一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法技术

技术编号:10474813 阅读:200 留言:0更新日期:2014-09-25 13:17
本发明专利技术提供一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,通过整地施肥、隔行种植桂花树,再在行间内种植醡浆草,并对醡浆草按一定方法进行刈割,将刈割的醡浆草覆盖在距离桂花树主干四周,然后进行苗圃施肥,按常规桂花树栽培方法进行灌排水、防治病虫害、修剪,即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。本发明专利技术是在桂花苗圃中套种醡浆草的立体栽培方法,能有效地改变桂花苗圃中土壤结构,减少N、P及水土流失,促进土壤有机质及养分含量的增加,加速培育苗圃土壤碳库,增加苗圃生态多样性,减少对环境污染,改善苗圃的生态环境,易操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种植物的栽培方法,尤其涉及一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方 法,属于农林栽培

技术介绍
我国大力推进生态建设和城乡绿化,加快绿化苗木产业的发展,苗圃种植也成为 农业种植中重要的一部分。新的苗圃产业结构导致污染排放、污染形式和特点将发生相应 的变化,需要有相应的新产业结构生产技术和污染控制技术进行指导,以减少和控制该产 业下发生的面源污染。 桂花是木犀属的代表种,我国传统十大名花之一,它以花具有浓馥香气及常年绿 色而为人们喜爱并享誉古今中外,因此桂花栽培在现代苗圃种植中占据着重要的地位。由 于市场广阔因而对桂花生产的规模化、基地化、集约化栽培已刻不容缓。但因桂花树间空隙 大,地表裸露面积较大,在这种粗放的管理方式下极易造成水土流失,土壤有机质含量减少 肥力下降等问题,从而增加面源污染的风险。为了充分利用桂花树林中间的空隙地,减少苗 圃粗放管理中的面源污染问题,有必要提出。到目 前为止,尚未有相关栽培方法见报道。
技术实现思路
为解决现有的苗圃粗放管理中造成面源污染等问题,本专利技术的目的在于提供一种 桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,能实现充分利用桂花树林中间的空隙地,减少水土流 失,提高土壤肥力,改进苗圃粗放管理中的面源污染问题。 本专利技术采用在苗圃作物桂花树林中套种草本植物醅浆草的立体栽培方法,在熟化 的土壤中开深沟铺设料层,在间隔的深沟上栽种桂花树苗,在行间撒播醅浆草种子,并进行 覆盖管理和苗圃施肥,达到桂花苗圃栽培的面源污染防控。 本专利技术提供的技术方案具体经过下列各步骤: (1) 整地施肥:于第一年7?8月,先清除杂草后深翻晒垡,熟化土壤,再于次年2月,在 每隔2m的行距上开深沟,在深沟内从下至上依次铺设秸杆草层、土层、有机肥层、覆土层; (2) 桂花树栽种:在步骤(1)的深沟上间隔一行进行挖坑,同一条深沟上所挖坑的坑间 距离为2m,于同年3月在坑内栽种独杆桂花树实生苗,此后按常规桂花树栽培方法进行施 月巴、灌排水、防治病虫害、修剪; (3) 醅浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0. 4?0. 6kg/亩进 行撒播醅浆草种子; (4) 醅浆草的栽培:对步骤(3)播种的醅浆草种子在幼苗期进行1?2次人工除杂草, 待醅浆草植株长至高〇. 〇2m以上时进行刈割,每隔30?45天刈割1次,待醅浆草种子播种 一年后,按每年3?4次进行刈割; (5) 覆盖管理:将步骤(4)刈割的醅浆草覆盖在距离桂花树主干20?30cm的四周,以 免影响桂花树主干地面处湿度过高,引起病虫害滋生; (6)苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树施氮肥0. 1?0. 3kg,于每年7月对每株 桂花树施磷肥和钾肥0. 1?0. 3kg,于每年10月对每株桂花树施底肥2?3kg ;其中,施底 肥时,每年变换施肥部位,把覆盖的醅浆草耙开,每次在桂花树的东西两侧或南北两侧沿树 冠滴水线位置开设深为30?40cm、宽为20?30cm、长为80?100cm的沟,将底肥施入沟 中,回填土壤后,把原先覆盖的醅浆草覆盖在其土壤上,即完成桂花苗圃的面源污染防控栽 培。 所述步骤(1)中深沟的深度为55?65cm,宽度为55?65cm。 所述步骤(1)中铺设結杆草层的厚度为20?25cm,土层厚度为30cm,有机肥层的 总质量为3000?4000斤kg/亩,覆土层铺设至高出地面10cm。 所述步骤(2)的独杆桂花树实生苗的树种为银桂或金桂。 所述步骤(2)的独杆桂花树实生苗的直径为2?4cm,高度为1. 5?2. 5m,冠幅为 60 ?80cm。 所述步骤(3)中醅浆草种子的品种为红花醅浆草。 所述步骤(6)中施氮肥、施磷肥和钾肥是采用常规滴灌施肥的方法。以提高肥料 的利用率,同时避免造成苗圃土壤扰动。 与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术选用一年生草本植物醅浆草覆 盖地表,利用其对降雨截留、入渗、保持和利用性能,减少水土流失,该方法使深度为0? 30cm、30?60cm的土层中土壤有机质、碱解氮、有效磷及有效钾均得到增加,从而减少了肥 料的投入量;土壤中硝态氮、铵态氮明显减少,苗圃土壤中氮素可迁移养分得到有效控制, 减少了面源污染使苗圃得到可持续健康发展。 以2?3年生桂花苗圃为例,本专利技术的方法能使深度为0?30cm、30?60cm的土 层中土壤有机质的含量分别增加〇. 〇5g/kg、0. 24g/kg,有效磷的含量分别增加0. 23mg/kg、 0· 92mg/kg,有效钾的含量分别增加0· 25mg/kg、0. 30mg/kg ;硝态氮含量分别减少0· 48mg/ kg、0. 64mg/kg,铵态氮的含量分别减少0· 83mg/kg、0. 61mg/kg,电导率分别减少0· 86us/ cm、0. 09uS/cm。综上所述,本专利技术是在桂花苗圃中套种醅浆草的立体栽培方法,能有效地改 变桂花苗圃中土壤结构,减少N、P及水土流失,促进土壤有机质及养分含量的增加,加速培 育苗圃土壤碳库,增加苗圃生态多样性,减少对环境污染,改善苗圃的生态环境,引领产业 向低碳、可持续健康发展,易操作,具有广阔的推广应用前景。 具体所述方式 以下结合【具体实施方式】,对本专利技术做进一步的描述。 各实施中所用的肥料: 氮肥:选用总氮含量为45%的尿素; 磷肥:选用P2〇5为18%的钙镁磷肥; 钾肥:选用K20为50%的硫酸钾; 实验地点:云南省昆明市大阪桥镇宝象河苗圃。 实施例1 (1)整地施肥:于第一年7?8月,先清除杂草后深翻晒垡,熟化土壤,再于次年2月, 在每隔2m的行距上开深度为55cm、宽度为65cm的深沟,在深沟内从下至上依次铺设厚度 为20cm的秸杆草层、厚度为30cm的土层、按总质量为4000kg/亩的有机肥层、以及铺设至 高出地面10cm的覆土层; (2) 桂花树栽种:在步骤(1)的深沟上间隔一行进行挖坑,同一条深沟上所挖坑的坑间 距离为2m,于同年3月在坑内栽种直径为3cm、高度为2m、冠幅为65cm的独杆银桂桂花树实 生苗,此后按常规桂花树栽培方法进行施肥、灌排水、防治病虫害、修剪; (3) 醅浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0. 5kg/亩进行撒播 红花醅浆草种子; (4) 醅浆草的栽培:对步骤(3)播种的醅浆草种子在幼苗期进行2次人工除杂草,待醅 浆草植株长至高〇. 〇2m以上时进行刈割,每隔30?45天刈割1次,待醅浆草种子播种一年 后,按每年3?4次进行刈割; (5) 覆盖管理:将步骤(4)刘割的醅浆草覆盖在距离桂花树主干30cm的四周,以免影响 桂花树主干地面处湿度过高,引起病虫害滋生; (6) 苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树采用常规滴灌施氮肥0. 2kg,于每年7月 对每株桂花树采用常规滴灌施磷肥和钾肥〇. 2kg,于每年10月对每株桂花树施底肥3kg ;其 中,施底肥时,每年变换施肥部位,把覆盖的醅浆草耙开,每次在桂花树的东西两侧或南北 两侧沿树冠滴水线位置开设深为40cm、宽为30cm、长为80cm的沟,将底肥施入沟中,回填土 壤后,把原先覆盖的醅浆草覆盖在其土壤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,其特征在于经过下列各步骤:(1)整地施肥:于第一年7~8月,先清除杂草后深翻晒垡,熟化土壤,再于次年2月,在每隔2m的行距上开深沟,在深沟内从下至上依次铺设秸杆草层、土层、有机肥层、覆土层;(2)桂花树栽种:在步骤(1)的深沟上间隔一行进行挖坑,同一条深沟上所挖坑的坑间距离为2m,于同年3月在坑内栽种独杆桂花树实生苗,此后按常规桂花树栽培方法进行施肥、灌排水、防治病虫害、修剪;(3)醡浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0.4~0.6kg/亩进行撒播醡浆草种子;(4)醡浆草的栽培:对步骤(3)播种的醡浆草种子在幼苗期进行1~2次人工除杂草,待醡浆草植株长至高0.02m以上时进行刈割,每隔30~45天刈割1次,待醡浆草种子播种一年后,按每年3~4次进行刈割;(5)覆盖管理:将步骤(4)刈割的醡浆草覆盖在距离桂花树主干20~30cm的四周;(6)苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树施氮肥0.1~0.3kg,于每年7月对每株桂花树施磷肥和钾肥0.1~0.3kg,于每年10月对每株桂花树施底肥2~3kg;其中,施底肥时,每年变换施肥部位,把覆盖的醡浆草耙开,每次在桂花树的东西两侧或南北两侧沿树冠滴水线位置开设深为30~40cm、宽为20~30cm、长为80~100cm的沟,将底肥施入沟中,回填土壤后,把原先覆盖的醡浆草覆盖在其土壤上,即完成桂花苗圃的面源污染防控栽培。...

【技术特征摘要】
1. 一种桂花苗圃的面源污染防控栽培方法,其特征在于经过下列各步骤: (1) 整地施肥:于第一年7?8月,先清除杂草后深翻晒垡,熟化土壤,再于次年2月,在 每隔2m的行距上开深沟,在深沟内从下至上依次铺设秸杆草层、土层、有机肥层、覆土层; (2) 桂花树栽种:在步骤(1)的深沟上间隔一行进行挖坑,同一条深沟上所挖坑的坑间 距离为2m,于同年3月在坑内栽种独杆桂花树实生苗,此后按常规桂花树栽培方法进行施 月巴、灌排水、防治病虫害、修剪; (3) 醅浆草栽种:在步骤(2)的独杆桂花树实生苗的行间深沟内按0. 4?0. 6kg/亩进 行撒播醅浆草种子; (4) 醅浆草的栽培:对步骤(3)播种的醅浆草种子在幼苗期进行1?2次人工除杂草, 待醅浆草植株长至高〇. 〇2m以上时进行刈割,每隔30?45天刈割1次,待醅浆草种子播种 一年后,按每年3?4次进行刈割; (5) 覆盖管理:将步骤(4)刈割的醅浆草覆盖在距离桂花树主干20?30cm的四周; (6) 苗圃施肥:于每年3月下旬对每株桂花树施氮肥0. 1?0. 3kg,于每年7月对每株 桂花树施磷肥和钾肥0. 1?0. 3kg,于每年10月对每株桂花树施底肥2?3kg ;其中,施底 肥时,每年变换施肥部位,把覆盖的醅浆草耙开,每次在桂花树的东西两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹梅陈检锋陈华王志远付利波苏帆洪丽芳
申请(专利权)人:云南省农业科学院农业环境资源研究所
类型:发明
国别省市:云南;53

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