【技术实现步骤摘要】
一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置
本专利技术涉及半导体制造
,具体地涉及一种光刻设备垂向动态曝光方法及 装直。
技术介绍
光刻曝光过程中,光刻掩模形成的倒梯形图形是在电路加工中有着特殊应用的图 形,主要用于刻蚀工艺以及剥离工艺。 由于光刻胶的化学特性的限制,使用正胶进行曝光无法得到倒梯形图形,必须使 用反胶,才能得到倒梯形图形。但是,有时候因受到反胶自身性质影响,曝光后得到的倒梯 形边的倾斜度不够大,如图1所示。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种新的曝光方法,利用曝光工艺过程来弥补因反胶自身 性质的不足而造成的梯形边倾斜度过小的问题。 本专利技术提出一种光刻设备垂向动态曝光方法,用于将掩模版图形通过投影物镜系 统曝光成像在工件台的硅片上,其特征在于:具体包括如下步骤: (1) 对准工件台,找到最佳焦面,并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部; (2) 根据光刻胶厚度及曝光时间,计算工件台的运动速度,所述运动速度为光刻胶厚度 除以曝光时间; (3) 曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升,整个曝光过程中工件台移动的距离等 于光刻胶涂层的厚度,曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部; (4) 曝光结束后,工件台停止运动并开始后烘和显影过程。 使用上述垂向动态曝光方法曝光的光刻曝光装置,包括照明光源、掩模版、投影物 镜以及工件台,其特征在于:还包括控制模块。 其中,所述控制模块计算工件台的运动速度,并控制工件台运动。 本专利技术通过在曝光过程中,使工件台在垂向匀速移动,并且在移动 ...
【技术保护点】
一种光刻设备垂向动态曝光方法,用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上,其特征在于:具体包括如下步骤:(1)对准工件台,找到最佳焦面,并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部;(2)根据光刻胶厚度及曝光时间,计算工件台的运动速度,所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间;(3)曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升,整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度,曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部;(4)曝光结束后,工件台停止运动并开始后烘和显影过程。
【技术特征摘要】
1. 一种光刻设备垂向动态曝光方法,用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在 工件台的硅片上,其特征在于:具体包括如下步骤: (1) 对准工件台,找到最佳焦面,并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部; (2) 根据光刻胶厚度及曝光时间,计算工件台的运动速度,所述运动速度为光刻胶厚度 除以曝光时间; (3) 曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升,整个曝光过程中工件台移动的距...
【专利技术属性】
技术研发人员:施忞,章磊,夏志鹏,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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