一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:10698031 阅读:422 留言:0更新日期:2014-11-27 02:52
本发明专利技术公开了一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,在有机电致发光显示面板中设置的像素界定层具有与OLED的像素区域对应的开口区域,且各开口区域的开口大于开口区域的底面,这样可以避免之后形成的阴极发生断开的问题;像素界定层的上表面采用疏液性材料,可以使之后涂覆的发光材料不易残留在像素界定层的上表面,因此可以避免发生相邻像素区域的混色问题,同时像素界定层的对应开口区域的倾斜面采用亲液性材料,可以保证之后涂覆的发光材料均匀地填充在开口区域内,因此,本发明专利技术实施例提供的上述OLED可以保证在像素界定层之后形成的膜层均匀性,以提升OLED的发光性能。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
目前,有机电致发光显示面板(OrganicElectroluminesecentDisplay,OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、不需背光源、能实现柔性化等特点,已经逐渐成为显示领域的主流。OLED的基本结构包括衬底基板,依次设置在衬底基板上的阳极、发光层和阴极,其发光原理为在分别对阳极和阴极通电压以形成电流时,阴极中的电子和阳极中的空穴会在发光层复合形成激子,激发发光层中有机材料进行发光;其中,发光层采用喷墨打印技术制作,一般在制作发光层之前,需要在形成有阳极的衬底基板上制作像素界定层以限定各像素区域的位置,之后在像素界定层中对应各像素区域的开口区域制作发光层,最后在发光层上制作阴极的膜层。目前,OLED中像素界定层主要有两种结构,一种是采用截面为上底边小于下底边的正梯形的像素界定层,如图1a所示(图中仅示出了部分),一般正梯形的像素界定层10在制作完成后,为了避免发生相邻像素区域的混色问题,需经过疏水处理使像素界定层的表面具有疏水性质,这样虽然能避免混色问题,但是容易使之后在像素界定层的开口区域制作的发光层20出现铺展不均的现象,而导致发光层20中出现微小空隙30的问题,这样,容易使之后形成的阴极40与位于发光层下方的阳极50在该微小空隙处30发生短路的问题。另一种是采用截面为上底边大于下底边的倒梯形的像素界定层,如图1b所示(图中仅示出了部分),虽然倒梯形的像素界定层60可以避免阴极70和阳极80短路的问题,但是,倒梯形的像素界定层60容易使之后形成的阴极70发生断开的问题。因此,上述现有的像素界定层的结构都会影响之后形成的膜层的均匀性,而影响OLED的发光性能。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,可以使在像素界定层之后形成的膜层具有较好的均匀性,从而提高OLED的发光性能。因此,本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的像素界定层;所述像素界定层具有与所述有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域,各开口区域的开口大于开口区域的底面;所述像素界定层的上表面为疏液性材料,所述像素界定层的对应所述开口区域的倾斜面为亲液性材料。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板中,所述像素界定层包括由疏液性材料形成的第一像素界定层结构,以及由亲液性材料形成的第二像素界定层结构,所述第二像素界定层结构的侧表面与所述第一像素界定层结构的侧表面相贴。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板中,所述第一像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面为倒梯形结构;所述第二像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面为三角形结构。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板中,所述第二像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面的高度低于或等于第一像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面的高度。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板中,所述第一像素界定层结构的材料为负性光刻胶性质的疏液性材料,所述第二像素界定层结构的材料为正性光刻胶性质的亲液性材料。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上形成第一像素界定层结构的图形;在形成有所述第一像素界定层结构的衬底基板上形成第二像素界定层结构的图形。在一种可能的实现方式中,本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板的制作方法,在衬底基板上形成第一像素界定层结构的图形,具体包括:在所述衬底基板上沉积一层负性光刻胶性质的疏液性材料;利用第一掩膜板对所述负性光刻胶性质的疏液性材料进行构图工艺,形成所述第一像素界定层结构的图形。在一种可能的实现方式中,本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板的制作方法,在形成有所述第一像素界定层结构的衬底基板上形成第二像素界定层结构的图形,具体包括:在形成有所述第一像素界定层结构的衬底基板上沉积一层正性光刻胶性质的亲液性材料;利用所述第一像素界定层结构的图形作为掩膜板对所述正性光刻胶性质的亲液性材料进行构图工艺,形成所述第二像素界定层结构的图形。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板。本专利技术实施例的有益效果包括:本专利技术实施例提供的一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,在有机电致发光显示面板中设置的像素界定层具有与有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域,且各开口区域的开口大于开口区域的底面,这样可以避免之后形成的阴极的图案发生断开的问题;将像素界定层的上表面采用疏液性材料,可以使之后涂覆的发光材料不易残留在像素界定层的上表面,因此可以避免发生相邻像素区域的混色问题,同时像素界定层的对应开口区域的倾斜面采用亲液性材料,可以保证之后涂覆的发光材料均匀地填充在开口区域内,不会造成由于发光材料铺展不均而出现微小空隙的问题,因此,本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板可以保证在像素界定层之后形成的膜层均匀性,以提升有机电致发光显示面板的发光性能。附图说明图1a和图1b分别为现有技术具有像素界定层的有机电致发光显示面板的结构示意图;图2a为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的俯视图;图2b为图2a沿A-A’方向的剖面结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的制作方法流程图;图4为本专利技术实施例提供的实例一的有机电致发光显示面板的制作方法流程图;图5为本专利技术实施例提供的实例二的有机电致发光显示面板的制作方法流程图;图6a至图6d分别为本专利技术实施例提供的实例一中有机电致发光显示面板的制作方法在各步骤执行后的结构示意图;图7a至图7b分别为本专利技术实施例提供的实例二中有机电致发光显示面板的制作方法在各步骤执行后的结构示意图。具体实施方式下面结合附图,对本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中,附图中各膜层的厚度和形状不反映有机电致发光显示面板的真实比例,目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板,如图2a和图2b所示,包括:衬底基板100,以及位于衬底基板100上的像素界定层200;该像素界定层200具有与有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域300,各开口区域300的开口大于开口区域的底面,即开口区域300在垂直于衬底基板的截面的开口大于底边,且截面的宽度从开口到底边先增大后减小,可以视为类似倒梯形的结构,又即像素界定层200垂直于衬底基板100的截面的上底边小于下底边,且截面的宽度从上底边到下底边先减小后增大,可以视为类似正梯形的结构;该像素界定层200的上表面a为疏液性材料,该像素界定层200的对应开口区域300的倾斜面b为亲液性材料。在本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板,在有机电致发光显示面板中设置的像素界定层具有与有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域,且各开口区域的开口大于开本文档来自技高网
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一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置

【技术保护点】
一种有机电致发光显示面板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的像素界定层,其特征在于:所述像素界定层具有与所述有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域,各开口区域的开口大于开口区域的底面;所述像素界定层的上表面为疏液性材料,所述像素界定层的对应所述开口区域的倾斜面为亲液性材料。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示面板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的像素界定层,其特征在于:所述像素界定层具有与所述有机电致发光显示面板的像素区域对应的开口区域,各开口区域的开口大于开口区域的底面;所述像素界定层的上表面为疏液性材料,所述像素界定层的对应所述开口区域的倾斜面为亲液性材料;所述像素界定层包括:由疏液性材料形成的第一像素界定层结构,以及由亲液性材料形成的第二像素界定层结构,所述第二像素界定层结构的侧表面与所述第一像素界定层结构的侧表面相贴;所述第一像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面为倒梯形结构;所述第二像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面为三角形结构。2.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第二像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面的高度低于或等于第一像素界定层结构在垂直于所述衬底基板的截面的高度。3.如权利要求1或2所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一像素界定层结构的材料为负性光刻胶性质的疏液性材料,所述第二像素界定层...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋莹莹洪晓雯洪豪志
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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