一种微晶镜面抛光墙面砖，属于陶质施釉砖技术领域。包括底砖，其特征在于：所述的底砖为陶坯底砖（1），在所述的陶坯底砖（1）上设有由自下而上逐层施加的底釉层（2）、面釉层（3）、喷花层（4）、全抛釉层（5）形成的秞面层。本实用新型专利技术的微晶镜面抛光砖中增加特定组成的发色面釉层，使得本实用新型专利技术微晶镜面抛光砖在陶坯底砖上实现了釉下彩。解决了低温烧结的陶质砖的釉层间膨胀系数不匹配的问题，釉面不会发生开裂。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种微晶镜面抛光墙面砖，属于陶质施釉砖
。包括底砖，其特征在于：所述的底砖为陶坯底砖（1），在所述的陶坯底砖（1）上设有由自下而上逐层施加的底釉层（2）、面釉层（3）、喷花层（4）、全抛釉层（5）形成的秞面层。本技术的微晶镜面抛光砖中增加特定组成的发色面釉层，使得本技术微晶镜面抛光砖在陶坯底砖上实现了釉下彩。解决了低温烧结的陶质砖的釉层间膨胀系数不匹配的问题，釉面不会发生开裂。【专利说明】一种微晶镜面抛光墙面砖
—种微晶镜面抛光墙面砖,属于陶质施釉砖
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技术介绍
陶瓷砖从底坯的用料可以分为瓷质砖和陶质砖两类。目前的技术中只有在瓷质底坯的砖中应用全抛釉技术制得微晶砖。瓷质砖采用一次烧成工艺，即在未烧制的素坯上堆积各种釉和喷花后一次煅烧即得。因为瓷的烧成温度较高，大都在1200°C以上，甚至有的达到1400°C左右。所得瓷质砖在高温下能够更好的发色，喷花层之上的抛光釉层透明度也较高，也不会出现鼓泡、气孔、釉面不平的现象。 但是陶质砖因为底坯是陶质的原因，需采用二次烧结工艺，即先进行素坯烧结，再在烧结陶坯上施釉后进行二次烧结。陶的烧成温度最低达到800°C以下，最高也只有1100°C左右。因为陶质砖釉层间膨胀系数不匹配的原因，造成釉层易龟裂、表面抛光亮度低的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种不易磨损、表面抛光亮度高的微晶镜面抛光砖。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:该微晶镜面抛光砖，包括底砖，其特征在于:所述的底砖为陶坯底砖，在所述的陶坯底砖上设有由自下而上逐层施加的底釉层、面釉层、喷花层、全抛釉层形成的釉面层。 本技术微晶镜面抛光砖的特点是在陶坯底砖上实现了釉下彩，即喷花层之上还有透明的全抛釉层。通过在底釉层和喷花层之间加设面釉层，解决了低温烧结的陶质砖的釉层间膨胀系数不匹配的问题，釉面不会发生开裂。从而使微晶镜面抛光砖的喷花层和全抛釉层结合牢固可靠，全抛釉层的釉面平整、透明度高。因为喷花层之上有更抗磨的全抛釉层，喷花层的花面不会出现磨损，花面保持时期更长久。 所述的陶坯底砖的底面上设有防脱凸起。在微晶镜面抛光砖在立墙上使用时粘接牢固。不易脱落。 所述的面釉层的厚度为0.15 mm?0.3mm。发色面釉的发色作用保证喷墨在陶的烧成温度下发色完全，发色面釉的厚度在该范围时能够保证发色不受底釉的影响，应能保证陶还底砖形成的气泡快速通过。 本技术的镜面抛光砖采用二次烧成工艺，热稳定性更好，亮度提高，从传统的80%提高到95%以上。解决了釉面不平表面毛糙有针孔的问题。 与现有技术相比，本技术的微晶镜面抛光砖所具有的有益效果是:本技术的微晶镜面抛光砖中增加特定组成的发色面釉层，使得本技术微晶镜面抛光砖在陶坯底砖上实现了釉下彩。解决了低温烧结的陶质砖的釉层间膨胀系数不匹配的问题，釉面不会发生开裂。从而使微晶镜面抛光砖的喷花层和全抛釉层结合牢固可靠，全抛釉层的釉面平整、透明度高，使得本技术的这种陶至墙面砖的釉面层形成镜面效果。板面平整洁净，色调均匀一致，纹理清新雅致、光泽柔和晶莹、质地坚硬细腻、不吸水、防污染、耐酸碱抗风化。通过发色面釉形成的发色作用保证喷墨在陶的烧成温度下发色完全，色彩效果更加。同时在发色面釉的保湿性下在喷花层外施加抛光釉后，釉层也不再龟裂、不起釉泡，表面抛光亮度也提高到95%以上。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术微晶镜面抛光砖的层状结构示意图。 其中:1、陶坯底砖2、底釉层 3、面釉层 4、喷花层5、全抛釉层6、防脱凸起。 【具体实施方式】 图1是本技术微晶镜面抛光砖的最佳实施例，下面结合附图1对本技术做进一步说明。 参照附图1:本技术的一种微晶镜面抛光墙面砖，包括陶坯底砖1，陶坯底砖I的上表面上自下而上逐层施加有底釉层2、面釉层3、喷花层4、全抛釉层5。底釉层2、面釉层3、喷花层4、全抛釉层5经烧制抛光后，形成具有镜面效果的釉面层。陶坯底砖I的底面上设有防脱凸起6。 为防止釉层在烧制过程中龟裂或起釉泡，陶坯底砖I在烧制成陶坯底砖后体膨胀系数在20(Γ210。底釉层2烧制时的体膨胀系数在21(Γ220。面釉层3烧制时的体膨胀系数在18(Γ185。全抛釉层5烧制时的体膨胀系数一般在16(Γ170。 具体制备方式为: I)将陶土原料在球磨、制粉、陈腐后压制成型制得素坯，将压制成型的素坯进行一次烧制，控制一次烧制的烧成温度在1060°C?1100°C，烧结时间43 min?48min，将一次烧制制得的陶坯底砖喷水处理，喷水量控制每0.18平米18?23克； 2)喷水后的陶坯底砖上先施加底釉，底釉的施加厚度为0.2 mm3mm，在底釉上再施加面釉，面釉的原料可以采用但不限于以下重量份组成:釉料100份、石英3?15份、高岭土 5?12份、纤维素0.15、.2份，原料一起球磨，面釉的施加厚度为0.15 mm?0.2mm，在面釉上进行喷墨制花，然后再淋上抛光釉； 3)对三层施釉后的陶坯底砖进行二次烧制，控制二次烧制的烧成温度在1080°C?1120°C，烧结时间为44 min?49min，二次烧制完成后经抛光即得。 以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非是对本技术作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的
技术实现思路
加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本技术技术方案内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本技术技术方案的保护范围。【权利要求】1.一种微晶镜面抛光墙面砖，包括底砖，其特征在于:所述的底砖为陶坯底砖(1)，在所述的陶坯底砖(I)上设有由自下而上逐层施加的底釉层(2)、面釉层(3)、喷花层(4)、全抛釉层(5)形成的釉面层。2.根据权利要求1所述的一种微晶镜面抛光墙面砖，其特征在于:所述的陶坯底砖(I)的底面上设有防脱凸起(6)。3.根据权利要求1所述的一种微晶镜面抛光墙面砖，其特征在于:所述的面釉层(3)的厚度为0.15 mm?0.3mm。【文档编号】C04B41/89GK204079810SQ201420531010【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月16日 优先权日:2014年9月16日 【专利技术者】李亮 申请人:淄博格伦凯陶瓷有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种微晶镜面抛光墙面砖，包括底砖，其特征在于：所述的底砖为陶坯底砖（1），在所述的陶坯底砖（1）上设有由自下而上逐层施加的底釉层（2）、面釉层（3）、喷花层（4）、全抛釉层（5）形成的秞面层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李亮，
申请(专利权)人：淄博格伦凯陶瓷有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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