一种新型双缓冲晶体振荡触发器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型双缓冲晶体振荡触发器，主要由非线性对称触发电路，以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成，其特征在于，所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成，所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2，输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3，正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2等组成。本实用新型专利技术充分利用了非线性对称触发电路的非线性特性，因此能确保两管不会同时出现截止情况，有利于运用电路的性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种触发器，具体是指一种新型双缓冲晶体振荡触发器。
技术介绍
触发器是数字集成电路中基本的构件，它们决定着包括功耗、延迟、面积、可靠性等电路的性能。但在目前大多数的电路运用中均采用正脉冲来进行触发，加之其电路结构设计不合理，因此会存在功耗较大，以及在有效脉宽期间会出现两管均截止的情况，不利于应用电路的正常运行，存在一定的安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的在于克服目前触发器所存在的功耗较大以及两管均会同时出现截止的缺陷，提供一种新型双缓冲晶体振荡触发器。本技术的目的通过下述技术方案实现：一种新型双缓冲晶体振荡触发器，主要由非线性对称触发电路，以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成，所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成，所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2，输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3，正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2，以及一端与倒相放大器U2的输入端相连接、另一端与电感L1和电感L2的连接点相连接的石英晶体振荡器X2组成，所述倒相放大器U3的输出端和可调电容C2的正极则均与非线性对称触发电路相连接。所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1，输入端与倒相放大器U1的输出端相连接的倒相放大器U4，正极与倒相放大器U1的输入端相连接、负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器U1的输出端相连接的可调电容C1，以及一端与倒相放大器U1的输入端相连接、另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接的石英晶体振荡器X1组成，所述倒相放大器U4的输出端和可调电容C1的正极则均与非线性对称触发电路相连接。所述非线性对称触发电路由晶体管Q1，晶体管Q2，一端与可调电容C2的正极相连接、另一端经电阻R3后与晶体管Q1的集电极相连接的电阻R4，一端与可调电容C1的正极相连接、另一端经电阻R6后与晶体管Q2的集电极相连接的电阻R5，一端与晶体管Q1的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R7，以及一端与晶体管Q2的基极相连接、另一端外接+6V电源的电阻R8组成；所述晶体管Q1的基极还与电阻R5和电阻R6的连接点相连接，其发射极接地；晶体管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接，其发射极接地；所述倒相放大器U3的输出端则与晶体管Q2的集电极相连接，倒相放大器U4的输出端则与三极管Q1的集电极相连接。本技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本技术整体结构较为简单，其制作和使用非常方便。(2)本技术充分利用了非线性对称触发电路的非线性特性，因此能确保两管不会同时出现截止情况，有利于运用电路的性能稳定。(3)本技术充分的利用了晶体振荡器的结构简单及能耗较低的优点，将其与非线性对称触发电路结合在一起，从而实现了低能耗的特点。(4)本技术的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路互为备份，因此当任意一个缓冲晶体振荡电路失灵时，都不会影响整个触发器的正常工作。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本技术所述的新型双缓冲晶体振荡触发器，主要由非线性对称触发电路，以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成。其中，该双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成，即只要当其中任意一个缓冲晶体振荡电路出现故障时，另一个缓冲晶体振荡电路均会正常工作，不会导致整个触发器失灵。所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2，倒相放大器U3，电感L1和电感L2，可调电容C2及石英晶体振荡器X2组成。连接时，倒相放大器U3的输入端与倒相放大器U2的输出端相连接；可调电容C2的正极与倒相放大器U2的输入端相连接，其负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接；石英晶体振荡器X2的一端与倒相放大器U2的输入端相连接，其另一端与电感L1和电感L2的连接点相连接。所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1，倒相放大器U4，电感L3，电感L4，可调电容C1及石英晶体振荡器X1组成。连接时，倒相放大器U4的输入端与倒相放大器U1的输出端相连接；可调电容C1的正极与倒相放大器U1的输入端相连接，其负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器U1的输出端相连接；石英晶体振荡器X1的一端与倒相放大器U1的输入端相连接，其另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接。所述非线性对称触发电路由晶体管Q1，晶体管Q2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7及电阻R8组成。连接时，电阻R4的一端与可调电容C2的正极相连接，其另一端经电阻R3后与晶体管Q1的集电极相连接；电阻R5的一端与可调电容C1的正极相连接，其另一端经电阻R6后与晶体管Q2的集电极相连接；电阻R7的一端与晶体管Q1的基极相连接，其另一端外接+6V电源；电阻R8的一端与晶体管Q2的基极相连接，其另一端外接+6V电源。同时，晶体管Q1的基极还与电阻R5和电阻R6的连接点相连接，其发射极接地；晶体管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接点相连接，其发射极接地。所述倒相放大器U3的输出端与晶体管Q2的集电极相连接，倒相放大器U4的输出端则与三极管Q1的集电极相连接。如上所述，便可以很好的实现本技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型双缓冲晶体振荡触发器，主要由非线性对称触发电路，以及与该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成，其特征在于，所述的双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路组成，所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2，输入端与倒相放大器U2的输出端相连接的倒相放大器U3，正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2，以及一端与倒相放大器U2的输入端相连接、另一端与电感L1和电感L2的连接点相连接的石英晶体振荡器X2组成，所述倒相放大器U3的输出端和可调电容C2的正极则均与非线性对称触发电路相连接；所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1，输入端与倒相放大器U1的输出端相连接的倒相放大器U4，正极与倒相放大器U1的输入端相连接、负极顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器U1的输出端相连接的可调电容C1，以及一端与倒相放大器U1的输入端相连接、另一端与电感L3和电感L4的连接点相连接的石英晶体振荡器X1组成，所述倒相放大器U4的输出端和可调电容C1的正极则均与非线性对称触发电路相连接。

【技术特征摘要】
1.一种新型双缓冲晶体振荡触发器，主要由非线性对称触发电路，以及与
该非线性对称触发电路相连接双缓冲晶体振荡电路组成，其特征在于，所述的
双缓冲晶体振荡电路由互为备份的主缓冲晶体振荡电路和副缓冲晶体振荡电路
组成，所述的主缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U2，输入端与倒相放大器U2
的输出端相连接的倒相放大器U3，正极与倒相放大器U2的输入端相连接、负
极顺次经电感L1和电感L2后与倒相放大器U2的输出端相连接的可调电容C2，
以及一端与倒相放大器U2的输入端相连接、另一端与电感L1和电感L2的连
接点相连接的石英晶体振荡器X2组成，所述倒相放大器U3的输出端和可调电
容C2的正极则均与非线性对称触发电路相连接；
所述的副缓冲晶体振荡电路由倒相放大器U1，输入端与倒相放大器U1的
输出端相连接的倒相放大器U4，正极与倒相放大器U1的输入端相连接、负极
顺次经电感L3和电感L4后与倒相放大器U1的输出端相连接的可调电容C1，
以及一端与倒相放大器U1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳，
申请(专利权)人：成都实瑞达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51