一种有源矩阵基板的制造方法，在像素区域形成栅极配线，并且在边框区域(17)形成多个配线层(26、27)。接着，形成覆盖配线层(26、27)和栅极配线的栅极绝缘层(32)和半导体材料层(35)。接着，形成在像素区域覆盖半导体材料层(35)的第1抗蚀剂和分别覆盖配线层(26、27)之间的栅极绝缘层(32)的第2抗蚀剂(42)。接着，对从第1和第2抗蚀剂(42)露出的半导体材料层(35)进行干式蚀刻，由此形成半导体元件的半导体层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种有源矩阵基板的制造方法，在像素区域形成栅极配线，并且在边框区域(17)形成多个配线层(26、27)。接着，形成覆盖配线层(26、27)和栅极配线的栅极绝缘层(32)和半导体材料层(35)。接着，形成在像素区域覆盖半导体材料层(35)的第1抗蚀剂和分别覆盖配线层(26、27)之间的栅极绝缘层(32)的第2抗蚀剂(42)。接着，对从第1和第2抗蚀剂(42)露出的半导体材料层(35)进行干式蚀刻，由此形成半导体元件的半导体层。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，液晶显示装置等薄型的显示装置(平板显示器)被广泛用作例如智能手机、平板型PC等电子设备的显示装置。 这样的显示装置具有作为有源矩阵基板的第I基板和与第I基板相对的第2基板。例如，在液晶显示装置中，在第I基板与第2基板之间设有液晶层。另外，在有机EL显示装置中，在第I基板与第2基板之间设有发光层。 并且，上述显示装置具有:沿着第I基板和第2基板的外缘的作为非显示区域的边框区域；以及形成于该边框区域的内侧的像素区域。在像素区域形成有设有半导体元件的多个像素。在第I基板中的边框区域相互并行地配置有从像素区域引出的多个配线层。 边框区域的配线层为长条，所以容易带比较大的电荷量。因此，在配线层彼此之间发生静电放电(Electro-Static Discharge ；ESD),由此有覆盖该配线层的绝缘层发生绝缘破坏的问题。 对此，专利文献I所记载的有源矩阵基板在边框区域中具有:形成于绝缘性基板的表面的包含金属的多个遮光层；覆盖遮光层的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层的整个表面的半导体层；以覆盖相邻的上述遮光层之间的方式形成于半导体层的表面的多个配线层；以及覆盖配线层的保护绝缘层。上述半导体层在与构成像素区域的半导体元件的半导体层相同的工序中形成。 根据该构成，因为形成有以遮光层为栅极、以配线层为源极漏极的晶体管，所以带电的配线层彼此的电位差变高时，电荷可通过半导体层从一方配线层向另一方配线层移动。因此，可抑制由于ESD导致的保护绝缘层的绝缘破坏。 现有技术文献_9] 专利文献 专利文献1:特开平一 225394号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而，与配线层配置于栅极绝缘层上的上述专利文献I的构成相反，在配线层被栅极绝缘层覆盖的情况下，有可能在对形成于栅极绝缘层的表面的半导体层进行干式蚀刻时栅极绝缘层由于ESD而发生绝缘破坏。 但是，在这样的情况下，因为配线层不像上述专利文献I那样构成晶体管，所以有不能防止由于ESD导致的栅极绝缘层的绝缘破坏的问题。 本专利技术是鉴于这样的方面完成的，其目的在于:在制造在边框区域中配线层被栅极绝缘层覆盖的有源矩阵基板的情况下，能防止由于配线层彼此的静电放电而导致的栅极绝缘层的绝缘破坏。 用于解决问题的方案 为了达成上述的目的，第I专利技术的有源矩阵基板的制造方法具有:在形成多个半导体元件的像素区域形成栅极配线，并且在作为上述像素区域的外侧周围的区域的边框区域形成包含与上述栅极配线相同的材料且相互并行地延伸的多个配线层的工序；在上述边框区域和像素区域形成覆盖上述配线层和栅极配线的栅极绝缘层的工序；在上述边框区域和像素区域中的上述栅极绝缘层的表面形成半导体材料层的工序；形成第I抗蚀剂和第2抗蚀剂的工序，上述第I抗蚀剂在上述像素区域中覆盖上述半导体材料层，上述第2抗蚀剂分别覆盖设于相互相邻的上述配线层之间的上述栅极绝缘层；以及对从上述第I抗蚀剂和第2抗蚀剂露出的上述半导体材料层进行干式蚀刻，由此形成构成上述半导体元件的半导体层的工序。 根据本专利技术，因为在对半导体材料层进行干式蚀刻的工序中，设于相邻的配线层之间的栅极绝缘层被第2抗蚀剂覆盖，所以在该配线层彼此之间不发生静电放电。因此，能防止覆盖配线层的栅极绝缘层的绝缘破坏。 第2专利技术的特征在于，在上述第I专利技术中，还具有在对上述半导体材料层进行干式蚀刻的工序后进行的、形成分别覆盖设于相互相邻的上述配线层之间的栅极绝缘层的遮光层的工序。 根据本专利技术，因为配线层之间被遮光层遮光，所以能防止边框区域中的漏光。而且，因为配线层之间的栅极绝缘层不发生绝缘破坏，所以能防止隔着遮光层的配线层彼此的短路。 第3专利技术的特征在于，在上述第2专利技术中，在形成上述遮光层的工序中，利用与构成上述半导体元件的源极电极相同的材料形成上述遮光层。 根据本专利技术，因为能在与源极电极相同的工序中形成遮光层，所以能避免由于设置遮光层导致的工序数量的增加。 第4专利技术以通过使有源矩阵基板和相对基板贴合而制造显示装置的方法为对象。并且，制造上述有源矩阵基板的工序包含:在形成多个半导体元件的像素区域形成栅极配线，并且在作为上述像素区域的外侧周围的区域的边框区域形成包含与上述栅极配线相同的材料且相互并行地延伸的多个配线层的工序；在上述边框区域和像素区域形成覆盖上述配线层和栅极配线的栅极绝缘层的工序；在上述边框区域和像素区域中的上述栅极绝缘层的表面形成半导体材料层的工序；形成第I抗蚀剂和第2抗蚀剂的工序，上述第I抗蚀剂在上述像素区域中覆盖上述半导体材料层，上述第2抗蚀剂分别覆盖设于相互相邻的上述配线层之间的上述栅极绝缘层；以及对从上述第I抗蚀剂和第2抗蚀剂露出的上述半导体材料层进行干式蚀刻，由此形成构成上述半导体元件的半导体层的工序。 根据本专利技术，因为在对半导体材料层进行干式蚀刻的工序中，设于相邻的配线层之间的栅极绝缘层被第2抗蚀剂覆盖，所以在该配线层彼此之间不发生静电放电。因此，能防止覆盖配线层的栅极绝缘层的绝缘破坏。 第5专利技术的特征在于，在上述第4专利技术中，还具有在对上述半导体材料层进行干式蚀刻的工序后进行的、形成分别覆盖设于相互相邻的上述配线层之间的栅极绝缘层的遮光层的工序。 根据本专利技术，因为配线层之间被遮光层遮光，所以能防止边框区域中的漏光。而且，因为配线层之间的栅极绝缘层不发生绝缘破坏，所以能防止隔着遮光层的配线层彼此的短路。 第6专利技术的特征在于，在上述第5专利技术中，在形成上述遮光层的工序中，利用与构成上述半导体元件的源极电极相同的材料形成上述遮光层。 根据本专利技术，因为能在与源极电极相同的工序中形成遮光层，所以能避免由于设置遮光层导致的工序数量的增加。 专利技术效果 根据本专利技术，因为在对半导体材料层进行干式蚀刻的工序中，利用第2抗蚀剂覆盖设于相邻的配线层之间的栅极绝缘层，由此使得在配线层彼此之间不发生静电放电，所以能防止覆盖配线层的栅极绝缘层的绝缘破坏。 【专利附图】【附图说明】 图1是放大示出TFT基板的边框区域的俯视图。 图2是图1中的II — II线截面图。 图3是放大示出形成于像素区域的像素的TFT的俯视图。 图4是图3中的IV — IV线截面图。 图5是示出液晶显示装置的概略构成的截面图。 图6是放大示出TFT基板的一部分的俯视图。 图7是示出形成于玻璃基板的配线层的截面图。 图8是示出形成于半导体材料层的表面的第2抗蚀剂的截面图。 图9是示出利用干式蚀刻所形成的第2半导体层的截面图。 图10是示出形成于源极材料层的表面的第4抗蚀剂的截面图。 图11是示出形成于玻璃基板的栅极配线的截面图。 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有：在形成多个半导体元件的像素区域形成栅极配线，并且在作为上述像素区域的外侧周围的区域的边框区域形成包含与上述栅极配线相同的材料且相互并行地延伸的多个配线层的工序；在上述边框区域和像素区域形成覆盖上述配线层和栅极配线的栅极绝缘层的工序；在上述边框区域和像素区域中的上述栅极绝缘层的表面形成半导体材料层的工序；形成第1抗蚀剂和第2抗蚀剂的工序，上述第1抗蚀剂在上述像素区域中覆盖上述半导体材料层，上述第2抗蚀剂分别覆盖设于相互相邻的上述配线层之间的上述栅极绝缘层；以及对从上述第1抗蚀剂和第2抗蚀剂露出的上述半导体材料层进行干式蚀刻，由此形成构成上述半导体元件的半导体层的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上毅，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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