一种直发器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直发器电路，所述直发器电路由电源部分、加热部分和控制部分构成，所述电源部分、加热部分和控制部分相互串联。本实用新型专利技术直发器电路的优越效果在于：直发器电路采用阻容降压方式为电路供电，大大节约了产品的体积与成本。产品设计上同时兼顾电气安全性能的要求，增加275V/0.1UF安规电容AC提高了系统的电磁兼容性，还增加了压敏电阻ZR1从而提高产品抗浪涌电压及雷击的能力，保险丝F1进一步增加了安全系数。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种直发器电路，所述直发器电路由电源部分、加热部分和控制部分构成，所述电源部分、加热部分和控制部分相互串联。本技术直发器电路的优越效果在于：直发器电路采用阻容降压方式为电路供电，大大节约了产品的体积与成本。产品设计上同时兼顾电气安全性能的要求，增加275V/0.1UF安规电容AC提高了系统的电磁兼容性，还增加了压敏电阻ZR1从而提高产品抗浪涌电压及雷击的能力，保险丝F1进一步增加了安全系数。【专利说明】一种直发器电路
本技术属于直发器，具体涉及一种新型直发器电路。
技术介绍
传统的直发器由发热体和传感器为分开的单独器件，传感器配在靠近发热体的位置来检测发热体的实时温度，产品工作时由传感器接受发热体传导过来的温度后阻值发生变化，经电阻分压转化为电压信号送入控制1C，控制IC检测此信号判断发热体温度是否达到设定所需温度，达到以后切断输出，可控硅不导通，发热体不发热。当检测温度低于设定所需温度，控制IC输出推动可控硅导通发热体发热工作。 由于发热体和传感器始终为分开的单独器件，因此无论传感器精度再高或工作位置距离发热体再近，都不可避免的存在一定的传感误差和延迟，直接影响了直发器的控温能力和使用效果。
技术实现思路
本技术提供一种新型直发器电路，以解决现有直发器存在传感误差和延迟的技术缺陷。 为了解决以上技术问题，本技术采取的技术方案是: 一种直发器电路，所述直发器电路由电源部分、加热部分和控制部分构成，所述电源部分、加热部分和控制部分相互串联，所述电源部分包括保险丝F1、安规电容AC、压敏电阻ZR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2、电容C3、电容C6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和稳压管ZDl，所述加热部分由陶瓷发热体MCH构成，所述控制部分由可控硅TR1、电容C4、电容C5、电阻R6、电阻R7、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28和电阻R29构成，所述电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29相互并联后与所述电阻R20和电阻R23串联。 优选为，所述保险丝Fl为250V/5A，安规电容AC为275V/0.1UF,所述电阻Rl为470000 Ω，所述电阻R2为47 Ω，所述电阻R3为1000000 Ω，所述电阻R4为470000 Ω，所述电阻R5为5100Ω，所述电容C2为470V/10V，所述电容C3为104V/10V，所述电容C6为684J/400V,所述保险丝F1、电阻R1、电阻R2、二极管D2相互串联，所述安规电容AC、压敏电阻ZR1、电容C6、二极管D1、稳压管ZD1、电容C2，电容C3相互并联。 优选为，所述控制部分由可控硅TRl、电容C4、电容C5、电阻R6、电阻R7、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28和电阻R29构成，所述电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29相互并联后与所述电阻R20和电阻R23串联。 优选为，所述可控硅TRl的型号为BTB04，所述电阻R6为180Ω，所述电阻R7为100000 Ω，所述电阻R20为100Ω，所述电阻R21为0.5R/1W,所述电阻R23为4700 Ω，所述电阻R24为2200 Ω，所述电阻R25为100Ω，所述电阻R26为2200 Ω，所述电阻R27为5000 Ω，所述电阻R28为7200 Ω，所述电阻R29为10000 Ω。 在采用上述技术方案后，本技术直发器电路采用阻容降压方式为电路供电，大大节约了产品的体积与成本。产品设计上同时兼顾电气安全性能的要求，增加275V/0.1UF安规电容AC提高了系统的电磁兼容性，还增加了压敏电阻ZRl从而提高产品抗浪涌电压及雷击的能力，保险丝Fl进一步增加了安全系数。发热体采用MCH陶瓷发热体升温更快控温更精准。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。 图1是本技术直发器电路的结构视图； 【具体实施方式】 为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。 如图1所示，直发器电路由电源部分1、加热部分2和控制部分3构成。其中电源部分I主要承担整个系统供电任务，并且将交流220V的市电转化为直流5V弱电供系统使用。 其中电源部分1、加热部分2和控制部分3之间相互串联，其中电源部分I包括保险丝F1、安规电容AC、压敏电阻ZR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2、电容C3、电容C6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和稳压管ZDl构成。保险丝Fl为250V/5A，安规电容AC为275V/0.1UF,电阻Rl为470000 Ω，电阻R2为47 Ω，电阻R3为1000000 Ω，电阻R4为470000 Ω，电阻R5为5100 Ω，电容C2为470V/10V,电容C3为104V/10V,电容C6为684J/400V。其中保险丝F1、电阻R1、电阻R2、二极管D2相互串联，安规电容AC、压敏电阻ZR1、电容C6、二极管D1、稳压管ZD1、电容C2、电容C3相互并联。 加热部分2由陶瓷发热体MCH构成。 控制部分3由可控硅TR1、电容C4、电容C5、电阻R6、电阻R7、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28和电阻R29构成。其中电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28和电阻R29相互并联后与电阻R20和电阻R23串联。可控硅TRl的型号为ΒΤΒ04，电阻R6为180 Ω，电阻R7为100000 Ω，电阻R20为100 Ω，电阻R21为0.5R/1W,电阻R23为4700 Ω，电阻R24为2200 Ω，电阻R25为100 Ω，电阻R26为2200 Ω，电阻 R27 为 5000 Ω，电阻 R28 为 7200 Ω，电阻 R29 为 10000 Ω。 直发器采用MCH陶瓷发热体为发热源，由芯片专用AD 口检测实时温度从而控制可控硅有效通断实现发热快控温准确。本产品的温度调节有轻触按键进行调节，另外还了延时自动关机大大增加了其安全性。 本技术直发器电路采用阻容降压方式为电路供电，大大节约了产品的体积与成本。产品设计上同时兼顾电气安全性能的要求，增加275V/0.1UF安规电容AC提高了系统的电磁兼容性，还增加了压敏电阻ZRl从而提高产品抗浪涌电压及雷击的能力，保险丝Fl进一步增加了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直发器电路，其特征在于，所述直发器电路由电源部分、加热部分和控制部分构成，所述电源部分、加热部分和控制部分相互串联，所述电源部分包括保险丝F1、安规电容AC、压敏电阻ZR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2、电容C3、电容C6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和稳压管ZD1，所述加热部分由陶瓷发热体MCH构成，所述控制部分由可控硅TR1、电容C4、电容C5、电阻R6、电阻R7、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28和电阻R29构成，所述电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29相互并联后与所述电阻R20和电阻R23串联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林学民，
申请(专利权)人：宁波祖创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33