本实用新型专利技术公开一种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路，包括控制和处理电路MCU、驱动电路、接收放大电路及并联谐振电路；驱动电路的输入端与控制和处理电路MCU连接，而输出端与发射电路连接，而压电陶瓷输入端与发射电路，输出端与接收放大电路连接，接收放大电路与控制和处理电路MCU连接；所述并联谐振电路与压电陶瓷并联连接，且并联谐振电路通过控制开关管Q3B控制其通断，由控制和处理电路MCU输出控制信号，在信号发射脉冲发射结束后，在t=1-5mS时间控制开关管Q3B导通压电陶瓷和并联谐振电路并联，经过t=1-5mS时间后，控制开关管Q3B不导通。本实用新型专利技术可以减小压电陶瓷余振，且不影响电路灵敏度。
【技术实现步骤摘要】
-种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路
本技术涉及倒车雷达电路，尤其是指一种倒车雷达无变压器发射电路减小余 振电路。
技术介绍
现有技术中，超声波雷达探头发射电路大多数采用由变压器驱动压电陶瓷（SEN), 进行超声波信号发射，然而，由变压器驱动压电陶瓷成本较高，无变压器驱动压电陶瓷 (SEN)超声波发射电路，越来越广泛应用于超声波雷达探头。如图1所示，现有技术掲示 的无变压器发射电路，包括控制和处理电路（MCU)IO、驱动电路20、发射电路30及接收放大 电路40 ;所述驱动电路20的输入端与控制和处理电路(MCU)IO连接，而输出端与发射电路 30连接，而压电陶瓷50输入端与发射电路30,输出端与接收放大电路40连接，接收放大电 路40与控制和处理电路（MCU) 10连接。 其中，所述发射电路30由MOS管Q1A、M0S管Q2A、M0S管Q1B、M0S管Q2B组成，MOS 管QlA的G极与驱动电路20B脚连接，S极与MOS管Q2A的S极连接，而D极与MOS管QlB 的D极连接，并连接至压电陶瓷50 -端；MOS管Q2A的G极与驱动电路20A脚连接，而D极 与MOS管Q2B的D极连接，并连接至压电陶瓷50另一端；MOS管QlB的G极与驱动电路20A 脚连接，而S极与MOS管Q2B的S极连接；MOS管Q2B的G极与驱动电路20S脚连接。 所述无变压器发射电路工作时，如图2及图2a所示，前半周期A输出正脉冲，A输 出负脉冲，QlA和Q2B导通，如图3及图3a所示，后半周期B输出正脉冲，S输出负脉冲，Q2A 和QlB导通，发射电路驱动压电陶瓷（SEN),无变压器发射电路，在发射状态时等效电路如 图4所示，对外发射10-16个周期超声波(超声波频率40KHZ-68KHZ)脉冲信号，脉冲发射 周期为T(T=30mS-40m巧信号，发送完毕后，探头接收到障碍物反射超声波信号，信号送入 接收放大电路，进行信号放大、滤波、模数转换处理，记录信号发送和接收的时间差，根据此 时间差计算障碍物距离，并输出报警信号或进行泊车等功能。 然而，所述无变压器驱动压电陶瓷超声波发射电路，其缺陷在于：余振比较大，超 声波雷达探测盲区较大，所W减小余振成了技术的关键。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路，W减 小压电陶瓷余振，且不影响电路灵敏度。 为达成上述目的，本技术的解决方案为： [000引一种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路，包括控制和处理电路MCU、驱动 电路、发射电路、接收放大电路及并联谐振电路；驱动电路的输入端与控制和处理电路MCU 连接，而输出端与发射电路连接，而压电陶瓷输入端与发射电路，输出端与接收放大电路连 接，接收放大电路与控制和处理电路MCU连接；所述并联谐振电路与压电陶瓷并联连接，且 并联谐振电路通过控制开关管Q3B控制其通断，由控制和处理电路MCU输出控制信号，在信 号发射脉冲发射结束后，在t=lmS-5mS时间时间控制开关管Q3B导通压电陶瓷和并联谐振 电路并联，经过t=lmS-5mS时间后，控制开关管Q3B不导通。 进一步，所述控制开关管Q3B的G极与驱动电路连接，S极与压电陶瓷一端连接，而 D极与并联谐振电路一端连接，而并联谐振电路另一端与压电陶瓷另一端连接，控制开关管 Q3B控制并联谐振电路与压电陶瓷之间的通断。 采用上述方案后，本技术在现有技术的电路基础上增加一个并联谐振电路及 控制开关管Q3B，所述并联谐振电路与压电陶瓷并联连接，且并联谐振电路通过控制开关管 Q3B控制其通断，由控制和处理电路MCU输出控制信号，在信号发射脉冲发射结束后，在t时 间控制开关管Q3B导通压电陶瓷和并联谐振电路并联，减少余振，经过t时间后，控制开关 管Q3B不导通，大部分时间，控制开关管Q3B不导通，不影响电路灵敏度。 【附图说明】 图1是现有技术的无变压器发射电路图； 图2是现有技术控制和处理电路(MCU) A脚及A脚输出超声波信号示意图； 图2a是图2局部放大图； 图3是现有技术控制和处理电路(MCU) B脚及S脚输出超声波信号示意图； 图3a是图3局部放大图； 图4是现有技术的无变压器发射电路图在发射状态时等效电路图； 图5是本技术的电路图； 图6是本技术在发射状态时等效电路图； 图7是本技术控制和处理电路(MCU)输出控制信号示意图。 标号说明 [002。 控制和处理电路（MCU) 10 驱动电路20 发射电路30 接收放大电路40 压电陶瓷50 控制和处理电路MCUl 驱动电路2 发射电路3 接收放大电路4 并联谐振电路5 压电陶瓷6。 【具体实施方式】 W下结合附图及具体实施例对本技术做详细的说明。 参阅图5至图7所示，本技术掲示的一种倒车雷达无变压器发射电路减小余 振电路，包括控制和处理电路MCUl、驱动电路2、发射电路3、接收放大电路4、并联谐振电路 5及压电陶瓷6。 驱动电路2的输入端与控制和处理电路MCUl连接，而输出端与发射电路3连接， 而压电陶瓷6输入端与发射电路3,输出端与接收放大电路5连接，接收放大电路5与控制 和处理电路MCUl连接。 其中，所述发射电路3由MOS管Q1A、M0S管Q2A、M0S管Q1B、M0S管Q2B组成，MOS 管QlA的G极与驱动电路2B脚连接，S极与MOS管Q2A的S极连接，而D极与MOS管QlB 的D极连接，并连接至压电陶瓷6 -端；MOS管Q2A的G极与驱动电路2A脚连接，而D极与 MOS管Q2B的D极连接，并连接至压电陶瓷6另一端；MOS管QlB的G极与驱动电路2A脚连 接，而S极与MOS管Q2B的S极连接；MOS管Q2B的G极与驱动电路逃脚连接。 所述并联谐振电路5与压电陶瓷6并联连接，且并联谐振电路5通过控制开关管 Q3B控制其通断，由控制和处理电路MCUl输出控制信号，在信号发射脉冲发射结束后，在 t=lmS-5mS时间控制开关管Q3B导通压电陶瓷6和并联谐振电路5并联，经过t=lmS-5mS时 间后，控制开关管Q3B不导通，t=lmS-5mS根据产品性能要求而定。 所述控制开关管Q3B的G极与驱动电路2连接，S极与压电陶瓷6 -端连接，而D 极与并联谐振电路5 -端连接，而并联谐振电路5另一端与压电陶瓷6另一端连接，控制开 关管Q3B控制并联谐振电路5与压电陶瓷6之间的通断。 本技术在现有技术的电路基础上增加一个并联谐振电路5及控制开关管 Q3B，所述并联谐振电路5与压电陶瓷6并联连接，且并联谐振电路5通过控制开关管Q3B控 巧喊通断，由控制和处理电路MCUl输出控制信号，如图7所示，而本技术在发射状态时 等效电路如图6所示，在信号发射脉冲发射结束后，在t时间控制开关管Q3B导通压电陶瓷 6和并联谐振电路5并联，减少余振，经过t时间后，控制开关管Q3B不导通，大部分时间，控 制开关管Q3B不导通，不影响电路灵敏度。 0=宗本实歷型舰4 t剛附加的前去来降低品质瞧Q值，纖谐振 电路Q值公式： [本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路，其特征在于：包括控制和处理电路MCU、驱动电路、发射电路、接收放大电路、控制开关管Q3B及并联谐振电路；驱动电路的输入端与控制和处理电路MCU连接，而输出端与发射电路连接，而压电陶瓷输入端与发射电路，输出端与接收放大电路连接，接收放大电路与控制和处理电路MCU连接；所述控制开关管Q3B的G极与驱动电路连接，S极与压电陶瓷一端连接，而D极与并联谐振电路一端连接，而并联谐振电路另一端与压电陶瓷另一端连接，驱动电路通过控制控制开关管Q3B的导通与否来控制并联谐振电路与压电陶瓷之间的通断。
【技术特征摘要】
1. 一种倒车雷达无变压器发射电路减小余振电路，其特征在于：包括控制和处理电路 MCU、驱动电路、发射电路、接收放大电路、控制开关管Q3B及并联谐振电路；驱动电路的输 入端与控制和处理电路MCU连接，而输出端与发射电路连接，而压电陶瓷输入端与发射电 路，输出端与接收放大电...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丁阳，王天福，
申请(专利权)人：同致电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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