具有由数据单元和参考单元共享的写驱动器的MRAM制造技术

针对磁性随机存取存储器(MRAM)电路系统的可调谐参考单元方案将各参考单元和数据单元选择性地耦合到共享写驱动器电路系统。可使用共享写驱动器电路系统将这些参考单元中的磁隧道结(MTJ)编程为所选择的磁取向。经编程的参考单元可与其他经编程的参考单元和/或与固定参考单元合并以产生可调谐参考电平以供在读操作期间与MTJ数据单元进行比较。在各数据单元和参考单元之间共享写驱动器电路系统允许对参考单元进行编程，而无需消耗芯片或宏上的增加的面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种存储器装置，包括：耦合到参考节点的第一磁隧道结(MTJ)参考单元；耦合到数据节点的第一MTJ数据单元；耦合到所述参考节点和所述数据节点的感测电路系统；耦合到所述第一MTJ数据单元的输入数据路径的第一写驱动器电路系统；以及切换电路系统，所述切换电路系统被配置用于将所述第一MTJ参考单元和/或所述第一MTJ数据单元选择性地耦合到所述第一写驱动器电路系统。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·金，T·金，S·金，X·李，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US