【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器，其中所述致动器的第一致动器表面（2a）呈现在基板（1）上，并且第二致动器表面（2b）呈现在第一可移动膜（3a）上。在该上下文中，所述第一可移动膜（3a）被布置在基板（1）的上侧面（1a）的上方。第二可移动膜（2b）被布置在基板（1）的与该上侧面（1a）相对的下侧面（1b）的下方。本专利技术进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。【专利说明】变容二极管及变容二极管系统
技术介绍
在高频技术中，变容二极管被用作可调谐电容器以改变电路的性能。为此，可变 直流电压被施加至变容二极管，其中变容二极管表现得像电容取决于直流电压的电容器一 样。 迄今为止，基于硅或砷化镓的半导体二极管已经被用作变容二极管。这种变容二 极管还被称为压控变容器或电容二极管。 -种制造变容二极管的可选方法是使用微系统技术来实现变容二极管，微系统技 术也被称为微电子机械系统，缩写为MEMS。MEMS部分是其部件具有微米级尺寸的微型化部 分。各个部件作为系统一起工作。 基于MEMS的变容二极管提...
【技术保护点】
一种具有致动器（2）的变容二极管，其中所述致动器（2）的第一致动器表面（2a）呈现在基板（1）上，并且第二致动器表面（2b）呈现在第一可移动膜（3a）上，其特征在于所述变容二极管另外提供第二可移动膜（3b）；所述第一可移动膜（3a）被布置在所述基板（1）的上侧面（1a）的上方；并且所述第二可移动膜（3b）被布置在所述基板（1）的面对所述上侧面（1a）的下侧面（1b）的下方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：格哈德·卡门，
申请(专利权)人：罗德施瓦兹两合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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