一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，包括：总电压监测单元与闪存单元相连接，总电压监测单元，用于通过监测总电压的异常，通知闪存单元从而保护闪存单元的内容；总电压监测单元与电源单元相连接，电源单元与微处理器电压监测单元相连接，微处理器电压监测单元与片选控制单元相连接，片选控制单元与闪存单元相连接，微处理器电压监测单元用于监测微处理器电压，当微处理器电压出现异常则通知片选控制单元进行控制，片选控制单元，用于接收到微处理器电压监测单元发出了异常信号，关闭片选控制单元的功能，从而保护内存单元的内容，片选控制单元与闪存单元相连接。这样双重闪存保护电路。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路
本技术涉及监控领域，尤其涉及一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路。
技术介绍
目前，各个领域的设备几乎都有嵌入式微处理器组成，但是嵌入式系统的硬件设备不同于电脑，经常是意外断电，微处理器在没有规律地读写这微处理器，意外断电等情况发生后，装载着系统程序和数据信息的闪存芯片的内容时有被破坏现象。可以想象整个嵌入系统里面所有的程序和重要信息都在闪存里面，轻则系统不正常，重则是系统直接崩溃不能启动，表象是整个嵌入式设备损坏。 监控如果闪存本身没有损坏，而是因为概率相对小的闪存内容损坏而返修，不仅对品牌影响不好，快递费用，故障分析，维修等也会造成不小的利润损失。 有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研宄创新，以期创设一种新型结构的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种基于电源控制和片选控制的双重闪存保护电路，解决闪存内容损坏的问题。 本技术的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，包括--总电压监测单元，电源单元，微处理器电压监测单元，片选控制单元和闪存单元，其中，总电压监测单元与闪存单元相连接，总电压监测单元，用于通过监测总电压的异常，通知闪存单元从而保护闪存单元的内容；总电压监测单元与电源单元相连接，电源单元与微处理器电压监测单元相连接，微处理器电压监测单元与片选控制单元相连接，片选控制单元与闪存单元相连接，微处理器电压监测单元用于监测微处理器电压，当微处理器电压出现异常则通知片选控制单元进行控制，片选控制单元，用于接收到微处理器电压监测单元发出了异常信号，关闭片选控制单元的功能，从而保护内存单元的内容，片选控制单元与闪存单元相连接。 进一步的，包括:电源单元是具有可控制开关。 借由上述方案，本技术至少具有以下优点: 本技术有效减少闪存没有损坏，可是闪存内容被破坏的概率，减少返修率，提高品牌效果。并且是能够提高嵌入式系统的可靠性。 上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 【附图说明】 图1是本技术提供的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路的结构示意图； 图2是本技术提供的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路的总电压监测部的具体电路图； 图3是本技术提供的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路可控制开关电源单元的具体电路图； 图4是本技术提供的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路微处理器电压监测的具体电路图； 图5是本技术提供的一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路的片选控制单元的具体电路图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，对本技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。 如图1所示，本技术的基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，包括:总电压监测单元11，电源单元12，微处理器电压监测单元13，片选控制单元14和闪存单元15，其中，总电压监测单元11与闪存单元15相连接，总电压监测单元11，用于通过监测总电压的变化，如果总电压出现异常时，总电压监测单元11通知闪存单元15，从而保护闪存单元15的内容，总电压监测单元11与电源单元12相连接，电源单元12是具有可控制开关的，电源单元12与微处理器电压监测单元13相连接，微处理器电压监测单元13与片选控制单元14相连接，微处理器电压监测单元13用于监测微处理器电压，当微处理器电压出现异常，则通知片选控制单元14进行控制，当片选控制单元14接收到微处理器电压监测单元13发出了异常信号，关闭片选控制单元14的功能，从而保护内存单元15的内容，而片选控制单元14与闪存单元15相连接。本专利技术是基于电源控制和片选控制的双重闪存保护电路，解决闪存内容损坏的问题。 下面具体介绍上述各个单元的结构图，如图2所示，是总电压监测单元11的具体电路图。R630、R631、R632是分压电路，当输入电压在1V左右时，分压R632的电压时2.5V。把这个分压输入给D9 (TL431)，分压低于2.5V时，Qll (8550)的基极和发射机电压绝对值高于0.7V，Qll (8550)进入开状态，同理，Q4 (8050)、Q7 (8050)、Q5 (8050)基极和发射机电压绝对值高于0.7V，都处于开状态。分别拉低接受电路的信号状态。也就是说发现输入电压低于输入电压的90%左右，即1V左右时，输出两个拉低信号，一个是进入可控开关电源单元控制3.3V电源单元进入关的状态。另一个是直接控制闪存芯片的WP(写保护管脚)，提前关掉向闪存内部写数据这个功能。这是第一层保护作用。 如图3所示，可控开关电源单元12的具体电路图。当没有接收到总电压监测单元输出的拉低信号时，认为电源状态信号是正常，U56 (DC-DC开关电源芯片)的管脚SHDN/S被R64拉高，是高电平，这个单元输出3.3V，是工作状态。当接收到拉低信号时，U56(DC-DC开关电源芯片)的管脚SHDN/S被拉低，进入关闭状态，这个单元这时不输出电压，也就是输出电压是0V。 如图4所示，是微处理器电压监测单元13的具体电路图。这个3.3V和一直处于工作状态的1.0V都是微处理器的供电电压，微处理器电压监测单元一直监测这两个电压。1.0V正常时，R642、R643的分压大于0.7V，也就是Q6 (8050)基极和发射机电压绝对值高于0.7V，进入导通状态，同理Q19 (8050)基极和发射机电压绝对值小于0.7V，不输出拉低信号给片选控制单元，当这两个电压有一个不正常时，都会输出拉低信号，即关掉片选控制单元。 如图5所示，片选控制单元就是根据微处理器电压监测单元的结果，来控制片选信号。当接收到微处理器电压监测单元结果是不正常时的拉低信号时，Q13 (8550)的基极和发射机电压绝对值高于0.7V，Q13(8550)进入开状态，CSlN_Pro就会被拉高，就控制闪存不工作，任何读写操作都会无效。这是第二层保护。 以上所述仅是本技术的优选实施方式，并不用于限制本技术，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，其特征在于，包括：总电压监测单元，电源单元，微处理器电压监测单元，片选控制单元和闪存单元，其中，总电压监测单元与闪存单元相连接，总电压监测单元，用于通过监测总电压的异常，通知闪存单元从而保护闪存单元的内容；总电压监测单元与电源单元相连接，电源单元与微处理器电压监测单元相连接，微处理器电压监测单元与片选控制单元相连接，片选控制单元与闪存单元相连接，微处理器电压监测单元用于监测微处理器电压，当微处理器电压出现异常则通知片选控制单元进行控制，片选控制单元，用于接收到微处理器电压监测单元发出了异常信号，关闭片选控制单元的功能，从而保护内存单元的内容，片选控制单元与闪存单元相连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于电源和片选控制的双重闪存保护电路，其特征在于，包括--总电压监测单元，电源单元，微处理器电压监测单元，片选控制单元和闪存单元，其中，总电压监测单元与闪存单元相连接，总电压监测单元，用于通过监测总电压的异常，通知闪存单元从而保护闪存单元的内容；总电压监测单元与电源单元相连接，电源单元与微处理器电压监测单元相连接，微处理器电压监测单元与片选控制单元相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣，于海燕，
申请(专利权)人：北京亚太安讯科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11