本实用新型专利技术公开了一种截面积优化的磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积与所述心柱磁芯的截面积不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路。磁芯上下轭与心柱磁芯采用不同截面积的磁芯组合，磁芯上下轭没有绕组，磁芯温升会较低，因此减少磁芯后同样可以达到很好效果，这样可以提高磁芯利用率，并且降低成本，更好的满足性能需求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种截面积优化的磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积与所述心柱磁芯的截面积不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路。磁芯上下轭与心柱磁芯采用不同截面积的磁芯组合，磁芯上下轭没有绕组，磁芯温升会较低，因此减少磁芯后同样可以达到很好效果，这样可以提高磁芯利用率，并且降低成本，更好的满足性能需求。【专利说明】 一种截面积优化的磁芯
本技术涉及一种磁芯，尤其涉及一种截面积优化的磁芯。
技术介绍
传统的磁芯,其磁芯上下轭与心柱磁芯的截面积相同，磁芯上下轭温升与心柱磁芯温升相差较大，磁芯利用率较低，性能单一有较大的局限性。
技术实现思路
为解决上述现有技术中所存在的问题，本技术提供一种截面积优化的磁芯。 本技术采用如下技术方案实现:一种截面积优化的磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积与所述心柱磁芯的截面积不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路。 作为本技术的进一步改进，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积大于所述心柱磁芯的截面积。 作为本技术的进一步改进，所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。 作为本技术的进一步改进，所述心柱磁芯至少有两个并平行设置。 作为本技术的进一步改进，所述磁芯上轭、磁芯下轭均为长方体。 作为本技术的进一步改进，所述心柱磁芯的上顶面与所述磁芯上轭的短边相切，所述心柱磁芯的下顶面与所述磁芯下轭的短边相切。 与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:磁芯上下轭与心柱磁芯采用不同截面积的磁芯组合，磁芯上下轭没有绕组，磁芯温升会较低，因此减少磁芯后同样可以达到很好效果，这样可以提高磁芯利用率，并且降低成本，更好的满足性能需求。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术一种截面积优化的磁芯的一个实施例的主视图； 图2是本技术一种截面积优化的磁芯的另一个实施例的主视图； 其中:1、磁芯上轭，2、心柱磁芯，3、磁芯下轭。 【具体实施方式】 下面结合具体实施例对本技术一种截面积优化的磁芯作进一步的详细说明。 实施例1 如图1所示，本技术提出一种截面积优化的磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭1、两个心柱磁芯2和磁芯下轭3，所述磁芯上轭1、磁芯下轭3的截面积均为Al，所述心柱磁芯2的截面积为A2，且A1>A2 ;两个所述心柱磁芯2平行设置于所述磁芯上轭1、磁芯下轭3之间，所述心柱磁芯2的顶端与所述磁芯上轭I相接触，所述心柱磁芯2的底端与所述磁芯下轭3相接触，所述磁芯上轭1、心柱磁芯2和磁芯下轭3形成闭合磁路。 所述磁芯上轭1、磁芯下轭3均为长方体，所述磁芯上轭1、磁芯下轭3相平行，两个所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上轭1、磁芯下轭3，所述心柱磁芯2的上顶面与所述磁芯上轭I的短边相切，所述心柱磁芯2的下顶面与所述磁芯下轭3的短边相切。 实施例2 如图2所示，本技术提出一种截面积优化的磁芯，包括均为磁体的磁芯上轭 1、两个心柱磁芯2和磁芯下轭3，所述磁芯上轭1、磁芯下轭3的截面积均为Al，所述心柱磁芯2的截面积为A2，且A1〈A2 ;两个所述心柱磁芯2平行设置于所述磁芯上轭1、磁芯下轭3之间，所述心柱磁芯2的顶端与所述磁芯上轭I相接触，所述心柱磁芯2的底端与所述磁芯下轭3相接触，所述磁芯上轭1、心柱磁芯2和磁芯下轭3形成闭合磁路。 所述磁芯上轭1、磁芯下轭3均为长方体，所述磁芯上轭1、磁芯下轭3相平行，两个所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上轭1、磁芯下轭3，所述心柱磁芯2的上顶面与所述磁芯上轭I的短边相切，所述心柱磁芯2的下顶面与所述磁芯下轭3的短边相切。 以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围的内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。【权利要求】1.一种截面积优化的磁芯,其特征在于:包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积与所述心柱磁芯的截面积不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路。2.根据权利要求1所述的截面积优化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积大于所述心柱磁芯的截面积。3.根据权利要求1所述的截面积优化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。4.根据权利要求1所述的截面积优化的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯至少有两个并平行设置。5.根据权利要求1所述的截面积优化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭均为长方体。6.根据权利要求1所述的截面积优化的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯的上顶面与所述磁芯上轭的短边相切，所述心柱磁芯的下顶面与所述磁芯下轭的短边相切。【文档编号】H01F27/26GK203931743SQ201420230288【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年5月6日 优先权日:2014年5月6日 【专利技术者】刘志达 申请人:深圳市铂科磁材有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种截面积优化的磁芯，其特征在于：包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭，所述磁芯上轭、磁芯下轭的截面积与所述心柱磁芯的截面积不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间，所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触，所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触，所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志达，
申请(专利权)人：深圳市铂科磁材有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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