TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

【技术实现步骤摘要】
TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置本申请是申请号为200880003082.8，国际申请日为2008年1月16日，专利技术名称为“TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置”的PCT申请的分案申请。
本专利技术涉及TFT液晶面板的物理性质(physicalproperty)测量方法以及TFT液晶面板的物理性质测量装置。
技术介绍
以往，就TFT(薄膜晶体管)液晶面板而言，在其电路构成方面，很难测量该TFT液晶面板中的液晶层的各种物理性质。所以，对于液晶层中所含的杂质离子的离子密度测量或电压保持率等各种物理性质的测量，通常来说是在具有TFT的实际的产品(TFT液晶面板)之外，另行制作不具有TFT的测试用液晶单元，使用该测试用液晶单元的材料评价来替代。但是，利用测试用液晶单元中的各种物理性质测量得到的测量结果当然与作为实际产品的TFT液晶面板中的各种物理性质不同。另外，还会产生在实际的产品之外另行制作测试用液晶单元的额外的成本。此外，自不用说无法测量实际的产品的各种物理性质，同时也无法测量可以在实际的产品中产生的次品的各种物理性质。根据此种情况，作为用于测量TFT液晶面板的电压保持率的技术，例如在日本特开2001-264805号公报中公开有如下所示的技术。即，根据日本特开2001-264805号公报中所公开的技术，在TFT的驱动时测量液晶面板的透过光强度的时间变化，使用电压-透过率特性曲线，将上述所测量出的透过光强度换算为电压，求出上述电压伴随着上述透过光强度的时间变化的衰减值，求出TFT液晶面板的电压保持率。但是，日本特开2001-264805号公报中所公开的TFT液晶面板的电压保持率测量方法由于是使用了光学的手法的测量方法，因此其精密度当然要劣于利用电气手法的测量方法。但是，在TFT液晶面板中，在其制造过程中，在该TFT液晶面板的液晶注入口附近会不规则地产生在本领域技术人员中称作注入口污染的不良区域。因此，希望有可以仅对TFT液晶面板中的期望的区域(像素)的液晶层进行物理性质测量的技术。根据此种技术，不仅可以发现上述注入口污染的发生区域，而且还可以发现该TFT液晶面板中故障等涉及的区域。但是，尚未提出过可以测量TFT液晶面板的期望的区域(像素)的液晶层的物理性质的技术，日本特开2001-264805号公报中所公开的技术当然也并非此种技术。
技术实现思路
本专利技术是鉴于如上所述的情况而做出的，其目的在于，提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，可以对每个期望的区域(像素)利用电气手法精密地测量能够作为实际的产品使用的TFT液晶面板的液晶层的各种物理性质。本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，具有：阻抗设定步骤，将上述TFT液晶面板中的TFT的源极-漏极间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤，对上述TFT液晶面板的液晶层施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤，测量在利用上述电压施加步骤施加了上述周期性地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流，测量上述液晶层的物理性质。另外，本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对上述TFT液晶面板的TFT的栅极施加规定值的电压的步骤；向上述TFT液晶面板的液晶层中写入脉冲电压的步骤；检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层的电位的变化而测量上述液晶层的电压保持率的步骤。另外，本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，具有：阻抗设定步骤，将上述TFT液晶面板中的TFT的源极-漏极间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤，对上述TFT液晶面板中的液晶层以及与该液晶层并联电连接的辅助电容，施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤，测量在利用上述电压施加步骤施加了上述周期性地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流和上述辅助电容中流过的过渡电流的合成电流，测量合成了上述液晶层的特性和上述辅助电容的特性的物理性质。本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对上述TFT液晶面板的TFT的栅极施加规定值的电压的步骤；向上述TFT液晶面板的液晶层及与该液晶层并联电连接的辅助电容中写入脉冲电压的步骤；检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层和上述辅助电容的合成后的电位的变化，测量上述液晶层和上述辅助电容的合成后的电压保持率的步骤。另外，本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，具有：三角波生成部，用于对上述TFT液晶面板的液晶层施加三角波电压；测量部，用于测量利用上述三角波生成部施加了三角波电压的上述液晶层中流过的过渡电流；栅极电位保持部，用于对上述TFT液晶面板中的TFT的栅极施加规定值的电压。另外，本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，具有：脉冲电压施加电路，用于向上述TFT液晶面板的液晶层中写入脉冲电压；电位变化检测电路，用于检测出利用上述脉冲电压施加电路施加了脉冲电压的上述液晶层的电位的变化，测量上述液晶层的电压保持率；栅极电位保持部，用于对上述TFT液晶面板的TFT的栅极施加规定值的电压。本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液晶面板的液晶层的物理性质测量方法，其特征在于，具有：设定步骤，在与上述TFT液晶面板的物理性质测量对象区域内的TFT对应的数据线上连接电流测量部，并且将与上述物理性质测量对象区域内的TFT对应的栅极线的电位保持为规定的电位；电压施加步骤，对上述物理性质测量对象区域内的上述液晶层施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤，测量利用上述电压施加步骤施加了上述周期性地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流，测量上述液晶层的物理性质。另外，本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是TFT液晶面板的液晶层的物理性质测量装置，其特征在于，具有：恒电压源，对上述TFT液晶面板的物理性质测量对象区域内的TFT的栅极施加规定值的电压；电压施加部，用于向上述物理性质测量对象区域内的上述TFT液晶面板的液晶层中写入脉冲电压；测量部，检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层的电位的变化，测量上述液晶层的电压保持率；反馈部，在利用上述测量装置对电压保持率的测量时，将上述物理性质测量对象区域内的上述TFT的源极的输出向上述电压施加部反馈。本专利技术的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是TFT液晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，具备：栅极电位保持部，将上述TFT液晶面板中的物理性质测量对象区域内的TFT所对应的栅极线的电位保持为规定的电位；三角波生成部，用于对上述TFT液晶面板的液晶层施加三角波电压；电流测量部，与上述物理性质测量对象区域内的TFT所对应的数据线连接，测量利用上述三角波生成部施加了三角波电压的上述液晶层中流过的过渡电流。附图说明图1A是概略地表示实现本专利技术的第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方法的装置构成的图。图1B是表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的栅极电极(41A、410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31)；向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B，400B)中写入脉冲电压，且将所述TFT(4A，400A)的源极电极(42A，420A)的电位保持为地电平的步骤(步骤S22、步骤S32)；检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B，400B)的电位的变化而测量所述液晶层(4B，400B)中的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33)，所述液晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动，该电场由利用所述TFT(4A，400A)驱动的像素电极(4D，400D)、与该像素电极(4D，400D)对应地设置的共用电极(4C、400C)形成，对所述共用电极施加脉冲电压。

【技术特征摘要】
2007.01.25 JP 2007-0152231.一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的栅极(41A、410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31)；向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B，400B)中写入脉冲电压，且将所述TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)的电位保持为地电平的步骤(步骤S22、步骤S32)；检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B，400B)的电位的变化而测量所述液晶层(4B，400B)中的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33)，所述液晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动，该电场由利用所述TFT(4A，400A)驱动的像素电极(4D，400D)、与该像素电极(4D，400D)对应地设置的共用电极(4C、400C)形成，对所述共用电极施加脉冲电压。2.根据权利要求1所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT(4A，400A)中的源极-漏极间的阻抗值设定为所述TFT中的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间可以通电的值的电压。3.一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的栅极(41A、410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31)；向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B，400B)及与该液晶层(4B，400B)并联电连接的辅助电容(4E)中写入脉冲电压，且将所述TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)的电位保持为地电平的步骤(步骤S22、步骤S32)；检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B，400B)和所述辅助电容(4E)的合成后的电位的变化，测量所述液晶层(4B，400B)和所述辅助电容(4E)的合成后的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33)，所述液晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动，该电场由利用所述TFT(4A，400A)驱动的像素电极(4D，400D)、与该像素电极(4D，400D)对应地设置的共用电极(4C、400C)形成，对所述共用电极施加脉冲电压。4.一种TFT液晶面板的物理性质测量装置，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量装置，其特征在于，具有：脉冲电压施加电路(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上胜，佐佐木邦彦，栗原直，久米康仁，
申请(专利权)人：东阳特克尼卡株式会社，夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP