目,因为RFID系统能够提供相对较长的通信距离。微带天线作为被利用UHF波段中的电磁波与RFID标签进行通信的读出器-写入器使用的天线被提出。微带天线包括作为天线的微带线路(例如,见专利参考文献1和非专利参考文献1和2)。存在包括设置在货架(shelf)表面上的天线。RFID标签所附接到的商品布置在货架上。当系统变得不能检测到RFID标签时系统识别商品被从货架上拿开。在这样的系统中,优选使用能够读取附接到在接近于天线的表面的区域中所设置的商品的RFID标签并且能够在货架的整个表面上读取RFID标签的天线装置。然而,常规天线的通信距离是不够的并且难以在天线的整个表面上生成均匀的电场,特别是当天线的尺寸变得较大时。因此,对于常规天线来说难以提供均匀且充足的通信距离。因此,在常规天线被用在如上面所描述的系统中的情况下,难以在RFID标签被附接到的多个商品被布置在货架上的情况下均匀地读取RFID标签中的全部。本专利技术的目标是提供能够在近场中生成具有充足的均匀性和强度的电场的天线装置。[现有技术参考文献][专利参考文献][专利参考文献1]美国专利第7750813号[非专利参考文献][非专利参考文献1]IEEE成员CarlaR.Medeiros,JorgeR.Costa和IEEE资深成员CarlosA.Fernandes,“RFIDSmartShelfWithConfinedDetectionVolumeatUHF”,IEEEANTENNASANDWIRELESSPROPAGATIONLETTERS,第7卷,第773-776页,2008年[非专利参考文献2]A.Michel,A.Buffi,R.Caso,P.Nepa,G.Isola和H.T.Chou“DesignandPerformanceAnalysisofaPlanarAntennaforNear-FieldUHF-RFIDDesktopReaders”,APMC2012会议论文集,台湾高雄,2012年12月4-7日
技术实现思路
解决问题的手段根据实施方式的一个方面,提供了一种天线装置,其包括:第一电介质层,其在平面图中为矩形;接地面,其布置在所述第一电介质层的第一表面上;导电线,其具有第一端和第二端并且布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第一端是馈电点,所述第二端是开放端或连接到所述接地面的短路端;第二电介质层,其具有与所述第一电介质层相对应的形状并且在所述导电线夹在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的状态下布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第二电介质层具有面向所述第一电介质层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第一导电元件分别在与流过所述导电线的电流的驻波的第一节点相对应的第一位置处与所述导电线相交;以及第二导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第二导电元件分别在与所述驻波的第二节点相对应的第二位置处与所述导电线相交,其中,所述第一导电元件和所述第二导电元件分别相对于在平面图中与所述第一节点和所述第二节点相对应的所述第一位置和所述第二位置向所述馈电点弯曲或者折曲,并且其中,所述第一导电元件的第一弯曲程度、第一折曲程度或第一长度不同于所述第二导电元件的第二弯曲程度、第二折曲程度或第二长度。专利技术效果提供了一种能够在近场中生成具有充足的均匀性和强度的电场的天线装置。附图说明图1是例示了第一实施方式的天线装置100的斜立体图,图2是以平面视图例示了第一实施方式的天线装置100的图,图3是例示了天线装置100的一部分的放大图,图4是例示了天线装置100的另一部分的放大图,图5是例示了天线装置100的分解斜立体图,图6是例示了图1中所例示的天线装置100的A-A横截面的图,图7的(A)是例示了根据第一实施方式的天线装置100的变型例的导电带171至175的图,图7的(B)是例示了根据第一实施方式的天线装置100的变型例的导电带171至175的图,图7的(C)是例示了根据第一实施方式的天线装置100的变型例的导电带171至175的图,图7的(D)是例示了根据第一实施方式的天线装置100的变型例的导电带171至175的图,图7的(E)是例示了根据第一实施方式的天线装置100的变型例的导电带171至175的图,图8是例示了利用根据第一实施方式的天线装置100的货架天线系统的图,图9是例示了第二实施方式的天线装置200的斜立体图,图10是以平面视图例示了第二实施方式的天线装置200的图,图11是以平面视图例示了第二实施方式的曲折部242的图,图12是以平面视图例示了第二实施方式的调整部243的图,图13是例示了根据第二实施方式的天线装置200的S11参数和比较示例的天线装置的S11参数的频率特性的图,图14是例示了天线装置200的电场矢量的模拟结果的图,图15是例示了天线装置200的电场矢量的模拟结果的图,图16是例示了天线装置200的电场矢量的模拟结果的图。具体实施方式参考附图给出天线装置的实施方式的描述。<第一实施方式>图1是例示了第一实施方式的天线装置100的斜立体图。图2是以平面视图例示了第一实施方式的天线装置100的图。图3是例示了天线装置100的一部分的放大图。图4是例示了天线装置100的另一部分的放大图。图5是例示了天线装置100的爆炸斜立体图。图6是例示了图1中所例示的天线装置100的A-A横截面的图。在下文中,将通过使用XYZ坐标系作为正交坐标系来描述天线装置100。在下文中,出于例示的目的,位于负Z轴方向上的表面将被称为底面,并且位于正Z轴方向上的表面将被称为顶面。然而,顶面和底面只是临时名称并且不意指上部和下部的普遍性关系。天线装置100包括电介质层110和120、接地面130、曲折导电线140以及导电带150。天线装置100包括十一个导电带150。在十一个导电带150彼此区分开的情况下,十一个导电带150被称为导电带150A1、150A2、150B1、150B2、150C1、150C2、150D1、150D2、150E1、150E2及150E3。在导电带150A1至150E3未彼此区分开的情况下,导电带150A1至150E3将被描述为导电带150。例如,第一实施方式的天线装置100被用于在UHF波段中传送电磁波,并且天线装置100的谐振频率(中心频率)可以在约860MHz到约960MHz的范围内。在这个实施方式中,例如,将对具有919MHz的谐振频率(中心频率)的天线装置100进行描述。因为天线装置100在包括在天线装置100中的配置元件之间在谐振频率(中心频率)下进行通信,所以曲折导电线140和导电带150的长度被设置为对应于谐振频率下的波长的长度。因为谐振频率下的波长可能由于电介质材料中的缩短效应而缩短本文档来自技高网
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天线装置

【技术保护点】
一种天线装置,该天线装置包括:第一电介质层,其在平面图中为矩形;接地面,其布置在所述第一电介质层的第一表面上;导电线,其具有第一端和第二端并且布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第一端是馈电点,所述第二端是开放端或连接到所述接地面的短路端;第二电介质层,其具有与所述第一电介质层相对应的形状并且在所述导电线夹在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的状态下布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第二电介质层具有面向所述第一电介质层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第一导电元件分别在与流过所述导电线的电流的驻波的第一波节相对应的第一位置处与所述导电线相交;以及第二导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第二导电元件分别在与所述驻波的第二波节相对应的第二位置处与所述导电线相交,其中,所述第一导电元件和所述第二导电元件分别相对于在平面图中与所述第一节点和所述第二节点相对应的所述第一位置和所述第二位置向所述馈电点弯曲或者折曲,并且其中,所述第一导电元件的第一弯曲程度、第一折曲程度或第一长度不同于所述第二导电元件的第二弯曲程度、第二折曲程度或第二长度。...

【技术特征摘要】
2013.11.07 JP 2013-2314141.一种天线装置,该天线装置包括:第一电介质层,其在平面图中为矩形;接地面,其布置在所述第一电介质层的第一表面上;导电线,其具有第一端和第二端并且布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第一端是馈电点,所述第二端是开放端或连接到所述接地面的短路端;第二电介质层,其具有与所述第一电介质层相对应的形状并且在所述导电线夹在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的状态下布置在所述第一电介质层的第二表面上,所述第二电介质层具有面向所述第一电介质层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第一导电元件分别在与流过所述导电线的电流的驻波的第一节点相对应的第一位置处与所述导电线相交;以及第二导电元件,其布置在所述第二电介质层的第二表面上,使得在平面图中所述第二导电元件分别在与所述驻波的第二节点相对应的第二位置处与所述导电线相交,其中,所述第一导电元件和所述第二导电元件分别相对于在平面图中与所述第一节点和所述第二节点相对应的所述第一位置和所述第二位置向所述馈电点弯曲或者折曲,并且其中,所述第一导电元件的第一弯曲程度、第一折曲程度或第一长度不同于所述第二导电元件的第二弯曲程度、第二折曲程度或第二长度。2.根据权利要求1所述的天线装置,其中,所述第一导电元件和所述第二导电元件中的每一个分别与所述导电线电磁耦合,并且其中,所述第一导电元件和所述第二导电元件分别构成谐振器。3.根据权利要求1所述的天线装置,其中,所述第一长度和所述第二长度分别被设置为与谐振频率下的单个波长相对应的长度。4.根据权利要求1所述的天线装置,其中,在所述导电线的所述第二端是开放端的情况下,所述导电线的所述第二端与所述第一位置之间的长度对应于通过将第一整数乘以谐振频率下的半波长所获得的第三长度,并且所述导电线的所述第二端与所述第二位置之间的长度对应...

【专利技术属性】
技术研发人员:安德烈·S·安德连科甲斐学
申请(专利权)人:富士通株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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