【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种MOSFET多管并联的全桥逆变电路及其安装方法。使用相互绝缘的散热器分别作为全桥逆变电路的直流输入端和输出端连接线，所有功率开关器件焊接在同一块电路板上，并通过螺钉直接安装在散热器上。作为直流输入端的散热器和电路板之间通过金属支撑柱连接，并通过金属支撑柱，将直流支撑电容的正极和散热器连接为电气通路。电路板的一层铜箔将全桥逆变电路直流端负极引入，并和所有下管的源极以及直流支撑电容的负极连接。本专利技术提供了一种方便多MOSFET并联、直流支撑电容和吸收电容布置合理，并且可模块化安装、结构紧凑的全桥逆变电路的安装方法与装置。【专利说明】MOSFET多管并联的全桥逆变电路及其安装方法
本专利技术涉及电力电子
，尤指涉及MOSFET多管并联的全桥逆变电路及其 安装方法。
技术介绍
由于全桥逆变电路的输出功率较大，因此被广泛应用于各类开关电源、电机调速 和变频器等领域。电压型单相、三相桥式逆变电路的直流侧相当于电压源，一般并联大容值 的直流支撑电容。功率开关器件高速开关时，为抑制功率开关器件关断及续流二极管...
【技术保护点】
一种MOSFET多管并联的全桥逆变电路，包括相互绝缘的多个散热器(5、6、7)、功率开关器件(Q1～Q4)和第一安装部件(17)，其特征在于：所述电路还包括一组金属柱(8)、电路板(9)和第二安装部件(18)，其中：所述电路的直流母线正极接所述多个散热器中的第一散热器(5)，所述金属柱(8)安装在所述第一散热器(5)上，并通过所述第二安装部件(18)与所述电路板(9)连接；所述功率开关器件(Q1～Q4)的上管(Q1、Q3)和下管(Q2、Q4)相对排列，正面朝上并与所述电路板(9)平行，所述功率开关器件的引脚弯曲后与所述电路板(9)焊接；所述电路的直流母线负极接所述电路板(9...
【技术特征摘要】
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