导电性部件的制造方法、导电性部件、使用了该导电性部件的触控面板技术

本发明专利技术提供具有高导电性和高透明性、同时图案可见小、且难以因电化学迁移而引起绝缘不良的导电性部件及其制造方法；以及使用了该导电性部件的触控面板和显示装置。该导电性部件的制造方法包括以下工序：在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射性微粒的光散射性层中的任一种的工序；和，在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供具有高导电性和高透明性、同时图案可见小、且难以因电化学迁移而引起绝缘不良的导电性部件及其制造方法；以及使用了该导电性部件的触控面板和显示装置。该导电性部件的制造方法包括以下工序：在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射性微粒的光散射性层中的任一种的工序；和，在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工序。【专利说明】导电性部件的制造方法、导电性部件、使用了该导电性部件 的触控面板
本专利技术涉及导电性部件的制造方法、导电性部件、使用了该导电性部件的触控面 板等。
技术介绍
作为装载了触控面板的液晶显示屏或有机EL显示屏等显示装置（例如便携式信 息终端和移动电话）以及集成型太阳能电池等中使用的电极用导电材料，广泛利用了 ΙΤ0， 但是由于存在铟金属的储藏量少、起因于长波长区域的透过率低的色调、低电阻化需要高 温的热处理、抗弯曲性低等问题，因此正在对ΙΤ0的替代材料进行各种研究。 作为替代材料之一，有文献提出使用了导电性的金属纳米线的导电材料（例如专 利文献1)，金属纳米线在透明性、低电阻、使用金属量降低的方面优异，因而作为ΙΤ0玻璃 或ΙΤ0膜的替代材料的期望正在提高。 但是，金属纳米线为线结构，因而存在雾度值高、高湿热条件下的耐久性差的问 题。 另外，其中特别是在液晶显示屏、有机EL显示屏等或触控面板等显示装置之类的 需要图案化电极的装置中，在将透明电极图案化时具有金属纳米线的部分（导电性区域） 与不具有金属纳米线的部分（非导电性区域）的雾度值之差大，存在容易看到电极图案的 可见性的问题。 因此，例如在专利文献2中提出了下述方法：部分性切断金属纳米线，从而在非导 通部残留有金属纳米线或其碎片的金属纳米棒，由此减小导通部与非导通部的雾度之差。 另外，例如在专利文献3中提出了下述方法：利用基于能量射线照射或抗蚀剂的图案形成 方法，在导电性纳米纤维层形成尺寸为无法目视确认的微小针孔,形成非导通部，由此减小 导通部与非导通部的雾度差。 此外，例如在专利文献4中公开了通过等离子体处理或电晕处理将导电性纳米纤 维强制氧化而进行绝缘化的方法，为了解决图案可见的问题，正在积极地进行这些被称为 不可视（invisible)化或隐形（stealth)化等的技术开发。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :美国专利公报US2007/0074316号 专利文献2 :美国专利US8018568号 专利文献3 :日本特开2〇1〇-157400号公报 专利文献4 :日本特开2〇1〇_28754〇号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 专利文献3的利用能量射线的方法中，用于图案照射能量射线的设备和能量成本 高，难以实用化。此外，专利文献4存在无法适用于下述导电膜的问题，该导电膜为：为了赋 予耐氧化性、耐硫化性等环境耐性或耐热性而对导电性纤维适用了防腐蚀剂等的导电膜； 或者，以仅仅一部分导电性纤维露出至膜面、而大部分埋入膜中的方式形成的导电膜。本发 明人对上述专利文献中记载的技术进行了深入研究，结果可知，与完全除去导电性颗粒的 情况相比，这些技术会发生容易因电化学迁移（下文中也简称为迁移）引起绝缘不良的问 题。但是，若完全除去导电性颗粒，则残留有雾度的问题。 本专利技术是鉴于该现有技术问题而完成的，其提供具有高导电性和高透明性、同时 图案可见小、且难以因电化学迁移引起绝缘不良的导电性部件、其制造方法、使用了该导电 性部件的触控面板和显示装置。 用于解决课题的方案 根据上述课题本专利技术人进行了深入研究，结果发现，为了减小具有金属纳米线的 导电性区域与不具有金属纳米线的非导电性区域的雾度差，只要在非导电性区域形成含有 绝缘性的光散射性颗粒的光散射性层即可。另外，未预料到的是，本专利技术人还发现：通过为 该构成，难以引起迁移，从而完成了本专利技术。 能够解决上述课题的本专利技术的导电性部件的制造方法的特征在于，该导电性部件 的制造方法包括以下工序：在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射 性微粒的光散射性层中的任一种的工序；在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工 序。 优选的是，导电层与光散射性层的雾度的比例（光散射性层的雾度/导电层的雾 度）为0.7以上1.3以下。 另外优选的是，导电层和光散射性层包含由下述通式（II)表示的化合物水解和 缩聚而得到的基体。 M1 (OR1) aR24_a (II) (通式（II)中，Μ1表示选自Si、Ti和Zr中的元素，R1、!? 2各自独立地表示氢原子 或烃基，a表示2?4的整数。） 另外优选的是，金属纳米线的平均短轴长为150mn以下。 另外优选的是，金属纳米线的平均长轴长为Ιμηι?40 μιη。 另外优选的是，构成导电层的金属纳米线的含量在导电层中为i.〇mg/m 2? 150. Omg/m2。 另外优选的是，金属纳米线包含银。 另外优选的是，导电层与光散射性层的厚度之差为较薄的层的厚度的500%以下。 另外优选的是，以图案状形成的工序为下述工序：在导电层和光散射性层中的任 一种层上以图案状适用光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的开口部适用可溶解一种层的液体。 另外优选的是，以图案状形成的工序为下述工序：在导电层和光散射性层中的任 一种层上以图案状施加光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的开口部施加可溶解一种层的液体。 另外优选的是，在施加可溶解一种层的液体后，在光致抗蚀剂的开口部形成另一 种层，将光致抗蚀剂剥离。 另外优选的是，以图案状形成的工序为以图案状印刷导电层和光散射性层中的任 一种层的工序。 另外优选的是，以图案状形成的工序为对导电层和光散射性层中的任一种层进行 图案曝光、显影的工序。 另外优选的是，包括：在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层后，在形成 为图案状的导电层之间形成包含光散射性微粒的光散射性层。 另外优选的是，包括：在基板上以图案状形成包含光散射性微粒的光散射性层后， 在形成为图案状的光散射性层之间形成包含金属纳米线的导电层。 本专利技术的导电性部件的特征在于，该导电性部件具有基板、包含金属纳米线的导 电层、和至少包含光散射性微粒的光散射性层，相对于导电层的单位面积的金属纳米线的 根数，光散射性层的单位面积的金属纳米线的根数为5%以下，相对于光散射性层的单位面 积的光散射性微粒的个数，导电层的单位面积的光散射性微粒的个数为 5%以下。 优选的是，导电层与光散射性层的雾度的比例（光散射性层的雾度/导电层的雾 度）为0.7以上1.3以下。 本专利技术的偏振片的特征在于，该偏振片具有本专利技术的导电性部件。 本专利技术的圆偏振片的特征在于，该圆偏振片具有本专利技术的导电性部件。 本专利技术的显示装置的特征在于，该显示装置具有本专利技术的导电性部件。 本专利技术的显示装置的特征在于，该显示装置具有本专利技术的偏振片。 本专利技术的显示装置的特征在于，该显示装置具有本专利技术的圆偏振片。 本专利技术的触控面板的特征在于，该触控面板具有本专利技术的导电性部件。 专利技术的效果 根据本专利技术，能够提供具有高导电性和高透明性、同时图案可见小、且难以因电化 学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性部件的制造方法，其特征在于，该导电性部件的制造方法包括以下工序：在基板上以图案状形成包含金属纳米线的导电层和包含光散射性微粒的光散射性层中的任一种的工序；在以图案状形成的一种层之间形成另一种层的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：片桐健介，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP