摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法制造方法及图纸

技术编号:10886432 阅读:99 留言:0更新日期:2015-01-08 15:40
本发明专利技术涉及一种摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法。所述摄像头内微米级异物提取装置包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针,所述钨针的尖端曲率半径为90~110nm。本发明专利技术摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针,不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的异物,而且由于钨针的钨元素与异物成分不同因而可以实现将EDS分析时的基底信息完全扣除,更能有效得到真实异物成分结果,其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分,推测出异物源,指导工程改善,保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要,进而保证所生产的制品的品质。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。所述摄像头内微米级异物提取装置包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针,所述钨针的尖端曲率半径为90~110nm。本专利技术摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针,不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的异物,而且由于钨针的钨元素与异物成分不同因而可以实现将EDS分析时的基底信息完全扣除,更能有效得到真实异物成分结果,其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分,推测出异物源,指导工程改善,保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要,进而保证所生产的制品的品质。【专利说明】
本专利技术属于微米级异物提取
,具体涉及一种摄像头内微米级异物提取装 置及提取分析方法。
技术介绍
目前,随着制造技术的日臻完善以及市场需求,摄像头的更新速度不断加快,像素 越来越高,制品向着精密化方向发展。因此,摄像头中异物控制要求也越来越严格,微米级 异物对摄像头品质的影响已经成为主流。 由于EDS成分分析时电子束存在一定的击穿深度,而异物尺寸较小,因此分析结 果中会包含大量的基底(如传感器Sensor,红外滤光片IR-Fliter)等信息,或者用毛细管 拉制的玻璃针,成分与异物成分存在较多重合元素,不能准确判定异物成分从而推测其来 源,成为指导工程改善的一大壁垒。目前,还没有分析微米级异物成分的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷而提供一种摄像头内微米级异 物提取装置以及提取分析方法。 为实现本专利技术的目的所采用的技术方案是: -种摄像头内微米级异物提取装置,包括提取装置以及固定于所述提取装置上的 鹤针,所述鹤针的尖端曲率半径为90?110nm。 作为技术上的改进,所述钨针的尖端曲率半径为100nm。 优选的,所述钨针的纯度为99. 99%, 本专利技术的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法,采用所述摄像 头内微米级异物提取装置进行,具体包括以下步骤: 在金相显微镜下,利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头 内微米级异物进行提取; 将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上进行喷金处理; 将喷金处理后表面吸附异物的鹤针置于扫描电镜SEM设备中; 利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析,将结果中W元素扣除,得到真实的 异物成分。 本专利技术摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针,不但能利用物理吸附原理有 效吸附待分析的异物,而且由于钨针的钨元素与异物成分不同,因而能有效将提取吸附分 析过程中混杂其中的钨元素与异物中的成分区别开来,因而可以实现将EDS分析时的基底 信息完全扣除,更能有效得到真实异物成分结果,其可以方便、快速、准确地测定摄像头内 异物成分,推测出异物源,指导工程改善,保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用 需要,进而保证所生产的制品的品质。 【专利附图】【附图说明】 图1所示为本专利技术实施例提供的一种摄像头内微米级异物提取装置的结构示意 图; 图2A为待提取异物在摄像头传感器(Sensor)上的电子图像; 图2B为将异物提取到钨针上的电子图像; 图3为将吸附有异物的钨针置于SEM中进行EDS分析的电子图像。 【具体实施方式】 下面,结合实例对本专利技术的实质性特点和优势作进一步的说明,但本专利技术并不局 限于所列的实施例。 请参阅图1,一种摄像头内微米级异物提取装置,包括提取装置20以及固定于所 述提取装直上的鹤针10,所述鹤针的尖端曲率半径为90?llOnm。 所述的提取装置20为市购器件,对此不再进行详细说明。 作为技术上的改进,所述钨针的尖端曲率半径为100nm。 优选的,所述钨针可以采用电化学腐蚀原理制备,要求纯度达到99. 99%,具体可 以利用电化学腐蚀纯度为99. 99%的钨丝方法制备,制备完成后固定在提取装置20上,并 保证其稳定,以便在异物提取过程中不发生晃动。由于钨针半径和提取装置20的安装孔的 内径存在一定差异,两者之间用双面胶固定,保证钨针在提取装置20中的稳定性。 本专利技术的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法,采用所述摄像 头内微米级异物提取装置进行,具体包括以下步骤: 在金相显微镜下,利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头 内微米级异物进行,使异物吸附在钨针表面; 将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上,并保持吸附异物的方向垂直 向上后进行喷金处理; 将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中,找到异物; 利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析,将结果中W元素扣除,得到真实的 异物成分,并推测异物成分来源。 通过图2A-B所示,在金相显微镜下对摄像头传感器(Sensor)上的异物进行提取, 并在利用X-射线能谱仪(EDS)对异物进行成分分析,分析结果如下: 【权利要求】1. 一种摄像头内微米级异物提取装置,其特征在于,包括提取装置以及固定于所述提 取装置上的钨针,所述钨针的尖端曲率半径为90?llOnm。2. 根据权利要求1所述微米级异物提取装置,其特征在于,所述钨针的尖端曲率半径 为 lOOnm。3. 根据权利要求1或2所述摄像头内微米级异物提取装置,其特征在于,所述钨针的纯 度为 99. 99%。4. 一种摄像头内微米级异物提取分析方法,其特征在于,采用权利要求1-3任一项所 述摄像头内微米级异物提取装置进行,具体包括以下步骤: 在金相显微镜下,利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对微米级异物 进行提取; 将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上进行喷金处理; 将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中; 利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析,将结果中W元素扣除,得到真实的异物 成分。【文档编号】G01N1/02GK104266859SQ201410557067【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年10月20日 优先权日:2014年10月20日 【专利技术者】李朝玲 申请人:三星高新电机(天津)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像头内微米级异物提取装置,其特征在于,包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针,所述钨针的尖端曲率半径为90~110nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李朝玲
申请(专利权)人:三星高新电机天津有限公司
类型:发明
国别省市:天津;12

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