【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双向触发二极管芯片，其特征在于，包括： 形成于一衬底正面上的外延层； 形成于所述衬底与外延层之间的埋层； 形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区； 形成于所述基区中的发射区；以及 贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王英杰，徐敏杰，刘宪成，崔建，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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