本发明专利技术公开了一种可变增益的模拟加法器，包括第一偏置电流源、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻。所述第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻作为模拟加法器的输出负载，通过调节控制电压Vb1和Vb2，改变第八MOS晶体管和第九MOS晶体管的导通电阻，从而调节整个模拟加法器的输出阻抗，最终在差分输出端（Vop和Von）反映为模拟加法器的增益发生改变。
【技术实现步骤摘要】
—种可变增益的模拟加法器
本专利技术涉及模拟集成电路
，涉及一种可变增益的模拟加法器。
技术介绍
随着模拟集成电路技术的发展，对芯片的面积和功耗提出了越来越高的要求，需要实现模拟信号处理的电路尽量结构简单、面积小和功耗低。模拟加法器和可变增益放大器是模拟信号处理中常用的两个模块，而且是经常级联在一起使用的，分别独立实现信号的相加和增益的变化功能，两个模块连接之后可以实现信号的相加和增益的变化。因为使用了两个模块，所以电路结构复杂、芯片面积大功耗高。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有技术的不足，提出了一种可变增益的模拟加法器，同时实现信号的相加和增益变化功能，将大大简化电路结构，减小芯片面积和功耗。 本专利技术技术方案是:一种可变增益的模拟加法器，包括第一偏置电流源、第一 MOS晶体管、第二 MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻。 其中第一偏置电流源一端连接至电压源VDD，另一端接至第一 MOS晶体管的漏极、第一 MOS晶体管的栅极、第二 MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极； 第一 MOS晶体管的漏极连接至自身的栅极，并连接至第二 MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极，第一 MOS晶体管的源级连接至地； 第二 MOS晶体管的漏极连接至第四MOS晶体管的源级和第五MOS晶体管的源级，第二 MOS晶体管的栅极连接至第一 MOS晶体管的栅极、第一 MOS晶体管的漏极和第三MOS晶体管的栅极，第二 MOS晶体管的源级接地，第二 MOS晶体管的作用是尾电流源； 第三MOS晶体管的漏极连接至第六MOS晶体管的源级和第七MOS晶体管的源级，第三MOS晶体管的栅极连接至第二 MOS晶体管的栅极、第一 MOS晶体管的栅极和漏极，第三MOS晶体管的源级接地，第三MOS晶体管的作用是尾电流源； 第四MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第四MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的正向输入端IP，第四MOS晶体管的源级连接至第五MOS晶体管的源级和第二 MOS晶体管的漏级；第五MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop,第五MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的反向输入端IN,第五MOS晶体管的源级连接至第四MOS晶体管的源级和第二 MOS晶体管的漏级；所述第四MOS晶体管和第五MOS晶体管构成第一输入差分对管； 第六MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第六MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的正向输入端QP，第六MOS晶体管的源级连接至第七MOS晶体管的源级和第三MOS晶体管的漏级；第七MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第七MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的反向输入端QN，第七MOS晶体管的源级连接至第六MOS晶体管的源级和第三MOS晶体管的漏级；所述第六MOS晶体管和第七MOS晶体管构成第二输入差分对管； 第八MOS晶体管的漏极连接至第五电阻相对于Von的另一端，第八MOS晶体管的栅极接控制电压Vb2，第八MOS晶体管的源级连接至第六电阻相对于Vop的另一端；第八MOS晶体管在此起到开关的作用； 第九MOS晶体管的漏极连接至第三电阻相对于Von的另一端，第九MOS晶体管的栅极接控制电压Vbl，第九MOS晶体管的源级连接至第四电阻相对于Vop的另一端；第九MOS晶体管在此起到开关的作用； 第一电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的反向输出端Von ； 第二电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop ； 第三电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第九MOS晶体管的漏极； 第四电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop，另一端连接至第九MOS晶体管的源级； 第五电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第八MOS晶体管的漏极； 第六电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop,另一端连接至第八MOS晶体管的源级； 所述第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻作为模拟加法器的输出负载，通过调节控制电压Vbl和Vb2，改变第八MOS晶体管和第九MOS晶体管的导通电阻，从而调节整个模拟加法器的输出阻抗，最终在差分输出端(Vop和Von)反映为模拟加法器的增益发生改变； 本专利技术与传统现有技术相比，具有的优点和效果是:大大简化了电路结构，减小了芯片面积和功耗。 【附图说明】 图1是本专利技术所述的可变增益的模拟加法器电路原理图； 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术做详细说明。 参见图1，一种可变增益的模拟加法器包括第一偏置电流源Idcl、第一 MOS晶体管Ml、第二 MOS晶体管M2、第三MOS晶体管M3、第四MOS晶体管M4、第五MOS晶体管M5、第六MOS晶体管M6、第七MOS晶体管M7、第八MOS晶体管M8、第九MOS晶体管M9、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6。 其中第一偏置电流源Idcl —端连接至电压源VDD，另一端接至第一 MOS晶体管Ml的漏极、第一 MOS晶体管Ml的栅极、第二 MOS晶体管M2的栅极和第三MOS晶体管M3的栅极； 第一 MOS晶体管Ml的漏极连接至自身的栅极，并连接至第二 MOS晶体管M2的栅极和第三MOS晶体管M3的栅极，第一 MOS晶体管Ml的源级连接至地； 第二 MOS晶体管M2的漏极连接至第四MOS晶体管M4的源级和第五MOS晶体管M5的源级，第二MOS晶体管M2的栅极连接至第一MOS晶体管Ml的栅极、第一 MOS晶体管Ml的漏极和第三MOS晶体管M3的栅极，第二 MOS晶体管M2的源级接地，第二 MOS晶体管M2的作用是尾电流源； 第三MOS晶体管M3的漏极连接至第六MOS晶体管M6的源级和第七MOS晶体管M7的源级，第三MOS晶体管M3的栅极连接至第二 MOS晶体管M2的栅极、第一 MOS晶体管Ml的栅极和漏极，第三MOS晶体管M3的源级接地，第三MOS晶体管M3的作用是尾电流源； 第四MOS晶体管M4的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第四MOS晶体管M4的栅极连接至第一输入差分信号的正向输入端IP，第四MOS晶体管M4的源级连接至第五MOS晶体管M5的源级和第二 MOS晶体管M2的漏级；第五MOS晶体管M5的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop,第五MOS晶体管M5的栅极连接至第一输入差分信号的反向输入端IN，第五MOS晶体管M5的源级连接至第四MOS晶体管M4的源级和第二 MOS晶体管M2的漏级；所述第四MOS晶体管M4和第五MOS晶体管M5构成第一输入差分对管； 第六MOS晶体管M6的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第六MOS晶体管M6的栅极连接至第二输入差分信号的正向输入端QP，第六MOS晶体管M6的源级连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可变增益的模拟加法器，其特征在于：包括第一偏置电流源、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第一偏置电流源一端连接至电压源VDD，另一端分别接至第一MOS晶体管的漏极、第一MOS晶体管的栅极、第二MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极；所述第一MOS晶体管的漏极分别连接至自身的栅极、第二MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极，第一MOS晶体管的源级连接至地；所述第二MOS晶体管的漏极连接至第四MOS晶体管的源级和第五MOS晶体管的源级，第二MOS晶体管的栅极连接至第三MOS晶体管的栅极，第二MOS晶体管的源级接地，第二MOS晶体管的作用是尾电流源；所述第三MOS晶体管的漏极连接至第六MOS晶体管的源级和第七MOS晶体管的源级，第三MOS晶体管的源级接地，第三MOS晶体管的作用是尾电流源；所述第四MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第四MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的正向输入端IP，第四MOS晶体管的源级还连接至第五MOS晶体管的源级；所述第五MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第五MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的反向输入端IN；所述第四MOS晶体管和第五MOS晶体管构成第一输入差分对管；所述第六MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第六MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的正向输入端QP，第六MOS晶体管的源级连接至第七MOS晶体管的源级；所述第七MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第七MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的反向输入端QN；所述第六MOS晶体管和第七MOS晶体管构成第二输入差分对管；所述第八MOS晶体管的漏极连接至第五电阻相对于Von的另一端，第八MOS晶体管的栅极接控制电压Vb2，第八MOS晶体管的源级连接至第六电阻相对于Vop的另一端；第八MOS晶体管在此起到开关的作用；所述第九MOS晶体管的漏极连接至第三电阻相对于Von的另一端，第九MOS晶体管的栅极接控制电压Vb1，第九MOS晶体管的源级连接至第四电阻相对于Vop的另一端；第九MOS晶体管在此起到开关的作用；第一电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的反向输出端Von；第二电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop；第三电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第九MOS晶体管的漏极；第四电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop，另一端连接至第九MOS晶体管的源级；第五电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第八MOS晶体管的漏极；第六电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop，另一端连接至第八MOS晶体管的源级。...
【技术特征摘要】
1.一种可变增益的模拟加法器，其特征在于:包括第一偏置电流源、第一 MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻； 所述第一偏置电流源一端连接至电压源VDD，另一端分别接至第一 MOS晶体管的漏极、第一 MOS晶体管的栅极、第二 MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极； 所述第一MOS晶体管的漏极分别连接至自身的栅极、第二MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极，第一 MOS晶体管的源级连接至地； 所述第二 MOS晶体管的漏极连接至第四MOS晶体管的源级和第五MOS晶体管的源级，第二 MOS晶体管的栅极连接至第三MOS晶体管的栅极，第二 MOS晶体管的源级接地，第二MOS晶体管的作用是尾电流源； 所述第三MOS晶体管的漏极连接至第六MOS晶体管的源级和第七MOS晶体管的源级，第三MOS晶体管的源级接地，第三MOS晶体管的作用是尾电流源； 所述第四MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第四MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的正向输入端IP，第四MOS晶体管的源级还连接至第五MOS晶体管的源级； 所述第五MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第五MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的反向输入端IN ;所述第四MOS晶体管和第五MOS晶体管构成第一输入差分对管...
【专利技术属性】
技术研发人员：申向顺，李波，李卫斌，王红丽，姜恩春，
申请(专利权)人：陕西北斗恒通信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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