显示装置制造方法及图纸

一种显示装置，包括一基板、多个第一薄膜晶体管、多个连接该等第一薄膜晶体管的扫描线与数据线、及多个用以控制检测用显示信号的供应的第二薄膜晶体管，各个第二薄膜晶体管包含：一第一栅极电极，形成于该基板上；一第一绝缘层，形成于该第一栅极电极上；一主动单元，形成于该第一绝缘层上，且该主动单元包含一源极电极、一主动层、及一漏极电极；其中，该源极电极连接该等数据线的其中一条，且该主动层包含一氧化物半导体材料；一第二绝缘层，形成于该主动单元上；以及一第二栅极电极，形成于该第二绝缘层上；其中该等第一薄膜晶体管、扫描线及数据线设置于该基板的一显示区域内，且第二薄膜晶体管设置于该基板上该显示区域以外的一第一区域内。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种显示面板及包含该显示面板的显示装置。
技术介绍
液晶显示器的面板(Panel)通常具有二个上下迭合的玻璃基板:薄膜晶体管(Thin-film transistor,简称TFT)基板与彩色滤光(Color filter,简称CF)基板。目前液晶显示器的工艺进行到将薄膜晶体管基板与彩色滤光基板组装成显示面板或液晶显示单元(LCD cell)时，会利用点灯治具来提供检测信号，其经由所谓的快速检测(Quickinspect1n)用薄膜晶体管，来点亮该显示面板的所有像素，藉以快速地初步判定该显示面板的基本性能。该等快速检测用薄膜晶体管设置于薄膜晶体管基板上作为影像显示的显示区(Active area)以外的基板周边区内，用以控制检测用的显示信号是否供应给该显示区内的像素，以使点灯治具可点亮该显示面板。倘若该显示面板通过上述的快速检测，则将进一步制作成显示器模块；此时，该等快速检测用薄膜晶体管的栅极必须连接一负值的直流电压源，而以负电压强迫该等快速检测用薄膜晶体管被失能(Disabled)或是处于关掉(Off)的状态。 然而，薄膜晶体管的制造过程中难免会有不同程度的变异，或是薄膜晶体管经过长时间操作后，可能会发生晶体管门滥电压(Threshold voltage,简称Vth)负向偏移过多的可靠性(Reliability)问题，使得其预先设定的负值栅极电压不足以关掉该等快速检测用薄膜晶体管，使其可能仍处于导通状态，而造成数据线之间或扫描线之间的电性相通，致使该显示器模块的影像画面显示发生异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于发展一种新的显示面板技术，以对治及改善上述快速检测用薄膜晶体管可靠性不佳所引起的问题。 为达成此目的，根据本专利技术的一方面，一实施例提供一种显示装置，其包括一基板、多个第一薄膜晶体管、多个连接该等第一薄膜晶体管的扫描线与数据线、及多个用以控制检测用显示信号的供应的第二薄膜晶体管，各个第二薄膜晶体管包含:一第一栅极电极，形成于该基板上；一第一绝缘层，形成于该第一栅极电极上；一主动单兀，形成于该第一绝缘层上，且该主动单元包含一源极电极、一主动层、及一漏极电极；其中，该源极电极电性连接该等数据线的其中一条，且该主动层包含一氧化物半导体材料；一第二绝缘层，形成于该主动单元上；以及一第二栅极电极，形成于该第二绝缘层上；其中，该等第一薄膜晶体管、该等扫描线及该等数据线设置于该基板上用以显示影像的一显示区内，且该等第二薄膜晶体管设置于该基板上该显示区以外的一第一区域内。 为达成此目的，根据本专利技术的另一方面，另一实施例提供一种显示装置，其包括一基板、多个第一薄膜晶体管、多个连接该等第一薄膜晶体管的扫描线与数据线、及多个用以控制检测用显示信号的供应的第二薄膜晶体管，各个第二薄膜晶体管包含:一第一栅极电极，形成于该基板上；一第一绝缘层，形成于该第一栅极电极上；一主动单兀，形成于该第一绝缘层上，且该主动单元包含一源极电极、一主动层、及一漏极电极；其中，该源极电极电性连接该等数据线及该等扫描线的其中一条，且该主动层包含一氧化物半导体材料；一第二绝缘层，形成于该主动单元上；以及一第二栅极电极，形成于该第二绝缘层上；其中，该等第一薄膜晶体管、该等扫描线及该等数据线设置于该基板上用以显示影像的一显示区内，该等连接该等数据线的第二薄膜晶体管设置于该基板上的一第一区域内，该等连接该等扫描线的第二薄膜晶体管设置于该基板上的一第二区域内，且该显示区、该第一区域、与该第二区域彼此不重迭。 在一实施例中，该第二栅极电极电性连接该第一栅极电极。 在一实施例中，该第二栅极电极电性连接一检测用栅极电极。 在一实施例中，部分的该等第二薄膜晶体管的该第一栅极电极彼此电性连接。 在一实施例中，部分的该等第二薄膜晶体管的该漏极电极彼此电性连接。 在一实施例中，该源极电极与该漏极电极可形成于该主动层上，且一间隔区域形成于该源极电极与该漏极电极之间，以隔开该源极电极与该漏极电极；且该间隔区域可包含一第一部分及一形成于该第一部分上的第二部分，该第一部分的宽度大于该第二部分的宽度，且一第三绝缘层填满该第一部分，该第二绝缘层填满该第二部分。 在一实施例中，一间隔区域可形成于该源极电极与该漏极电极之间，以隔开该源极电极与该漏极电极，且该主动层形成于该源极电极与该漏极电极上，并填满该间隔区域。 在一实施例中，一第三绝缘层可形成于该主动层上，并具有彼此隔开的一第一开口及一第二开口，且该源极电极与该漏极电极分别填满该第一开口与该第二开口。 在一实施例中，该氧化物半导体材料可选自氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锌(ZnO)、及氧化锡(SnO)的其中之一。 与现有技术相比，本专利技术提出的显示装置可明显克服薄膜晶体管的门槛电压Vth发生负偏的可靠性问题。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例的显示装置的平面示意图。 图2为本专利技术第一实施例的该第二薄膜晶体管的剖面示意图。 图3A为只具有单一栅极电极的薄膜晶体管B的Vg-1d特性量测结果。 图3B为本实施例具有双栅极电极的薄膜晶体管A的Vg-1d特性量测结果。 图4为本专利技术第二实施例的该第二薄膜晶体管的剖面示意图。 图5为本专利技术第三实施例的该第二薄膜晶体管的剖面示意图。 图6为本专利技术第四实施例的该第二薄膜晶体管的剖面示意图。 图7为本专利技术实施例的显示装置的平面示意图。 图8为本专利技术实施例的显示器的结构示意图，其包含一根据前述实施例的显示装置所制作的显示面板。 附图标记说明:10_显示器；20/100/200-显示装置；110-基板；120-像素电极；130-第一薄膜晶体管；140_扫描线；150_数据线；160_第二薄膜晶体管；161_第一栅极电极；162_第一绝缘层；163_主动单兀；164_第二绝缘层；165_第二栅极电极；166_源极电极；167-主动层；168-漏极电极；169-第三绝缘层；170_显示区；180_第一区域；190_第二区域。 【具体实施方式】 为对本专利技术的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明本专利技术的实施例如后。在所有的说明书及图示中，将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。 在各个实施例的说明中，当一元素被描述是在另一元素的「上方/上」或「下方/下」，是指直接地或间接地在该另一元素之上或之下的情况，其可能包含设置于其间的其他元素；所谓的「直接地」指其间并未设置其他中介元素。「上方/上」或「下方/下」等的描述是以图式为基准进行说明，但亦包含其他可能的方向转变。所谓的「第一」、「第二」、及「第三」用以描述不同的元素，这些元素并不因为此类谓辞而受到限制。为了说明上的便利和明确，图式中各元素的厚度或尺寸，是以夸张或省略或概略的方式表示，且各元素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。 图1为本专利技术实施例的显示装置100的平面示意图，该显示装置100包含一基板110、多个具有像素电极120的像素、多个第一薄膜晶体管130、多个扫描线140、多个数据线150、以及多个第二薄膜晶体管160 ;其中，该等像素电极120、该等第一薄膜晶体管130、该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括一基板、多个第一薄膜晶体管、多个连接该等第一薄膜晶体管的扫描线与数据线、及多个用以控制检测用显示信号的供应的第二薄膜晶体管，各个第二薄膜晶体管包含：一第一栅极电极，形成于该基板上；一第一绝缘层，形成于该第一栅极电极上；一主动单元，形成于该第一绝缘层上，且该主动单元包含一源极电极、一主动层及一漏极电极；其中，该源极电极电性连接该等数据线的其中一条，且该主动层包含一氧化物半导体材料；一第二绝缘层，形成于该主动单元上；以及一第二栅极电极，形成于该第二绝缘层上；其中，该等第一薄膜晶体管、该等扫描线及该等数据线设置于该基板上用以显示影像的一显示区内，且该等第二薄膜晶体管设置于该基板上该显示区以外的一第一区域内。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括一基板、多个第一薄膜晶体管、多个连接该等第一薄膜晶体管的扫描线与数据线、及多个用以控制检测用显示信号的供应的第二薄膜晶体管，各个第二薄膜晶体管包含: 一第一栅极电极，形成于该基板上； 一第一绝缘层，形成于该第一栅极电极上； 一主动单元，形成于该第一绝缘层上，且该主动单元包含一源极电极、一主动层及一漏极电极；其中，该源极电极电性连接该等数据线的其中一条，且该主动层包含一氧化物半导体材料； 一第二绝缘层，形成于该主动单元上；以及 一第二栅极电极，形成于该第二绝缘层上； 其中，该等第一薄膜晶体管、该等扫描线及该等数据线设置于该基板上用以显示影像的一显示区内，且该等第二薄膜晶体管设置于该基板上该显示区以外的一第一区域内。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第二栅极电极电性连接该第一栅极电极。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第二栅极电极电性连接一检测用栅极电极。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，部分的该等第二薄膜晶体管的该第一栅极电极彼此电性连接。5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，部分的该等第二薄膜晶体管的该漏极电极彼此电性连接。6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该源极电极与该漏极电极形成于该主动层上。7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，一间隔区域形成于该源极电极与该漏极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信宏，周政旭，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71