一种集成轨道角动量模式发射器制造技术

本发明专利技术属于集成光电子学和光通信领域，涉及一种集成轨道角动量模式发射器。该集成轨道角动量模式发射器是由衬底、反射镜结构、有源区、横向光场和电场限制层和产生角向螺旋相位分布的相位板集成生长而成,形成一个独立的集成器件。产生角向螺旋相位分布的相位板可以采用螺旋连续相位板结构、螺旋阶梯相位板结构、叉形衍射光栅相位板结构以及超表面相位板结构等可以提供沿角向呈螺旋相位分布的结构化相位板。本发明专利技术实现了轨道角动量模式发射器的高度集成和小型化，器件工艺成熟且结构简单易实现，通过对反射镜结构参数以及有源层材料体系和结构的选择可以灵活改变发射轨道角动量模式的波长，对于加快轨道角动量光通信的发展具有重要推进作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成光电子学和光通信领域，涉及一种集成轨道角动量模式发射器。 一种集成轨道角动量模式发射器
技术介绍
1935年，实验表明当光束为圆偏振态时，其光子可以携带角动量为±Λ的自旋角 动量。相比之下，当光束为线偏振态且具有空间螺旋相位分布时，其光子将携带角动量为 的轨道角动量，其中1为拓扑电荷。1992年，人们发现携带轨道角动量的光束可以在实 验室获取，从此轨道角动量光束受到了越多越多的关注并在多个领域获得了广泛应用，这 其中包括轨道角动量光通信。由于利用轨道角动量信息复用的光通信技术具有频谱效率高 和安全性好等特点，近年来发展迅速。在轨道角动量光通信中，轨道角动量模式发射器是整 个通信系统中的核心器件。 目前，已经有很多技术方案和结构各异的器件可以产生轨道角动量模式，比如螺 旋相位板、柱形透镜模式转换器、角向光栅微环、同心圆环径向光栅、空间光调制器等。不过 这些都是无源器件，本质上都是将已产生的高斯模式转化为轨道角动量模式，是一种模式 转换器，在工作时是和激光器分离的器件，这无法适应未来光通信以及光互连系统中对于 核心器件规模高度集成的发展需求。因此，迫切需要将轨道角动量模式的产生与激光器集 成在一起，形成一个高度集成的轨道角动量模式发射器，这对于推动轨道角动量光通信的 快速发展具有重要战略性意义。
技术实现思路
为了解决以上问题，本专利技术提供一种集成轨道角动量模式发射器，目的在于为轨 道角动量光束的高效发射提供整体集成解决方案，目标轨道角动量发射器高度集成且结构 简单易实现。 本专利技术提供的一种集成轨道角动量模式发射器，包括衬底、反射镜结构、有源区、 横向光场和电场限制层和产生角向螺旋相位分布的相位板，上、下两层反射镜结构与有源 区形成三明治结构，构成谐振腔，整个谐振腔生长在衬底上，相位板生长在谐振腔上方，所 述横向光场和电场限制层生长在有源区和上层反射镜之间，或者通过四周质子注入部分上 层反射镜而成。 上述发射器工作时，载流子从上注入有源区，载流子在有源区内形成粒子数反正， 再由谐振腔形成稳定的单纵模输出激光，其中，横向光场和电场限制层用以限制横向光场 和电场，由谐振腔输出所需波长的激光直接进入产生角向螺旋相位分布的相位板，从而发 射出轨道角动量模式。 作为上述技术方案的改进，反射镜结构可以采用分布式布拉格反射镜。 作为上述技术方案的改进，有源区可以选择不同的材料体系（如850nm :GaAs/ AlGaAs、980nm ilnxGahAs'mOnm :AlInGaAs_InP、1550nm :GaAlInAs)和结构并结合对应的 反射镜结构参数（如布拉格反射镜每层厚度）以实现不同波长轨道角动量模式的发射。 作为上述技术方案的改进，横向光场和电场限制层可以是有源区上生长的氧化层 并在中心开窗口用以限制横向光场和电场，也可以是部分有源区上高低折射率交替结构分 布式布拉格反射层在四周进行质子注入用以限制横向光场和电场。 作为上述技术方案的改进，所述产生角向螺旋相位分布的相位板可以采用螺旋连 续相位板结构、螺旋阶梯相位板结构、叉形衍射光栅相位板结构以及超表面相位板结构等 可以提供沿角向呈螺旋相位分布的结构化相位板。 作为上述技术方案的改进，在衬底下方以及产生角向螺旋相位分布的相位板的 上方增加金属电极以提供载流子注入。 作为上述技术方案的改进，所述产生角向螺旋相位分布的相位板可以通过改变结 构参数以改变螺旋相位分布情况，对应得到不同阶数的轨道角动量模式，甚至得到分数阶 轨道角动量模式。 作为上述技术方案的改进，所述集成轨道角动量模式发射器可拓展为一个集成发 射器阵列，可同时发射出不同阶数的轨道角动量模式。 本专利技术具有如下有益效果： 1、相比于传统分离的激光器与轨道角动量模式转换器，本专利技术提供了集成轨道角 动量模式发射器的整体集成解决方案，实现了轨道角动量模式发射器的高度集成和小型 化，且结构简单易实现。 2、本专利技术集成轨道角动量模式发射器可以很容易拓展为阵列结构，可以将不同阶 数的轨道角动量模式发射器集成在一起，同时发射不同阶数的轨道角动量模式，甚至分数 阶轨道角动量模式，进而可以应用于轨道角动量模式的编解码以及复用通信。 3、本专利技术集成轨道角动量模式发射器可以通过对反射镜结构参数以及有源层材 料体系和结构的选择灵活改变发射轨道角动量模式的波长。 4、本专利技术集成轨道角动量模式发射器的衬底、反射镜结构、有源区、横向光场和电 场限制层和产生角向螺旋相位分布的相位板均基于成熟的半导体工艺，器件工艺成熟易于 实现 【附图说明】 图1是本专利技术提供的集成轨道角动量模式发射器的结构示意图； 图2a是横向光场和电场限制层示意图，其是有源区上生长的氧化层并在中心开 窗口，2b是氧化层中心开窗口示意图。 图3是横向光场和电场限制层示意图，其是有源区上部分高低折射率交替结构分 布式布拉格反射层在四周进行质子注入。 图4是本专利技术提供的集成轨道角动量模式发射器的结构示意图，其中产生角向 螺旋相位分布的相位板采用螺旋连续相位板结构。 图5是本专利技术提供的集成轨道角动量模式发射器的结构示意图，其中产生角向螺 旋相位分布的相位板采用螺旋阶梯相位板结构。 图6是本专利技术提供的集成轨道角动量模式发射器的结构示意图，其中产生角向螺 旋相位分布的相位板采用叉形衍射光栅相位板结构。 图7是本专利技术提供的集成轨道角动量模式发射器的结构示意图，其中产生角向螺 旋相位分布的相位板采用超表面相位板结构。 图8是本专利技术提供的NxN集成轨道角动量模式发射阵列（N = 2)。 图9是本专利技术实施例所发射的轨道角动量模式的相位分布。（a) -阶；(b)二阶； (c)三阶；（d)四阶。 图10是本专利技术实施例所发射的轨道角动量模式的光强分布。（a) -阶；(b)二阶； (c)三阶；（d)四阶。 图11是本专利技术实施例所发射的分数阶轨道角动量模式的相位分布。（a)0. 5阶； (b) 1. 5 阶。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】作进一步说明。在此需要说明的是，对于 这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述 的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。 如图1所示，本专利技术提供的这种集成轨道角动量模式发射器是由衬底1、反射镜结 构2、有源区3、横向光场和电场限制层4和产生角向螺旋相位分布的相位板5集成生长而 成。 其中上下两层反射镜结构2与有源区3形成三明治结构，构成谐振腔。整个谐振 腔生长在衬底1上，相位板5生长在谐振腔上方。根据横向光场和电场限制层4的不同结 构，其可以生长在有源区和上层反射镜之间（如选择氧化限制层）或通过四周掺杂部分上 层反射镜而成（如质子注入）。 反射镜2采用分布式布拉格反射镜结构（即高低折射率交替结构）。通过控制布 拉格反射镜每层厚度与谐振腔谐振波长相对应同时选择相对应的有源区3材料（如850nm : GaAs/AlGaAs、980nm :InxGahAs、1310nm :AlIn本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成轨道角动量模式发射器，其特征在于，该发射器包括衬底、反射镜结构、有源区、横向光场和电场限制层和产生角向螺旋相位分布的相位板，上、下两层反射镜结构与有源区形成三明治结构，构成谐振腔，整个谐振腔生长在衬底上，相位板生长在谐振腔上方，所述横向光场和电场限制层生长在有源区和上层反射镜之间，或者通过四周质子注入部分上层反射镜而成；所述发射器工作时，载流子从上注入有源区，载流子在有源区内形成粒子数反正，再由谐振腔形成稳定的单纵模输出激光，再由横向光场和电场限制层限制横向光场和电场，从谐振腔输出所需波长的激光直接进入产生角向螺旋相位分布的相位板，从而发射出轨道角动量模式。

【技术特征摘要】
1. 一种集成轨道角动量模式发射器，其特征在于，该发射器包括衬底、反射镜结构、有 源区、横向光场和电场限制层和产生角向螺旋相位分布的相位板，上、下两层反射镜结构与 有源区形成三明治结构，构成谐振腔，整个谐振腔生长在衬底上，相位板生长在谐振腔上 方，所述横向光场和电场限制层生长在有源区和上层反射镜之间，或者通过四周质子注入 部分上层反射镜而成； 所述发射器工作时，载流子从上注入有源区，载流子在有源区内形成粒子数反正，再由 谐振腔形成稳定的单纵模输出激光，再由横向光场和电场限制层限制横向光场和电场，从 谐振腔输出所需波长的激光直接进入产生角向螺旋相位分布的相位板，从而发射出轨道角 动量模式。2. 根据权利要求1所述的集成轨道角动量模式发射器，其特征在于，所述反射镜结构 采用分布式布拉格反射镜。3. 根据权利要求1所述的集成轨道角动量模式发射器，其特征在于，所述有源区通过 选择材料体系和结构并结合对应的反射镜结构参数以实现不同波长轨道角动量模式的发 射。4. 根据权利要求3所述的集成轨道角动量模式发射器，其特征在于，所述材料体系为 850nm :GaAs/AlGaAs、980nm dnxGahAs'niOnm :AlInGa...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，赵一凡，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42