补给装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种补给装置。该补给装置包括：设有引入端口和排放端口的本体，包含多个分开的盖的盖单元，每个盖连接至本体的一端并适于围绕本体的一端旋转，以及打开和关闭调节器，该打开和关闭调节器支承每个盖的一个表面并围绕每个盖的连接至本体的一端的部分旋转每个盖。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术揭示了一种补给装置。该补给装置包括：设有引入端口和排放端口的本体，包含多个分开的盖的盖单元，每个盖连接至本体的一端并适于围绕本体的一端旋转，以及打开和关闭调节器，该打开和关闭调节器支承每个盖的一个表面并围绕每个盖的连接至本体的一端的部分旋转每个盖。【专利说明】补给装置本申请要求2013年7月11日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0066650的权益，其如在本文中完全阐述一样通过引用结合于此。
本申请涉及补给原材料的补给装置。
技术介绍
一般来说，单晶锭生长设备可包括具有限定在其中的空间的室、安装在室中以允许多晶原材料被引入其中并在其中熔化的坩埚、将坩埚加热以熔化多晶原材料的加热器、以及将晶种浸没在容纳在坩埚中的熔融液体内并逐渐提升正在生长的单晶锭的升降装置。 为了便于将原材料引入定位在室中的坩埚，需要补给原材料的装置。补给装置形成为设有引入端口、排放端口以及用于存储原材料的内部空间的容器形状。当该空间填充有原材料时，排放端口关闭，且当原材料被供应至坩埚时，排放端口打开。 当原材料被第一次引入坩埚时可使用补给装置，且当容纳熔融液体的坩埚补给原材料时，也可使用补给装置。 为了将原材料供应至坩埚，通过升降装置降低补给装置以邻接室中的坩埚。此外，当补给装置定位成邻接坩埚时，补给装置的排放端口可打开，且所存储的原材料可被引入坩埚。由于补给装置非常靠近坩埚中的熔融液体用以原材料的再供应，在补给过程中，补给装置可能被熔融液体污染。
技术实现思路
各实施例提供了一种补给装置，其能够防止由于熔融液体而带来的污染和对该补给装置周围的构成物的损坏。 在一个实施例中，补给装置包括:设有引入端口和排放端口的本体，包括多个分开的盖的盖单元，每个盖连接至本体的一端并适于围绕本体的一端旋转，以及打开和关闭调节器，打开和关闭调节器支承每个盖的一个表面并围绕每个盖的连接至本体的一端的部分旋转每个盖。 该盖单元可形成为在其中心处具有开口的板形状，通过将在其中心处具有开口的板分成至少两件来形成该盖。 本体的一端的外周表面可设有凸起，且每个盖连接至该凸起。 每个盖可包括:盖板，盖板设有上表面、下表面、定位在上表面与下表面之间的多个侧表面，以及从侧表面中的一个突出的延伸部分；以及将该延伸部分连接至凸起的连接部分。 该连接部分可包括:第一至第三螺母；第一固定螺栓，该第一固定螺栓设有具有第一通孔的一端和通过刺穿凸起联接至第一螺母的另一端；第二固定螺栓，该第二固定螺栓设有具有第二通孔的一端和通过刺穿凸起联接至第二螺母的另一端；以及连接螺栓，该连接螺栓通过穿过第一通孔、延伸部分和第二通孔而联接至第三螺母，其中，盖板围绕连接螺栓旋转。 刺穿凸起的第一固定螺栓和第二固定螺栓中的每个的横截面可具有多边形或十字形形状。 打开和关闭调节器可包括:支承锥体，该支承锥体支承每个盖板的下表面的一个区域；以及支承件，该支承件连接至支承锥体的上端并支承该支承锥体。 盖板的旋转角度可通过支承锥体的垂直运动进行调节。 该支承锥体在其中心处可设有允许支承件插入其中的沟槽，其中，支承件的插入沟槽的一端可联接至支承锥体的底部。 本体的相邻于引入端口的外周表面可设有沿水平方向突出的中断凸起。 该补给装置还可包括引导部分，该引导部分沿本体的径向延伸，两端固定至本体的相邻于引入端口的两个不同区域，并设有允许支承件插入其中的通孔。 填充本体的材料可以是具有范围从0.5mm至10mm直径的多晶体块。 在另一实施例中，补给装置包括:本体，该本体包含引入端口、排放端口以及布置在引入端口与排放端口之间的中空刺穿部分；盖单元，该盖单元包含多个盖，每个盖连接至本体的相邻于排放端口的一端；以及打开和关闭调节器，该打开和关闭调节器支承每个盖并旋转每个盖以打开和关闭排放端口。 当盖关闭排放端口时，该盖形成为板形状，所述板被分成多件并在其中心处具有开口。 该打开和关闭调节器包括:支承锥体，该支承锥体支承每个盖的下表面的一个区域；以及支承件，所述支承件连接至支承锥体的上端并支承该支承锥体。 每个盖可通过支承锥体的垂直运动围绕其连接至本体的一部分旋转。 该补给装置还可包括引导部分，该引导部分沿本体的径向延伸，两端固定至本体的相邻于引入端口的两个不同区域，并设有允许支承件插入其中的通孔。 该引导部分可形成为将被弯曲，引入端口通过弯曲引导部分而可被分成第一引入端口和第二引入端口，并且第一引入端口的尺寸可不同于第二引入端口的尺寸。 在另一实施例中，生长装置包括:室，该室设有沿水平方向从室的内壁突出的支承凸起；定位在室中的坩埚；补给装置，该补给装置存储原材料并将所存储的原材料供应至坩埚；以及升降装置，该升降装置在室内垂直移动补给装置，其中，补给装置包括:本体，该本体包括引入端口、排放端口以及形成在本体的相邻于引入端口的外周表面上并由支承凸起止挡并支承的止挡凸起；盖单元，该盖单元包括多个分开的盖，每个盖连接至本体的一端；支承锥体，该支承锥体支承每个盖的下表面；以及支承件，该支承件具有连接至所述支承锥体的上端的一端，以及连接至升降装置的另一端。 在补给装置的止挡凸起被室的支承凸起止挡并支承之后，盖围绕本体的一端旋转。 【专利附图】【附图说明】 被包括在内以提供对本专利技术的进一步理解并且被纳入其中并构成此申请的一部分的附图示出本专利技术的一个或多个实施例，并且与说明书一起用来说明本专利技术的原理。在附图中: 图1是示出根据实施例的补给装置的第一立体图； 图2是示出图1中所示的补给装置的第二立体图； 图3是示出图1中所示的补给装置的仰视图； 图4是示出图2中的虚线所指示的第一盖的分解立体图； 图5是示出图4中所示的第一盖的组装的立体图； 图6是示出图3中所示的多个盖板的平面图； 图7是示出支承图3中所示的盖板的打开和关闭调节器的立体图； 图8是示出沿图7中的线AB截取的图7的盖板以及打开和关闭调节器的剖视图； 图9是示出图7中所示的支承锥体的放大图； 图10是示出典型补给装置的剖视图； 图11是示出根据另一实施例的盖子的视图； 图12是示出图11中所示的盖子的盖板的视图； 图13是示出根据另一实施例的补给装置的立体图； 图14是示出含有根据实施例的补给装置的单晶生长装置的剖视图；以及 图15a至15c是示出使用根据实施例的补给装置用原材料填充坩埚的多个视图。 【具体实施方式】 从下面结合附图的说明将清楚地理解各实施例。在各实施例的描述中，将理解，当层(或薄膜)、区域、样式或结构被称为在另一层(或薄膜)、区域、键区或样式“上”时，技术术语“上”和“下”同时包括“直接”和“间接”的意思。另外，关于在每层“上”和“下”是基于附图进行参照。 将理解，为了使说明简化和清楚，一些元件的尺寸相对于其它元件夸张、省略或示意性示出。此外，附图中所示的各元件不需要按比例绘制。在所有附图中尽可能地用相同的附图标记标示相同或类似的部件。下面，将参考附图描述根据各实施例的补给装置以及包含其的单晶生长装置。 图1是示出根据一实施例的补给装置100的第一立体图，图2是示出图1中所示的补给装置100的第二立体图，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种补给装置，包括：本体，所述本体设有引入端口和排放端口；盖单元，所述盖单元包括多个分开的盖，每个盖连接至所述本体的一端并适于围绕所述本体的一端旋转；以及打开和关闭调节器，所述打开和关闭调节器支承每个盖的一个表面并围绕每个盖的连接至所述本体的一端的部分旋转每个盖。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张笑英，洪宁皓，
申请(专利权)人：LG矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR