一种MEMS气体传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及气体检测技术领域，公开了一种MEMS气体传感器，包括单晶硅衬底；多孔硅层，形成于单晶硅衬底的上表面且具有一定深度，多孔硅层的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜，且多孔硅层与所述单晶硅衬底的上表面平齐；下绝缘层，覆盖多孔硅层及所述单晶硅衬底的上表面；以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层及气体敏感层。本实用新型专利技术的多孔硅层可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的其他气体传感器元件，避免传感器受力不均匀导致的变形破裂及在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时，所述多孔硅层的孔壁表面覆有二氧化硅薄膜，可以起到更好的保温隔热效果，降低功耗，提高气体传感器的探测灵敏度和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS气体传感器，其特征在于，包括： 单晶硅衬底(1)； 多孔硅层(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述多孔硅层(2)的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜(21)，且所述多孔硅层(2)与所述单晶硅衬底(1)的上表面平齐； 下绝缘层(3)，覆盖所述多孔硅层(2)及所述单晶硅衬底(1)的上表面； 加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述多孔硅层(2)的正上方区域内； 上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面； 气体敏感层(9)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面，且所述气体敏感层(9)位于所述加热层(4)的正上方区域内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈方平，张珽，祁明锋，刘瑞，丁海燕，谷文，
申请(专利权)人：苏州能斯达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32