一种中性透过色的单银LOW-E玻璃制造技术

一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层、AZO平整层、Cu层、Ag层、CrNxOy膜层、以及SnO2顶层介质层。本发明专利技术的透过色更中性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层、AZO平整层、Cu层、Ag层、CrNxOy膜层、以及SnO2顶层介质层。本专利技术的透过色更中性。【专利说明】 —种中性透过色的单银LOW-E玻璃
: 本专利技术涉及一种中性透过色的单银LOW-E玻璃。
技术介绍
: LOff-E玻璃，是一种高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品。 随着现代建筑的发展，人们审美观念的提高，对幕墙玻璃的外观色调与整体的建筑的协调性越来越受到人们的关注。而在众多颜色中，中性色越来越受到人们的喜欢。许多大型的工程建筑不约而同的都采用了中性色。传统的单银LOW-E玻璃，由于功能层均采用Ag层，透过色偏绿。 故有必要对现有的单银LOW-E玻璃作出改进，以提供一种透过色呈中性的单银LOff-E玻璃。
技术实现思路
: 本专利技术的目的在于提供一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其透过色更中性。 一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层、AZO平整层、Cu层、Ag层、CrNxOy I旲层、以及SnO2顶层介质层。 本专利技术可通过如下方案进行改进: 所述SnO2底层介质层的厚度为30nm。 所述AZO平整层的厚度为10nm。 所述Cu层的厚度为3?5nm。 所述Ag层的厚度为8?10nm。 所述CrNxOy膜层的厚度为3nm。 所述SnO2顶层介质层的厚度为60nm。 本专利技术具有如下优点:1、本专利技术创造性地在Ag层前面，增加一层Cu层，从而在保证辐射率不变的情况下，使本专利技术的透过色更中性。2、具有比传统单银LOW-E玻璃更低的辐射率。 【专利附图】【附图说明】 : 图1为本专利技术结构剖视图。 【具体实施方式】 : 如图所示，一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层2、AZO平整层3、Cu层4、Ag层5、CrNxOy膜层6、以及SnO2顶层介质层7。 进一步地，所述SnO2底层介质层2的厚度为30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体溅射Sn靶，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最终在玻璃基材上形成SnO2底层介质层，氩氧比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。 再进一步地，所述AZO平整层3的厚度为10nm，用于平滑Cu层。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源溅射陶瓷Zn(AZO)靶，用氩气作为溅射气体，掺入少量氧气，其中，氩氧比为:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，最终形成AZO平整层，为Cu层、Ag层作铺垫，降低辐射率。 更进一步地，所述Cu层4的厚度为3?5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铜靶，用氩气作为溅射气体，气体流量500?550SCCM，最终形成Cu层，用以提供中性的透过色。 又进一步地，所述Ag层5的厚度为8?10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶，用氩气作为溅射气体，气体流量500?550SCCM，最终形成Ag层。 再进一步地，所述CrNxOy膜层6的厚度为3nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铬靶，用氮气做反应气体，渗少量氧气，最终形成CrNxOy膜层，提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。 更进一步地，所述SnO2顶层介质层7的厚度为60nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、用氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射锡靶，其中，氩氧比为(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最终形成SnO2顶层介质层，氩氧比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。 本专利技术创造性地在Ag层前面，增加一层Cu层，从而在保证辐射率不变的情况下，使本专利技术的透过色更中性。另外，本专利技术具有比传统单银LOW-E玻璃更低的辐射率。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并非用来限定本专利技术实施的范围，凡依本专利技术专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本专利技术专利涵盖的范围。【权利要求】1.一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层、AZO平整层、Cu层、Ag层、CrNxOy I旲层、以及SnO2顶层介质层。2.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述SnO2底层介质层的厚度为30nm。3.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述AZO平整层的厚度为10nm。4.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述Cu层的厚度为3?5nm。5.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述Ag层的厚度为8?10nm。6.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述CrNxOy膜层的厚度为3nm。7.根据权利要求1所述的一种中性透过色的单银LOW-E玻璃，其特征在于:所述SnO2顶层介质层的厚度为60nm。【文档编号】B32B33/00GK104309221SQ201410607113【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日 【专利技术者】陈圆, 禹幸福 申请人:中山市亨立达机械有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中性透过色的单银LOW‑E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SnO2底层介质层、AZO平整层、Cu层、Ag层、CrNxOy膜层、以及SnO2顶层介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈圆，禹幸福，
申请(专利权)人：中山市亨立达机械有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44