接面位障萧特基二极管制造技术

一种接面位障萧特基二极管，包含：硅基板，具有上表面，下方具有N型埋层，上表面以及N型埋层之间为N型井；第一P型掺杂区，设置于N型井之中，并由上表面向下延伸；一金属层，覆盖于上表面，并位于第一P型掺杂区的一侧的上方；第二P型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧；以及第一N型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧。

【技术实现步骤摘要】
接面位障萧特基二极管
本专利技术是关于一种接面位障萧特基二极管(JunctionBarrierSchottkyDiode，JBSDiode)，特别是一种具有较佳的静电放电(ElectrostaticDischarge)效果的接面位障萧特基二极管。
技术介绍
图1为一般习用接面位障萧特基二极管100的剖面结构图。接面位障萧特基二极管100包括硅基板110、场氧化层(fieldoxide)120、场氧化层130、多个P型掺杂区140、金属层150、以及N型掺杂区160。硅基板110具有上表面111。硅基板110相对于上表面111的下方具有一N型埋层112(Nburiedlayer，NBL)。硅基板110的上表面111以及N型埋层112之间是为一N型井113(Nwell)。场氧化层120以及场氧化层130分别设置N型井113之中，且由上表面111向下延伸。多个P型掺杂区140位于场氧化层120的一侧，所述多个P型掺杂区140分别设置于N型井113之中，且各个P型掺杂区140由上表面111向下延伸。金属层150覆盖于上表面111，并位于所述多个P型掺杂区140的上方。金属层150亦被电性引出形成所述接面位障萧特基二极管100的正极接点170。N型掺杂区160位于场氧化层120以及场氧化层130之间，且由上表面111向下延伸。N型掺杂区160主要是用以将N型井113之中的电流引出，并形成所述接面位障萧特基二极管100的负极接点180。在图1中，以虚线表示的萧特基二极管组件101，即为接面位障萧特基二极管100的等效示意。又，金属层150的引出形成了正极接点170，N型掺杂区160的引出则形成了负极接点180，金属层150和N型井113之间的接面直接决定了主要特性，而主要电流路径则是发生在N型井113之中。另外，P型掺杂区140以及N型井113之间，又形成了寄生的二极管组件102，如图1中虚线所示。此一寄生的二极管组件102并联于等效的萧特基二极管组件101，但由于萧特基二极管组件101的顺向导通电压小于二极管组件102的顺向导通电压，因此在正常顺向导通的使用上，仍然是以萧特基二极管组件101的特性为主。然而，一般习用的接面位障萧特基二极管100，在静电放电的能力上较差，尤其是当静电是以负电压的形式发生在接面位障萧特基二极管100时的两端时。习用的解决方式，是在接面位障萧特基二极管100上并联一组静电放电组件，以增强其静电放电能力。然而，静电放电组件的加入，将形成装置尺寸以及成本的增加。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术主要是提供一种接面位障萧特基二极管，特别是一种具有较佳静电放电效果的接面位障萧特基二极管。本专利技术提出一种接面位障萧特基二极管，包括硅基板、第一P型掺杂区、金属层、第二P型掺杂区、以及第一N型掺杂区。硅基板具有上表面，硅基板相对于上表面的下方具有N型埋层，硅基板的上表面以及N型埋层之间是为N型井，且由上表面向下延伸。第一P型掺杂区设置于N型井之中，并由上表面向下延伸。金属层覆盖于上表面，并位于第一P型掺杂区的一侧的上方。第二P型掺杂区设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧。第一N型掺杂区设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧。本专利技术一实施例中，更包括多个第三P型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的一侧，且位于金属层的下方。本专利技术一实施例中，更包括多个第一场氧化层，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的一侧，且位于金属层的下方。本专利技术一实施例中，更包括一第二场氧化层，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区以及第一N型掺杂区之间。本专利技术一实施例中，其中第一N型掺杂区位于第二P型掺杂区以及第一P型掺杂区之间。本专利技术一实施例中，其中第二P型掺杂区位于第一N型掺杂区以及第一P型掺杂区之间。本专利技术一实施例中，其中第一N型掺杂区相邻于第二P型掺杂区。本专利技术一实施例中，其中更包括一P型淡掺杂区，位于第二P型掺杂区的下方。本专利技术一实施例中，其中更包括：第二N型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，且第二P型掺杂区位于第一N型掺杂区以及第二N型掺杂区之间。本专利技术一实施例中，其中第一N型掺杂区、第二P型掺杂区以及第二N型掺杂区两两相邻。本专利技术一实施例中，更包括：第三P型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，且第一N型掺杂区位于第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区之间。本专利技术一实施例中，其中第二P型掺杂区、第一N型掺杂区以及第三P型掺杂区两两相邻。本专利技术的功效在于，本专利技术所揭露的接面位障萧特基二极管，利用其结构中寄生的PNP型双极性接面晶体管组件，可以在接面位障萧特基二极管遭遇逆向的静电冲击时，增强其疏导静电电荷的能力，因此加强了接面位障萧特基二极管逆向的静电放电能力。有关本创作的特征、实作与功效，兹配合图式作最佳实施例详细说明如下。【附图说明】图1：习用接面位障萧特基二极管的剖面结构图。图2：本专利技术接面位障萧特基二极管所揭露第一实施例的剖面结构图。图3：本专利技术接面位障萧特基二极管所揭露第二实施例的剖面结构图。图4：本专利技术接面位障萧特基二极管所揭露第三实施例的剖面结构图。图5：本专利技术接面位障萧特基二极管所揭露第四实施例的剖面结构图。图6：本专利技术接面位障萧特基二极管与习用技术的电流-电压关系图以及逆偏漏电流曲线图。主要组件符号说明：100、200、300、400、500接面位障萧特基二极管140P型掺杂区150、250金属层101、201等效的萧特基二极管组件160N型掺杂区170、270正极接点102寄生的二极管组件180、280负极接点110、210硅基板202寄生的PNP型双极性接面晶体管111、211上表面220第二场氧化层112、212N型埋层230第三场氧化层113、213N型井240第一P型掺杂区120、130场氧化层245逆偏漏电流抑制结构(第三P型掺杂区、第一场氧化层)266第二N型掺杂区260第一N型掺杂区268第三P型掺杂区262第二P型掺杂区610、620、630、640、650、660曲线264P型淡掺杂区【具体实施方式】图2为本专利技术接面位障萧特基二极管200所揭露第一实施例的剖面结构图。本专利技术接面位障萧特基二极管200是利用半导体制程所实现的组件。接面位障萧特基二极管200包括硅基板210、第一P型掺杂区240、金属层250、第二P型掺杂区262、以及第一N型掺杂区260。硅基板210具有上表面211。硅基板210相对于上表面211的下方具有一N型埋层212。硅基板210的上表面211以及N型埋层212之间是为一N型井213。N型埋层212是用以减少上方组件之间的漏电流，使得组件的排列上可以更紧密，缩小整体面积。第一P型掺杂区240设置于N型井213之中，并由上表面211向下延伸。金属层250覆盖于上表面211，并位于第一P型掺杂区240的一侧的上方。金属层250和N型井213之间的接面，即形成了接面位障萧特基二极管200的金属-半导体(metal-semiconductor)接面，直接决定了接面位障萧特基二极管200的主要特性，金属层250亦被电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管包含：一硅基板，具有一上表面，所述硅基板相对于所述上表面的下方具有一N型埋层，所述硅基板的所述上表面以及所述N型埋层之间是为一N型井；一第一P型掺杂区，设置于所述N型井之中，并由所述上表面向下延伸；一金属层，覆盖于所述上表面，并位于所述第一P型掺杂区的一侧的上方；一第二P型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧；以及一第一N型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧。

【技术特征摘要】
1.一种接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管包含：一硅基板，具有一上表面，所述硅基板相对于所述上表面的下方具有一N型埋层，所述硅基板的所述上表面以及所述N型埋层之间是为一N型井；一第一P型掺杂区，设置于所述N型井之中，并由所述上表面向下延伸；一金属层，覆盖于所述上表面，并位于所述第一P型掺杂区的一侧的上方；一第二P型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧；以及一第一N型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧；其中所述第一N型掺杂区位于所述第二P型掺杂区以及所述第一P型掺杂区之间；其中所述接面位障萧特基二极管更包括一第二N型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，且所述第二P型掺杂区位于所述第一N型掺杂区以及所述第二N型掺杂区之间。2.如权利要求1所述的接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管更包括多个第三P型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的一侧，且位于所述金属层的下方。3.如权利要求1所述的接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管更包括多个第一场氧化层，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的一侧，且位于所述金属层的下方。4.如权利要求1所述的接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管更包括一第二场氧化层，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪崇佑，杨清尧，高字成，黄宗义，翁武得，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71