一种智能交互终端的电源电路制造技术

技术编号:10475870 阅读:191 留言:0更新日期:2014-09-25 14:03
本实用新型专利技术涉及电子技术领域,具体地说是一种智能交互终端的电源电路,包括电源端。电源端分七路分别与场效应管的源极一、源极二、源极三,电阻一的一端,金属氧化物半导体晶体管一的发射极,电阻二的一端以及金属氧化物半导体晶体管二的发射极连接。本实用新型专利技术同现有技术相比,设计了电源电路结构,增设了两个金属氧化物半导体晶体管和一个场效应管,当电源端的电压大于额定电压时,切断场效应管的连接,从而达到对智能交互终端的系统芯片及元器件电源的过压保护,避免了由于电源过压造成的部件损坏,降低了用户的使用成本,延长了智能交互终端的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
-种智能交互终端的电源电路
本技术涉及电子
,具体地说是一种智能交互终端的电源电路。
技术介绍
目前,现有的智能交互终端的系统电源一般都是采用低压电源,但在使用过程中, 可能由于电压不稳定或者充电器问题,导致电源电压突然高于额定电压。电源过压会导致 智能交互终端的系统芯片及元器件的损坏,需要维修甚至更换部件。这样,不仅增加了用户 的使用成本,也缩短了智能交互终端的使用寿命。 因此,需要设计一种能够实现过压保护的智能交互终端的电源电路。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足,提供了一种能够实现过压保护的智能 交互终端的电源电路。 为了达到上述目的,本技术设计了一种智能交互终端的电源过压保护电路, 包括电源端,其特征在于:电源端分七路分别与场效应管的源极一、源极二、源极三,电阻 一的一端,金属氧化物半导体晶体管一的发射极,电阻二的一端以及金属氧化物半导体晶 体管二的发射极连接,场效应管的漏极分两路分别与二极管一的阳极以及瞬变电压抑制二 极管的阴极连接,二极管一的阴极分两路分别与电阻三的一端以及电容的一端连接,电阻 三的另一端与发光二极管的阳极连接,电容的另一端分四路分别与发光二极管的阴极、瞬 变电压抑制二极管的阳极、电阻四的一端以及稳压二极管的阳极连接,电阻四的另一端分 三路分别与场效应管的栅极、金属氧化物半导体晶体管二的集电极以及二极管二的阴极连 接,金属氧化物半导体晶体管二的基极串联一个电阻五后与电阻二的另一端连接,二极管 二的阳极与金属氧化物半导体晶体管一的集电极连接,金属氧化物半导体晶体管一的基极 串联一个电阻六后分两路分别与电阻一的另一端以及稳压二极管的阴极连接。 所述的电源端的电压为5V。 所述的场效应管的型号为FDMS6681Z。 本技术同现有技术相比,设计了电源电路结构,增设了两个金属氧化物半导 体晶体管和一个场效应管,当电源端的电压大于额定电压时,切断场效应管的连接,从而达 到对智能交互终端的系统芯片及元器件电源的过压保护,避免了由于电源过压造成的部件 损坏,降低了用户的使用成本,延长了智能交互终端的使用寿命。 【附图说明】 图1为本技术的电路示意图。 【具体实施方式】 现结合附图对本技术做进一步描述。 toon] 参见图1,本技术是一种智能交互终端的电源过压保护电路,包括电源端。电 源端分七路分别与场效应管Q3的源极一 1、源极二2、源极三3,电阻一 R1的一端,金属氧化 物半导体晶体管一 Q1的发射极,电阻二R2的一端以及金属氧化物半导体晶体管二Q2的发 射极连接,场效应管Q3的漏极5分两路分别与二极管一 D1的阳极以及瞬变电压抑制二极 管D2的阴极连接,二极管一 D1的阴极分两路分别与电阻三R3的一端以及电容C1的一端 连接,电阻三R3的另一端与发光二极管D3的阳极连接,电容C1的另一端分四路分别与发 光二极管D3的阴极、瞬变电压抑制二极管D2的阳极、电阻四R4的一端以及稳压二极管D4 的阳极连接,电阻四R4的另一端分三路分别与场效应管Q3的栅极4、金属氧化物半导体晶 体管二Q2的集电极以及二极管二D5的阴极连接,金属氧化物半导体晶体管二Q2的基极串 联一个电阻五R5后与电阻二R2的另一端连接,二极管二D5的阳极与金属氧化物半导体晶 体管一 Q1的集电极连接,金属氧化物半导体晶体管一 Q1的基极串联一个电阻六R6后分两 路分别与电阻一 R1的另一端以及稳压二极管D4的阴极连接。 本技术中,电源端的电压为5V。 金属氧化物半导体晶体管一 Q1、金属氧化物半导体晶体管二Q2均为双通道三极 管,型号为 MBT390DW1T1。 场效应管Q3为P沟道增强型场效应管,型号为FDMS6681Z。 二极管一 D1 的型号为 SMLJ60S6。 瞬变电压抑制二极管D2的型号为ESD9L5. 0ST5G。 稳压二极管D4的型号为MMSZ5231BT1G。 二极管二D5为校特基二极管,型号为RB521CS-30。 本技术在工作时,当电源端的电压小于或等于5V时,稳压二极管D4保持截止 状态,金属氧化物半导体晶体管一 Q1的基极为高电平,所以金属氧化物半导体晶体管一 Q1 截止,从而场效应管Q3的栅极4保持低电平状态,因此场效应管Q3保持导通状态。电源5V 从场效应管Q3的漏极5正常输出。 当电源端的电压大于5V时,由于稳压二极管D4的齐纳电压只有5V左右,因此稳 压二极管D4会被齐纳击穿,稳压二极管D4逆向导通后,电阻六R6会被接通到地保持零电 势。因为电阻一 R1零电压,所以金属氧化物半导体晶体管一 Q1的基极也是零电压,从而金 属氧化物半导体晶体管一 Q1导通,继而二极管二D5正向导通,所以场效应管Q3的栅极4 保持高电平,场效应管Q3保持截止状态,电源5V也就不能从场效应管Q3的漏极5输出,系 统电源被关闭。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能交互终端的电源电路,包括电源端,其特征在于:电源端分七路分别与场效应管(Q3)的源极一(1)、源极二(2)、源极三(3),电阻一(R1)的一端,金属氧化物半导体晶体管一(Q1)的发射极,电阻二(R2)的一端以及金属氧化物半导体晶体管二(Q2)的发射极连接,场效应管(Q3)的漏极(5)分两路分别与二极管一(D1)的阳极以及瞬变电压抑制二极管(D2)的阴极连接,二极管一(D1)的阴极分两路分别与电阻三(R3)的一端以及电容(C1)的一端连接,电阻三(R3)的另一端与发光二极管(D3)的阳极连接,电容(C1)的另一端分四路分别与发光二极管(D3)的阴极、瞬变电压抑制二极管(D2)的阳极、电阻四(R4)的一端以及稳压二极管(D4)的阳极连接,电阻四(R4)的另一端分三路分别与场效应管(Q3)的栅极(4)、金属氧化物半导体晶体管二(Q2)的集电极以及二极管二(D5)的阴极连接,金属氧化物半导体晶体管二(Q2)的基极串联一个电阻五(R5)后与电阻二(R2)的另一端连接,二极管二(D5)的阳极与金属氧化物半导体晶体管一(Q1)的集电极连接,金属氧化物半导体晶体管一(Q1)的基极串联一个电阻六(R6)后分两路分别与电阻一(R1)的另一端以及稳压二极管(D4)的阴极连接。...

【技术特征摘要】
1. 一种智能交互终端的电源电路,包括电源端,其特征在于:电源端分七路分别与场 效应管(Q3)的源极一(1)、源极二(2)、源极三(3),电阻一(R1)的一端,金属氧化物半导体 晶体管一(Q1)的发射极,电阻二(R2)的一端以及金属氧化物半导体晶体管二(Q2)的发射 极连接,场效应管(Q3)的漏极(5)分两路分别与二极管一(D1)的阳极以及瞬变电压抑制 二极管(D2)的阴极连接,二极管一(D1)的阴极分两路分别与电阻三(R3)的一端以及电容 (C1)的一端连接,电阻三(R3 )的另一端与发光二极管(D3 )的阳极连接,电容(C1)的另一端 分四路分别与发光二极管(D3)的阴极、瞬变电压抑制二极管(D2)的阳极、电阻四(R4)的一 端以及稳压二极管(D4)...

【专利技术属性】
技术研发人员:李炎华严康俊
申请(专利权)人:上海爻盛信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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