像素电路及其驱动方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板及显示装置。所述像素电路包括：第一充电模块、存储电容、第二充电模块、重置模块、驱动晶体管、发光控制模块和发光器件；第一充电模块、第二充电模块分别与存储电容的两端连接，用于向存储电容的两端充电；重置模块与存储电容的两端连接，用于将存储电容的两端的电压分别重置为其各自的初始电压；驱动晶体管的控制极与存储电容的与第二充电模块连接的一端连接，第一极与高电压端连接，第二极与第二充电模块连接；发光控制模块连接在驱动晶体管与发光器件之间，用于使驱动晶体管与发光器件导通或断开。上述像素电路可使发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定，从而能提高显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体地，涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，以下简称为AMOLED)显示面板利用OLED发出不同亮度的光线，使与OLED对应的像素显示具有相应的亮度；相对于传统的薄膜晶体管液晶显示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，以下简称为TFTLCD)，AMOLED显示面板具有更快的反应速度，更高的对比度以及更广大的视角，是显示面板的一个重要的发展方向。驱动OLED发光的电流可以用以下公式表示：IOLED=β2(Vgs-Vth)2]]>其中，Vgs为驱动晶体管的栅极与源极之间的电压差，β是与驱动晶体管的工艺参数和特征尺寸有关的参数，Vth为驱动晶体管的阈值电压。根据上述公式，驱动发光器件OLED发光的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压Vth有关，而在实际应用中，驱动晶体管的阈值电压Vth会在发光阶段发生变化，从而会影响发光器件OLED的发光亮度，进而会对AMOLED显示面板的显示效果产生不良影响。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种像素电路及其驱动方法、显示基板及显示装置，其可以避免驱动晶体管的阈值电压在显示过程中的变化对发光器件的发光亮度产生影响，使发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定。为实现本专利技术的目的而提供一种像素电路，其包括：第一充电模块、存储电容、第二充电模块、重置模块、驱动晶体管、发光控制模块和发光器件；所述第一充电模块、第二充电模块分别与所述存储电容的两端连接，用于向所述存储电容的两端充电；所述重置模块与所述存储电容的两端连接，用于将所述存储电容的两端的电压分别重置为其各自的初始电压；所述驱动晶体管的控制极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接，第一极与高电压端连接，第二极与所述第二充电模块连接；所述发光控制模块连接在所述驱动晶体管与所述发光器件之间，用于使所述驱动晶体管与所述发光器件导通或断开。其中，所述第一充电模块包括前充电单元和后充电单元；所述前充电单元用于在所述存储电容重置后，对存储电容进行充电，使所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端具有第一电压；所述后充电单元用于在所述前充电单元对所述存储电容充电后，对存储电容进行充电，使所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端具有第二电压。其中，所述前充电单元包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制极与栅极线连接，第一极与提供所述第一电压的第一数据线连接，第二极与所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端连接；所述后充电单元包括第五晶体管，所述第五晶体管的控制极与发光信号端连接，第一极与提供所述第二电压的第二数据线连接，第二极与所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端连接。其中，所述第二充电模块包括第二晶体管；所述第二晶体管的控制极与栅极线连接，第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，第二极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接。其中，所述重置模块包括第一晶体管和第七晶体管；所述第一晶体管的控制极、第一极与复位信号端连接，第二极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接；所述第七晶体管的控制极与复位信号端连接，第一极与高电压端连接，第二极与所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端连接。其中，所述发光控制模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的控制极与发光信号端连接，第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，第二极与所述发光器件连接。其中，各所述晶体管为P型管。其中，所述发光器件为OLED；所述OLED的阳极与所述第六晶体管的第二极连接，阴极与低电压端连接。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种上述像素电路的驱动方法，其包括：在第一阶段，将存储电容两端的电压分别重置为其各自的初始电压的步骤；在第二阶段，对存储电容的与第一充电模块连接的一端进行充电，使该端具有第一电压，以及对存储电容的与第二充电模块连接的一端充电的步骤；在第三阶段，对存储电容的与第一充电模块连接的一端进行充电，使该端具有第二电压，以及使存储电容的与第二充电模块连接的一端具有预设电压的步骤；所述预设电压减去所述驱动晶体管的源极的电压和所述驱动晶体管的阈值电压之后的差值为所述第二电压减去第一电压的差值。其中，各所述晶体管为P型管；在第一阶段，发光信号端输出高电平信号，复位信号端输出低电平信号，栅极线输出高电平信号；在第二阶段，发光信号端输出高电平信号，复位信号端输出高电平信号，栅极线输出低电平信号；在第三阶段，发光信号端输出低电平信号，复位信号端输出高电平信号，栅极线输出高电平信号。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示面板，其包括本专利技术提供的上述像素电路。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示装置，其包括本专利技术提供的上述显示面板。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的像素电路，其可以避免驱动晶体管的阈值电压在显示过程中的变化对发光器件的发光亮度产生影响，从而有助于发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定，进而有助于提高显示效果。本专利技术提供的驱动方法，其可以避免驱动晶体管的阈值电压在显示过程中的变化对发光器件的发光亮度产生影响，从而有助于发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定，进而有助于提高显示效果。本专利技术提供的显示面板，其采用本专利技术提供的上述像素电路，可以避免驱动晶体管的阈值电压在显示过程中的变化对发光器件的发光亮度产生影响，从而有助于发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定，进而有助于提高显示效果。本专利技术提供的显示装置，其采用本专利技术提供的上述显示面板，可以避免驱动晶体管的阈值电压在显示过程中的变化对发光器件的发光亮度产生影响，从而有助于发光器件的发光亮度在显示过程中保持稳定，进而有助于提高显示效果。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术实施方式提供的像素电路的结构图；图2为图1所示像素电路的电路图；图3为图2所示像素电路中各信号的时序图。其中，附图标记：1：第一充电模块；2：第二充电模块；3：重置模块；4：发光控制模块；5：发光器件；10：前充电单元；11：后充电单元；C：存储电容；T1：第一晶体管；T2：第二晶体管；T3：驱动晶体管；T4：第四晶体管；T5：第五晶体管；T6：第六晶体管；T7：第七晶体管；S1：第一数据线；S2：第二数据线；VDD：高电压端；VSS：低电压端；EM：发光信号端；RESET：复位信号端；Gate：栅极线。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术提供一种像素电路的实施方式，图1为本专利技术实施方式提供的像素电路的结构图。如图1所示，所述像素电路包括：第一充电模块1、存储电容C、第二充电模块2、重置模块3、驱动晶体管T3、发光控制模块4和发光器件5；其中，所述第一充电模块1、第二充电模块2分别与所述存储电容C的两端连接，用于向所述存储电容C的两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：第一充电模块、存储电容、第二充电模块、重置模块、驱动晶体管、发光控制模块和发光器件；所述第一充电模块、第二充电模块分别与所述存储电容的两端连接，用于向所述存储电容的两端充电；所述重置模块与所述存储电容的两端连接，用于将所述存储电容的两端的电压分别重置为其各自的初始电压；所述驱动晶体管的控制极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接，第一极与高电压端连接，第二极与所述第二充电模块连接；所述发光控制模块连接在所述驱动晶体管与所述发光器件之间，用于使所述驱动晶体管与所述发光器件导通或断开。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一充电模块、存储电容、第二充电模块、重置模块、驱动晶体管、发光控制模块和发光器件；所述第一充电模块、第二充电模块分别与所述存储电容的两端连接，用于向所述存储电容的两端充电；所述重置模块与所述存储电容的两端连接，用于将所述存储电容的两端的电压分别重置为其各自的初始电压；所述驱动晶体管的控制极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接，第一极与高电压端连接，第二极与所述第二充电模块连接；所述发光控制模块连接在所述驱动晶体管与所述发光器件之间，用于使所述驱动晶体管与所述发光器件导通或断开。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一充电模块包括前充电单元和后充电单元；所述前充电单元用于在所述存储电容重置后，对存储电容进行充电，使所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端具有第一电压；所述后充电单元用于在所述前充电单元对所述存储电容充电后，对存储电容进行充电，使所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端具有第二电压。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述前充电单元包括第四晶体管，所述第四晶体管的控制极与栅极线连接，第一极与提供所述第一电压的第一数据线连接，第二极与所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端连接；所述后充电单元包括第五晶体管，所述第五晶体管的控制极与发光信号端连接，第一极与提供所述第二电压的第二数据线连接，第
\t二极与所述存储电容的与所述第一充电模块连接的一端连接。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述第二充电模块包括第二晶体管；所述第二晶体管的控制极与栅极线连接，第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，第二极与所述存储电容的与所述第二充电模块连接的一端连接。5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述重置模块包括第一晶体管和第七晶体管；所述第一晶体管的控制极、第一极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，玄明花，张毅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11