【技术实现步骤摘要】
基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器
本技术涉及基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器。
技术介绍
光纤光栅传感器具有尺寸小，重量轻，抗电磁干扰，复用性好等其它类型传感器不 具备的优点，近年来发展迅速，各种光纤光栅传感产品得到开发并广泛应用。然而，光纤光 栅本身的抗电磁辐射干扰特性大大限制了其在磁场，特别是在弱磁场测量方面的发展。中 国专利CN1031634 93A通过测量光纤布拉格光栅的边模抑制比的变化量与外界磁场的变化 量之间的对应关系实现外界磁场的测量。但该专利技术涉及磁流体毛细管的灌入，操作较难控 制及光纤光栅边模抑制比解调时易受本底光噪声的干扰，因此该专利技术在弱磁场测量方面存 在着一定的约束性。
技术实现思路
为解决现有技术存在的不足，本技术公开了基于磁致伸缩材料的弱磁场单向 光纤光栅传感器，本专利技术首先通过电压放大电路、原边线圈、副边线圈实现外界弱磁场的同 频幅值放大；再通过磁致伸缩材料实现外界电磁场与光纤光栅波长之间对应关系的转换； 最终通过将光纤光栅波长的反演实现外界弱磁场的测量。此专利技术适用于潮湿、电磁千扰强 环境，实现弱磁场的测量。 为实现上述目的，本技术的具体方案如下： 基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器，包括原边线圈，原边线圈通过 电压放大电路与副边线圈相连，电压放大电路用于将原边线圈产生的感应电压放大，副边 线圈的中心处放置有磁致伸缩材料块，磁致伸缩材料块上放置有光纤光栅。 所述光纤光栅为敏感元件光纤光栅。 所述光纤光栅包括光纤光栅本体及与光纤光栅本体相连的尾纤。 ...
【技术保护点】
基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器，其特征是，包括原边线圈，原边线圈通过电压放大电路与副边线圈相连，电压放大电路用于将原边线圈产生的感应电压放大，副边线圈的中心处放置有磁致伸缩材料块，磁致伸缩材料块上放置有光纤光栅。
【技术特征摘要】
1. 基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器，其特征是，包括原边线圈，原边 线圈通过电压放大电路与副边线圈相连，电压放大电路用于将原边线圈产生的感应电压放 大，副边线圈的中心处放置有磁致伸缩材料块，磁致伸缩材料块上放置有光纤光栅。2. 如权利要求1所述的基于磁致伸缩材料的弱磁场单向光纤光栅传感器，其特征是， 所述光...
【专利技术属性】
技术研发人员：林蓝波，王鑫，高静，戚威，赵丽瑾，王洪建，赵静，王恬，
申请(专利权)人：山东省产品质量检验研究院，
类型：新型
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。